4-1 實驗結果概論
本研究將實驗結果分三部分做探討，塑料流至 A 區時尚未受到 嵌入件影響，可視為無嵌入件之平板試片的殘留應力表現；B 區塑料 遇到嵌入件而分流並且受嵌入件溫度影響，實行退火可以降低試片熱 殘留應力，進而使流動殘留應力的表現更加明顯；C 區塑料匯合並也 有受嵌入件溫度影響，影響因素最為複雜。
以下各點的條紋級數、主應力方向與計算出的等效應力列於表 4- 1 至表 4- 12，而應力改變的數值部分皆以各區量測點的平均值為 基準做比較。
4-2 PC 試片實驗分析
4-2-1 PC 試片 A 區
PC 試片退火 1HR 後約可使殘留應力降至原本的 18%，其中 case3 降幅較小，僅 31.92%，而退火 3Hr 之殘留應力與 1Hr 比較，差異不 大。
熱循環會使原試片殘留應力微幅下降，降幅 case4 最大，熱循環
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6 次後剩原本的 52.77%，case3 次之，為 54.63%，case1 為 76.41%，
case2 為 82.89%；而退火過的試片再經熱循環，整體上殘留應力不會 有太大的變動，且皆在 1MPa 之下，如圖 4- 1。
從 A 區的應力變化我們可以得知，熱循環對於沒有嵌入件的區 域而言並不會使應力上升，相當於試片受到較低溫度的退火處理。
4-2-2 PC 試片 B 區
退火 1Hr 後 case1 降為 43.14%，case2 為 50.45%，case3 為 44.18%，
case4 為 81.98%，然而繼續退火至 3Hr 時，case1 反升至 46.18%，case2 升至 64.91%，case3 降為 39.73%，case4 降為 41.70%，由此可得知，
當嵌入件加溫時，退火處理需要更多時間才能生效，而在嵌入件附近 為 64.13%，case3 為 76.07%，case4 為 79.58%，而退火過的試片則是 普遍上升至退火後狀態的 150%，甚至會高於原始試片的殘留應力，
見圖 4- 2，推論有無退火試片熱循環後之差異原因為嵌入件循環過
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程中造成的應力被循環時高溫區的退火效果抵消，而已退火試片原本 熱應力已經被消除過，嵌入件影響就直接反應在結果上。
4-2-3 PC 試片 C 區
如圖 4- 3，此區退火後殘留應力下降程度相當不明顯，退火 1Hr 後 case1 降為 85.86%，case2 為 91.32%，case3 反升至 111.92%，case4 為 97.53%，繼續退火至 3Hr，case1 降為 57.22%，case2 為 82.16%，
case3 為 107.62%，case4 為 93.22%，除了 case1 外其他組都無大改變，
此處塑料經過嵌入件後，流動應力應不會比 B 區大，所以退火後應 會下降才是，然而就嵌入件在退火時影響看來，射出時嵌入件受到壓 力，極有可能會造成嵌入件向 C 區方向彎曲(圖 4- 19)，此曲率造成 加熱時嵌入件向 C 區壓迫，使得熱應力無法自由釋放。
此區熱循環後，原試片中央部分(量測點 3、4)殘留應力會明顯上 升，如圖 4- 3，取平均值 case1 為 169.07%，case2 為 212.44%，case3 為 283.25%，case4 為 193.38%，並且 case4 應力較其他組別小。
4-2-4 試片破壞結果
將各種實驗過之試片投入液態氮中 15min，結果原試片的 case1 與 case2 以及原試片熱循環 6 次的 case1、case2、case3 發生開裂，開
55 1Hr 後 case1 為 80.27%，case2 為 80.81%，case3 為 61.91%，case4 為 75.52%，但退火 3Hr 後則變成 case1 為 35.55%，case2 為 48.88%，case3 為 67.42%，case4 為 74.27%，根據文獻應是由於 PS 材料的半結晶特 性使得退火時材料不均勻再結晶所導致。
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原試片與退火 1Hr 之試片經熱循環後 case1 的應力明顯較其他參 數大，但退火 3Hr 後 4 種參數並無太大差異。
4-3-2 PS 試片 B 區
退火 1Hr 後 case1 為原本 70.62%，case2 為 53.43%，case3 為 59.17%，
case4 為 56.10%，然而退火 3Hr 後 case1 降為 38.84%，case2 為 31.35%，
case3 為 38.61%，case4 為 50.25%，與 PC 試片不同，case4 一開始即 大幅下降但繼續退火後反而其他組應力較低。
原試片熱循環後試片的應力分佈，僅 case4 為下降趨勢，退火 1Hr 試片則是只有 case1 升幅降大，退火 3Hr 後則是全體升幅一致。
4-3-3 PS 試片 C 區
見圖 4- 6，此區退火 1Hr 後 case1 為 70.51%，case2 為 76.86%，
case3 為 76.83%，case4 為 60.73%，3Hr 後 case1 為 50.21%，case2 為 54.11%，case3 為 52.97%，case4 為 58.46%，均為平緩下降；而熱循 環後僅有 case1 應力上升，其於皆與循環前無太大差異，甚至有下降 的趨勢，然而並不像 PC 試片有造成破壞，推測是結晶化的影響，使 得內部能量累計不到破壞的程度。
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圖 4- 1 PC 試片 A 區不同狀態下殘留應力比較圖
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圖 4- 2 PC 試片 B 區不同狀態下殘留應力比較圖
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圖 4- 3 PC 試片 C 區不同狀態下殘留應力比較圖
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圖 4- 4 PS 試片 A 區不同狀態下殘留應力比較圖
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圖 4- 5 PS 試片 B 區不同狀態下殘留應力比較圖
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圖 4- 6 PS 試片 C 區不同狀態下殘留應力比較圖
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圖 4- 7 PC 原試片光彈圖
圖 4- 8 PC 原試片熱循環 6 次光彈圖
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圖 4- 9 PC 退火 1Hr 試片光彈圖
圖 4- 10 PC 退火 1Hr 試片熱循環 6 次光彈圖
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圖 4- 11 PC 退火 3Hr 試片光彈圖
圖 4- 12 PC 退火 3Hr 試片熱循環 6 次光彈圖
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圖 4- 13 PS 原試片光彈圖
圖 4- 14 PS 原試片熱循環 6 次光彈圖
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圖 4- 15 PS 退火 1Hr 試片光彈圖
圖 4- 16 PS 退火 1Hr 試片熱循環 6 次光彈圖
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圖 4- 17 PS 退火 3Hr 試片光彈圖
圖 4- 18 PS 退火 3Hr 試片熱循環 6 次光彈圖
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圖 4- 19 注塑導致嵌入件彎曲示意圖
圖 4- 20 PC 原試片開裂 (case1 & case2)
圖 4- 21 PC 原試片熱循環 6 次後開裂 (case1 & case2 & case3)
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圖 4- 22 以 ABC 應力分佈建模
圖 4- 23 應力模型與實體模型對正並分割
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圖 4- 24 case1 原試片與熱循環後應力分佈與破壞區比對
圖 4- 25 case2 原試片與熱循環後應力分佈與破壞區比對
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圖 4- 26 case3 原試片與熱循環後應力分佈與破壞區比對
圖 4- 27 PS 試片不規則彎曲
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