6-1 實驗結果與討論
由圖6.1的比較圖可以看到,相較於純氧化鋅奈米柱的MCD訊號,在進行鈷覆蓋 之後,在MCD的譜圖上出現2個明顯的訊號,首先在1.55~3eV間有一個寬廣的 MCD訊號,在本文的文獻回顧2-1.4中的作者認為,此訊號是來自於Co2+的配位 場(4A2→4T1(P)),而本篇論文對於此點論述則是採取保留的態度。一般而言,MCD
圖 6.2 鈷 30 分鐘的成分比對圖,白點部分為金屬鈷。
圖6.3鈷與氧化鋅雙層膜在不同磁場下的MCD譜圖。
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圖6.4能帶結構示意圖 (a)1.55eV~3eV (b)3.4eV~3.48eV[20]。
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6-2 本實驗的未來工作與可持續的衍伸研究
在本論文的實驗中,除了量測到上述之特徵外,也同時發現一些有趣且可繼續延 伸的研究題目,本章節會對此部分做簡單介紹。
6-2.1光吸收變化
除了量測MCD訊號以外,我們亦可量測磁吸收光譜,而在量測鈷/氧化鋅複合奈 米結構中,發現到從氧化鋅訊號的能量開始,其對光的吸收也會跟著磁場產生變 化,如圖6.4所示,隨著磁場強度的增加,其對光的吸收也隨之下降,而在純氧 化鋅膜上則沒有看到類似的變化,推測應該是與鈷和氧化鋅介面的交互作用有關。
先期的工作實驗室已經發表在Appl. Phys. Lett.上[20]。或許可以將此現象用於其他 電子元件上,就可由磁場去調控元件的效能。
圖6.5純氧化鋅與蓋鈷30分鐘的樣品在不同磁場下的對光吸收圖。
6-2.2 氧化鋅結構對MCD訊號之影響
在本文的文獻回顧中,其中一篇論文有提到鋅離子濃度對於氧化鋅奈米柱形貌的 影響,本實驗的所選用來成長氧化鋅奈米柱的化學製品中,其中一向為硝酸鋅,
硝酸鋅本身為易潮解的化學物品,在配置溶液的過程中,容易在濃度上出現些微 的誤差,進而導致氧化鋅奈米柱的形貌改變,在此次實驗中的TEM影像可以看 出,氧化鋅奈米柱其頂端是平面結構,而在之後幾次的實驗中,意外的長出如圖 6.5所示尖頭的氧化鋅奈米柱,而這樣形貌的氧化鋅奈米柱在蓋鈷之後,其MCD 訊號的結果跟本次實驗則有所不同(圖6.6)。依照本論文中的能帶模型去推論之下,
最有可能的情形在尖頭與平頭氧化鋅奈米柱表面缺陷帶的不同,才會造成MCD 訊號的差異,而於此部分則需要與擅於計算能帶結構的專家憶起研究探討不同結 構的氧化鋅奈米柱的能帶結構,來提出完整的能帶結構模型來解釋兩者間的差 異。
圖6.6尖頭氧化鋅奈米柱的TEM影像。
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圖6.6 尖頭氧化鋅奈米柱蓋鈷後在不同磁場下的MCD圖。
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