3-4-1 CdSe 量子點 與 CdSe/ZnS 核殼量子點之合成 (A) CdSe (Core) 合成 (如圖3-1所示)
1. 取0.6 mmole CdO、3.76 g HDA、0.66 g Stearic acid 、5 ml TBP放 入三頸瓶，通入氮氣，以磁石均勻攪拌，加熱到250℃，使CdO溶 解，溶液澄清，並維持溫度於250℃。
2. 取0.9 mmole Se，加入1.5 ml TBP，以超音波震盪器振盪使Se溶於 TBP中。
3. 利用針筒將Se-TBP溶液取出，快速注入CdO-HDA-TBP溶液中，
此時反應溶液由澄清轉為暗紅色溶液，並加以降溫至40℃，注入 氯仿/甲醇，使量子點沉降並以離心機離心，最後以甲醇清洗沉澱 物，重覆此動作5次。
(B) CdSe/ZnS (Core/Shell)量子點之合成(如圖3-2所示)
1.取0.6 mmole CdO、3.76 g HDA、0.66 g Stearic acid 、5 ml TBP放入 三頸瓶，通入氮氣，以磁石均勻攪拌，加熱到250℃，使CdO溶解，
溶液澄清，並維持溫度於250℃。
2.取0.9 mmole Se，加入1.5 ml TBP，以超音波震盪器振盪使Se溶於 TBP中。
4.利用針筒將Se-TBP溶液取出，快速注入CdO-HDA-TBP溶液中，此 時，反應溶液由澄清轉為暗紅色溶液，並加以降溫於180℃反應。
5.取0.025 mmole Zn(Ac)2 及0.025 mmole 硫粉，加入1.5 ml TBP，以 超音波震盪器振盪使ZnS溶於TBP中。
6.將ZnS-TBP 溶液取出，慢慢注入溶液4中，反應1小時，並降溫於40
℃，注入氯仿/甲醇，使量子點沉降並以離心機離心，甲醇清洗沉 澱物，重覆此步驟5次。
3-4-2 乙硫醇酸表面修飾CdSe/ZnS量子點之合成(如圖3-3所 示)
1. 取已合成之 HDA 包覆 CdSe/ZnS 粉體 20 毫克。
2. 將上述之粉體溶於 4 ml 之氯仿溶液中，並加入 3 ml 之吡啶。
3. 將 695 μl 乙硫醇酸溶於 5 ml 氯仿溶液中，溶液加入上述混合溶 液中，並攪拌約 5 分鐘。
4. 利用 tetramethylammonium hydroxide pentahydrate 調整溶液中之 酸鹼值至 pH 11。
5. 在黑暗環境中將此混合溶液以磁石攪拌反應 overnight (O/N)。
6. 反應完後，將溶液加以離心，以 6000 rpm 轉數離心並以甲醇清洗 多餘之 MAA 及 HDA，重複此步驟 5 次。
7. 將沉澱物以磷酸鉀緩衝溶液 (PBS) pH 7.4 或去離子水將之回溶 並儲存。
3-4-3 硫醇琥珀酸表面修飾 CdSe 與 CdSe/ZnS 量子點之合
4. 利用 tetramethylammonium hydroxide pentahydrate 作 pH 值校正，
使溶液之pH 值校正為 pH 11。
hydroxide pentahydrate 混合溶液控制 pH 值大於 10。
3. 混合溶液回流並反應 2 小時，於室溫環境中。
4. 將反應溶液離心，利用離心機 6000 rpm 離心，以甲醇/氯仿混合溶 液洗沉澱物，並重複此步驟5 次。
5. 將沉澱物以去離子水回溶，並避光儲存。
3-4-4 硫醇十一酸表面修飾 CdSe 與 CdSe/ZnS 量子點之合成
3.加入 12 μl tetramethylammonium hydroxide pentahydrate 於上述 混合溶液，利用超音波震盪器震盪10 分鐘，並利用離心機 6000 rpm
7. 加入 10 μl tetramethylammonium hydroxide pentahydrate 於 1 混 合溶液。
8. 取 0.05 M MUA 於 50 μl DMSO 中。
9. 將 MUA/DMSO 溶液注入 1 溶液，反應 2 小時。
溶液洗沉澱物，並重複此動作5 次。
11. 將沉澱物以 D.I 回溶，並避光儲存。
3-4-5 二胺基乙硫醇表面修飾 CdSe 與 CdSe/ZnS(如圖 3-7 所示)
1.取合成好之 CdSe/ZnS-HDA 有機相粉體 30 毫克溶於 10 毫升氯仿溶 液，並利用超音波振盪器震盪溶液10 分鐘。
2.0.5 M AET /甲醇溶液加入 10 μl tetramethylammonium
hydroxide pentahydrate 並加入上述混合溶液，並控制 pH 值為 pH 7，並且於室溫下反應 2 小時。 hydroxide pentahydrate 。
3.將 2 混合溶液加入 1 中，反應 2 小時。
4.將反應溶液離心，利用離心機 6000 rpm 離心，以甲醇/氯仿混合溶 液洗沉澱物，並重複此動作5 次。