上式將測量三次之中產生的最大值減掉在三次中產生的最小 值，最小值通常為負的數值。
圖 4. 1 單對噴嘴變形量(流體壓力 3.5kg/cm2)
圖4. 2 雙對噴嘴變形量(流體壓力3.5kg/cm2)
圖4. 3 雙對65度噴嘴變形量(流體壓力3.5kg/cm2)
圖4. 4 單對噴嘴變形量(流體壓力5kg/cm2)
圖4. 6 雙對65度噴嘴變形量(流體壓力5kg/cm2)
以上變形量之關係使用圖相表示更容易了解相互之間的關係，但 以科學的實驗過程，仍然必須將實驗數值量化並且評比，將不同的流 體壓力以及噴嘴形式做比較並置於同一表格判別優劣，每一組噴嘴各 有其優缺點，於比較結果所呈現之現象仍然取決於資料使用人的需 求。
圖 4. 7 流體壓力 3.5kg/cm2變形量比較表
圖 4. 8 流體壓力 5kg/cm2變形量比較表
圖 4. 9 不同流體壓力變形量比較表
變形量(μm) 單對噴嘴(5Kg/cm2)
單對噴嘴(3.5Kg/cm2)
變形量(μm) 單對噴嘴(5Kg/cm2)
單對噴嘴(3.5Kg/cm2) 雙對噴嘴(5Kg/cm2) 雙對噴嘴(3.5Kg/cm2) 雙對噴嘴65度(5Kg/cm2) 雙對噴嘴65度(3.5Kg/cm2)
4-2 加速度測量結果討論
加速度測量是考慮矽晶片使用更大的尺寸生產時，生產的過程是 否影響到產品的破壞強度，若是由實驗之結果可發現，加速度產生的 最大影響發生在矽晶片的邊緣，因此，若是要生產更大型之產品，可 以考量此實驗之結果。
而且由實驗結果的數據來撿視，振動產生的加速度產生的位置有 很明確的趨向，幾乎是呈現同一種的現象，也就是振動都是發生在矽 晶片的四個角落，而振動加速度最小的位置在矽晶片的中心位置，但 是在使用不一樣的流體壓力、流量以及噴嘴形式仍然會產生出許多不 一樣的結果，這部份仍然值得探討研究。
使用流體壓力3.5kg/cm2實驗結果
圖4. 10 單對噴嘴加速度(流體壓力3.5kg/cm2)
圖4. 12 雙對角度噴嘴加速度(流體壓力3.5kg/cm2)
最大加速度 (mm/sec2)
單對噴嘴 雙對噴嘴 雙對65度噴嘴
圖4. 13 雙對角度噴嘴最大加速度(流體壓力3.5kg/cm2)
平均加速度((流體壓力3.5KG/CM2)
最大加速度 (mm/sec2)
單對噴嘴
使用流體壓力5kg/cm2實驗結果
圖4. 16 單對噴嘴加速度(流體壓力5kg/cm2)
圖4. 17 雙對噴嘴加速度(流體壓力5kg/cm2)
圖4. 18 雙對角度噴嘴加速度(流體壓力5kg/cm2)
最大加速度(流體壓力5KG/CM2)
0 50 100 150 200 250 300
0 1 2 3 4 5 6 7 8 9 10
位置
最大加速度 (mm/sec2)
單對噴嘴 雙對噴嘴 雙對65度噴嘴
平均加速度(流體壓力5KG/CM2)
最大加速度 (mm/sec2)
單對噴嘴
不同流體壓力共同比對結果
最大振幅(不同流體壓力比較)
表 4. 1 測量結果-1
雙對65度噴嘴3.5KG
27 9 8.98 4.49 0.0184 36.80
表 4. 2 測量結果-2
單對噴嘴5KG/cm2
9 60 60.84 30.42 0.1200 240.0
雙對噴嘴5KG/cm2
18 37 36.24 18.12 0.0740 148.0
雙對65度噴嘴5KG/cm2
27 16 16.04 8.02 0.0320 64.0
4-3 噴流分離高度與速度討論
探討矽晶片分離的時間主要是為了能增加生產的速度，若以現行 各個矽晶片製造廠所使用的速度約為3秒取走一次，目前仍然可行，
但是未來的需求是要邁向更快速的生產模式，那麼就必須要探討更好 的方式來因應此方案。
由變形量以及加速度的實驗中，得到許多與時間相關的數據，若 將實驗數據中的時間特性擷取出來並且加以分析，可發現此數據依循 著固定條件在變化，因此本章節主要探討噴流分離的時間與高度的數 據。
若是由(圖4.25)可發現，時間與高度的關係一直維持著正比例的 關係，所以可將兩個實驗數值一起探討分析，舉例以單對噴嘴搭配流 體壓力5KG/cm2來說明，在時間到達1秒時，矽晶片的高度已經不再變 化，原因是在時間到達1秒之前，氣流已經將晶片分離至最高位置，
所以此形式的噴嘴是本實驗中能夠最快分離的款式。
1000
4-4 材料試驗結果探討
矽晶材料目前廣泛應用於電子產品製造，雖有參考資料可依循，
但矽晶片製造商生產方式之品質控管，仍然會照成產品的優劣差異，
因此本論文使用目前實驗之矽晶片材料做為研究對象。
本試驗施力的下壓速度極為緩慢，而在使用噴嘴分離的過程相當 快速，而且夾雜的晃動、變形、碰撞以及其它因素同時產生，因此材 料之數據可列為參考項目之一，以實驗結果來看，平均變形為量 7mm，若是在實際的噴嘴分離過程，矽晶片會破裂的值因該會小於這 個實驗數值，在使用以下材料試驗表時，還需多方考量各總因素。
表4. 3 矽晶片材料試驗表
負載與形變關係表
0.000 0.001 0.001 0.002 0.003 0.004 0.005 0.005 0.006 0.007 0.008 0.009 形變量(m)
破壞點變形量 單對噴嘴(5Kg/cm2) 單對噴嘴(3.5Kg/cm2) 雙對噴嘴(5Kg/cm2) 雙對噴嘴(3.5Kg/cm2) 雙對噴嘴65度(5Kg/cm2) 雙對噴嘴65度(3.5Kg/cm2)
材料試驗
4-5 各個模型共同比對 離高度速度單一項目去評估(表5.1、表5.2、表5.3)。
綜合性能比對
變形量_單對噴嘴(3.5Kg/cm2) 變形量_雙對噴嘴(3.5Kg/cm2) 變形量_雙對噴嘴65度(3.5Kg/cm2) 變形量_單對噴嘴(5Kg/cm2) 變形量_雙對噴嘴(5Kg/cm2) 變形量_雙對噴嘴65度(5Kg/cm2) 最大加速度_單對噴嘴(3.5Kg/cm2) 最大加速度_雙對噴嘴(3.5Kg/cm2) 最大加速度_雙對噴嘴65度(3.5Kg/cm2) 最大加速度_單對噴嘴(5Kg/cm2) 最大加速度_雙對噴嘴(5Kg/cm2) 最大加速度_雙對噴嘴65度(5Kg/cm2)
振
表 4. 4 分離高度優劣排列