實驗步驟

選用的微透鏡陣列規格有3.357LPI 屬於 grid 排列，140.705LPI 屬於 grid 排 列，82.2LPI 屬於 offset 排列。實驗設定將文字“E＂以疊紋原理放大為 50.8mm 與25.4mm。將 3 種微透鏡陣列參數及疊紋大小代入疊紋公式及可求出製作圖像

微透鏡陣列週期節距 3.357mm 0.1805mm 0.3090mm

實驗設計疊紋成像大小 50.8mm 25.4mm 25.4mm 公式(2.2)計算後求出的

疊紋週期節距 3.149mm 0.1792mm 0.3052mm 公式(2.4)計算後求出的

疊紋放大倍率 16.132 倍 141.741 倍 83.224 倍

在確定實驗材料與實驗參數後，所進行的單向實驗步驟上，同第一節實驗設 計的內容順序，將各單一實驗分為五個部分依序進行:

一、 疊紋放大鏡實驗繪製與輸出

完成實驗內容(一)疊紋放大鏡實驗陣列的圖像繪製與列印輸出後對圖像節 距的週期節距(pitch)進行量測。圖 3-7 為疊紋放大繪製圖示意、圖 3-8 為經列印 輸出後的節距量測圖。

圖3-7 疊紋放大繪製示意圖，繪製節距參數為 3.149mm

圖3-8 經列印輸出後的節距量測圖放大，測得節距值為 3.157mm

二、 降低取樣數陣列繪製與輸出

完成實驗內容(二）對文字“E＂降低取樣數陣列的圖像繪製，與底片輸出 後放大結果。圖3-9 為降低取樣數陣列繪製示意圖、圖 3-10 為降低取樣數陣列 底片放大圖

(a) (b)

(c) 圖3-9 降低取樣數繪製示意圖

(a)降低取樣數至 1/2 繪製陣列示意，繪製節距參數 0.1792mm (b)降低取樣數至 1/3 繪製陣列示意，繪製節距參數 0.1792mm (c)降低取樣數至 1/4 繪製陣列示意，繪製節距參數 0.1792mm

(a) (b)

(c)

圖3-10 降低取樣數陣列底片放大圖

(a)降低取樣數至 1/2 底片放大圖，擷取圖像放大倍率 28.3 倍 (b)降低取樣數至 1/3 底片放大圖，擷取圖像放大倍率 28.3 倍 (c)降低取樣數至 1/4 底片放大圖，擷取圖像放大倍率 28.3 倍

三、 文字分割陣列設計繪製與輸出

完成實驗內容(三)文字“E＂分割陣列的圖像繪製，與底片輸出後放大結果。

圖3-11 為文字“E＂分割繪製圖示意、圖 3-12 為文字“E＂分割底片輸出放大圖

(a) (b)

(c)

圖3-11 文字“E＂分割繪製式意圖

(a) 文字“E＂分割 2 等分繪製陣列示意，繪製節距參數 0.1792mm (b) 文字“E＂分割 3 等分繪製陣列示意，繪製節距參數 0.1792mm (c) 文字“E＂分割 4 等分繪製陣列示意，繪製節距參數 0.1792mm

(a) (b)

(c)

圖3-12 文字“E＂分割陣列底片放大圖

(a)文字“E＂分割 2 等分陣列底片放大圖，擷取圖像放大倍率 28.3 倍 (b)文字“E＂分割 3 等分陣列底片放大圖，擷取圖像放大倍率 28.3 倍 (c)文字“E＂分割 4 等分陣列底片放大圖，擷取圖像放大倍率 28.3 倍

四、位移(offset)分割排列陣列繪製與輸出結果

完成實驗內容(四)對文字“E＂進行位移分割排列陣列的圖像繪製，與底片 輸出後放大結果。圖3-13 文字“E＂位移排列分割陣列繪製示意圖、圖 3-14 為 文字“E＂位移排列分割陣列底片輸出放大圖。

(a) (b)

(c)

圖3-13 文字“E＂格狀排列分割繪製示意圖

(a) 文字“E＂位移排列分割 2 等分繪製陣列示意，繪製節距參數 0.3052mm (b) 文字“E＂位移排列分割 3 等分繪製陣列示意，繪製節距參數 0.3052mm (c) 文字“E＂位移排列分割 4 等分繪製陣列示意，繪製節距參數 0.3052mm

(a) (b)

(c)

圖3-14 文字“E＂格狀排列分割陣列底片放大圖

(a) 文字“E＂位移排列分割 2 等分陣列底片放大圖，擷取圖像放大倍率 28.3 倍 (b) 文字“E＂位移排列分割 3 等分陣列底片放大圖，擷取圖像放大倍率 28.3 倍 (c) 文字“E＂位移排列分割 4 等分陣列底片放大圖，擷取圖像放大倍率 28.3 倍

五、中文字體分割排列陣列繪製與輸出結果

完成實驗內容(五)中文字「大吉」的位移(offset)分割圖像陣列繪製，與底片 輸出後放大結果。圖3-15 為「大吉」位移排列分割陣列繪製示意圖、圖 3-16 為

「大吉」位移排列分割陣列底片放大圖。

圖3-15「大吉」位移排列分割陣列繪製示意圖，繪製節距參數 0.3502mm

圖3-16 中文字體「大吉」位移排列分割陣列底片放大圖，

擷取圖像放大倍率40.4 倍