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熱熔製程製作模仁與導光板樣本測試

本研究除了利用鋼板蝕刻製作導光板模仁以外,還利用熱熔製程 製作導光板模仁,目的在於比較兩者之間的差異性。熱熔製程製作導 光板模仁前,須先將熱熔參數測試出來,再以熱熔製程製作導光板模 仁。模仁製作完成後,以平面壓印的方式製作導光板樣本,量測其光 學性質並與光學模擬結果、鋼板蝕刻量測結果等做比較、分析。

3-5-1 熱熔製程參數測試

此熱熔參數試驗室為了後續導光板模仁製作時,設計微結構網點 大小及高度最佳參數是否可行的前置作業,並且對於熱熔後的網點微 結構做輪廓與表面分析。

1. 試片製作

測試熱熔參數所使用的試片是委託工研院微系統中心製作,使用 6 吋晶圓,所使用之光阻為 SPR-620,光阻旋塗塗佈均勻後,經儀器 量測厚度約為 4μm,如圖 3-26。曝光後光阻圖案為圓形網點,直徑 分別為 20μm 與 50μm,SEM 掃描量測下,網點形狀如圖 3-27。

2. 熱熔參數測試

熱熔參數測試的目的在找出 1~2 組接近理想的熱熔過程製作鏡

面球形微結構,其數值可以套用於導光板設計與模擬的設計值,並不

在各持溫參數下,利用掃描式電子顯微鏡(SEM)分別觀測其表面粗糙 度,如圖 3-30 所示,可以發現經由持溫時間的加長,微結構的表面 結構漸漸趨於平滑,網點直徑 20μm 依照量測顯示有較顯著的變化,

微結構周邊的不規則突起,隨著持溫時間加長而漸漸趨於平滑。依照 所觀測的結果發現持溫時間為 4 小時最為適合實驗所使用。

第三步驟是取測試參數為持溫溫度 200°C,持溫時間為 4 小時這 組熱熔參數,微結構為圓形網點,微結構直徑為 20μm 與 50μm,此 參數熱熔後觀察可得其表面輪廓較佳,並以原子力顯微鏡(AFM)量測 表面輪廓與表面粗糙度,所得數值與預計的理想鏡面球形微結構做比 較,如圖 3-31、圖 3-32,可以得到量測數值與理想值兩者之間的差 異性不大。剖面輪廓表面與理想球形的輪廓相比,數值相近於理想 值,網點高度依據公式 2-3 可以推估算出來,光阻厚度為 4μm,網 點直徑為 20μm 的光阻,經過熱熔製程後網點高度會變成約 4.3μm;

光阻厚度為 4μm,網點直徑為 50μm 的光阻,經過熱熔製程後網點 高度會變成約 5.2μm 左右,依據 AFM 所量測出來的數據,高度量測 值跟預估值之間的誤差約在 3 %以內。此網點成形的熱熔參數可以作 為 SPEOS 光學軟體設計所使用,網點成形的大小與高度可以做為導光 板網點設計上依據。

3-5-2 熱熔製程製作模仁與導光板樣本測試

本實驗中所做的熱熔製程製作導光板模仁,其目的在於對照鋼板 蝕刻製作模仁,兩者的加工方法與加工過程不同,鋼板蝕刻可製作大 面積尺寸、製程簡單快速,熱熔製程只能製作小面積尺寸,兩者所能 製作的網點大小與網點間隔也不同,熱熔過程可製作較小的網點大 小、網點間的間隔也較小、網點微結構粗糙度也較為平滑。

但是由於成本與時間上的考量,並無法製作與鋼板蝕刻相同的網 點,所以須藉著 SPEOS 光學模擬的分析,分析兩種方式製作模仁所造 成的差異。

1. 熱熔製程製作模仁

由於先前鋼板蝕刻的製程測試,可以知道導光板捲材的吸收係數 範圍,以此吸收係數為設定值,利用 SPEOS 光學軟體設計熱熔製程所 製作之模仁的導光板網點樣本以 AutoCAD 輸出成檔案格式,用以製作 成曝光時所使用的光罩,光罩與光阻製作作業委託工研院微系統中心 進行,預定製作的導光板網點大小 20μm、高度 5μm、網點最小間隔 為 5μm。在曝光、顯影等過程後光阻利用熱熔製程所測試的參數進 行熱熔製程,熱熔製程後模仁無法直接使用,必須經過電鑄、翻模等 過程,此過程委託工研院機械所進行翻模鑄模的作業,然後進行平面

UV embossing 轉印製作導光板。

2. 熱熔製程平板模仁製作導光板光學檢測與光學模擬做比較

實驗會先以平面壓印製作導光板樣本,經過光學檢測後記錄其結 果,並與光學模擬作比較、分析兩者之間的差異性。

3. 鋼板蝕刻與熱熔製程平板模仁製作導光板光學檢測做比較

本實驗中利用兩種方式製作導光板模仁,分別是鋼板蝕刻製作導 光板模仁與熱熔製程製作導光板模仁,兩者在比較上鋼板蝕刻製程的 成本較低、可以製作大面積範圍,製作模仁過程較簡單,但是網點蝕 刻網點的表面粗糙度不佳,形狀精度上也略嫌不足;熱熔製程製作模 仁成本較高,其製作過程也較繁雜,必須經過電鑄、翻模的二次製作 程序,但比起蝕刻製程來說,可製作微結構的尺寸較小、微結構之間 的分佈可較密集、表面粗糙度與形狀精度較佳等等優點。換句話說,

利用熱熔製程製作導光板模仁,在設計上可設計網點結構較密集,出 光效率較高的導光板,而且厚度較也較薄。

熱熔製程製作導光板的目的是做為與鋼板蝕刻比較的對照組,可 以藉由兩者所製作的導光板實驗數值得知兩者之間的差異。但是在本 實驗中,因為成本與時間的關係,無法以熱熔製程製作與鋼板蝕刻相

同大小的網點,兩者間無法直接比較。所以必須借助 SPEOS 光學模 擬,推算出兩者之間的差異性。

圖 3-26 光阻塗佈厚度量測(軟烤後)

圖 3-27 最初光阻圖形的 SEM 圖 (圖為直徑 50μm)

升溫曲線圖

0 50 100 150 200 250

0 1 2 3 4 5 6

時間(hr) 溫度(C)

圖 3-28 持溫溫度 200°C、持溫時間四小時升溫示意圖

圖 3-30 50μm 與 20μm 的球形網點 SEM 圖

經由持溫時間的加長,微結構的表面結構漸漸趨於平滑,網點直徑 20μm 依 照量測顯示有較顯著的變化,微結構周邊的不規則突起,隨著持溫時間加長而漸 漸趨於平滑

圖 3-29 熱熔參數數值熱熔後之 OM 圖,放大倍率為 500 倍 (a)(b)為放大倍率 1000 倍

(a)

(b)

3-6 滾壓參數對導光板成形的影響

模仁委託工研院機械所做表面抗沾黏處理,以降低 UV 膠對模仁的附 著性,使得導光板滾壓成形時更容易脫模,以免造成滾壓時導光板損 壞與滾筒模仁結構被破壞。

因為本研究中只使用 UV 膠 TX-200,並無其他 UV 膠或是 UV 光阻 可供試驗使用,所以研究中並無詳細討論其他 UV 膠或是 UV 光阻對於 製作導光板的差異性。

3-6-2 成形時導光板捲材的張力控制

導光板滾壓時,負責做為輸送傳動的滾筒對於導光板捲材兩端有 張力作用,其張力作用在滾壓製程時兩端張力會對捲材造成一正向 力,能使得導光板捲材貼合在模仁上,導光板捲材兩端的張力越大,

所造成的正向力就越大,導光板捲材就越貼近模仁,進而使得導光板 成品殘留層厚度越小如圖 3-34 所示,張力大小所對應的殘留層厚度 如表 3-2(殘留層厚度為 80μm是在非作業張力下製作,嘗試製作殘留 層厚度極厚的導光板樣本,以作為實驗中對照的測試)。

因為殘留層厚度越厚,導光板本身的厚度越大,代表著導光板製 作厚度與設計上的厚度誤差越大,而且 UV 膠殘留層越厚,會造成導 光板成品與設計上的誤差越大,以致於影響導光板整體出光。實驗時 針對滾壓時導光板的殘留層厚度做探討,針對兩種極端的厚度,分別

為殘留層厚度約為80μm與殘留層厚度約為10μm,如圖 3-35 所示,

並做光學上驗證,比較分析光學性質上的不同點。

3-6-3 UV lamp 的強度與成形速度的控制

滾壓成形時 UV lamp 的強度與滾壓成形的速度是決定固化劑量 (UV 固化所必需的能量多寡)的兩個重要因素,換言之固化劑量約為 UV lamp 的強度與成形速度的乘積,UV 固化劑量在選擇 UV 膠、決定 導光板殘留層厚度、導光板捲材的透光率與吸收率等等滾壓製程前設 計與準備時就已經固定了,所以在滾壓製程中必須讓決定固化劑量的 兩個因素盡量配合,實驗時在製程中分別對這兩個參數做變動做探 討。

測試對於導光板滾壓製程所造的影響,UV lamp 的強度為Ⅰ、Ⅱ、

Ⅲ(工研院內部資料數據,不公開),UV 光強度為Ⅰ<Ⅱ<Ⅲ,滾壓的 成形速度為每秒 1 公尺、每秒 2 公尺、與每秒 5 公尺,針對這兩種滾 壓參數分別做交叉測試製作導光板,藉此試驗可以得到 UV lamp 的強 度與成形速度對於導光板的成形有何影響。

(a)脫模失敗的導光板 (b)脫模失敗的導光板模仁 圖 3-33 脫模失敗的導光板與導光板模仁

圖 3-34 導光板兩端張力越大,正向力越大,捲材上的殘留層會越薄

圖 3-35 量測厚度不同導光板的殘留層

表 3-2 張力與所殘留厚度對照表

張力大小(N) 殘留層厚度(μm)

10 N(非作業張力) 80μm

32 N 20μm

37 N 10μm

42 N 4~8μm(有缺陷)

第四章 實驗結果與討論

本章節是對於設計時所做的模擬結果與實驗過程中所做的各種 實驗,一一提出做詳細的討論,並且針對模擬與實驗所得到的各項結 論與發現做一小結。

4-1 光學模擬

光學模擬部份,研究中所討論部分是導光板的優化策略、各種反 射參數對於模擬的照度趨勢影響、材料吸收係數與網點最小間距等 等。以 SPEOS 做光學模擬,其光學模擬的結果與其相對的變化趨勢可 以作為導光板的設計依據。

4-1-1 導光板出光均勻性優化策略

分別以(1)分段式陣列佈點與(2)連續式交錯佈點兩種佈點方式 設計導光板,調整佈點時盡可能地將導光板的均勻性提高,並且利用 SPEOS 內部程式分析兩者的出光效率。調整網點時以調整網點間的間 隔(pitch)為主,而不調整網點深度或是網點大小,這是因為我們希 望在網點模仁製作時,網點微結構製作參數可以固定,調整網點分佈 位置即可。

利用上述兩種網點分佈形式,以 SPEOS 分別模擬兩者光學效果並

比較兩者之間的差異,模擬結果如圖 4-1與圖 4-2所示。表 4-1為列

比較兩者之間的差異,模擬結果如圖 4-1與圖 4-2所示。表 4-1為列

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