第三章 超低功率連續近似式類比數位轉換器 設計
3.3.3 比較器
3.2.1.4 提出之比較器
就上述的方法均是可以達到軌對軌輸入範圍之比較器,然而由於所提 出的SA ADC架構中,對於比較器的輸入端是由電容存值給予比較器輸入,
為了維持其精準確,故需要有高輸入阻抗。對於電流模式之比較器的輸入 端為低阻抗,故將影響輸入端電壓位準的改變;而bulk driven架構之比較 器,其藉由提供MOS之bulk端電位去產生不同的threshold voltage,進而產 生不同的電流來做比較,然而bulk端對於drain端及source端在 1V的輸入範 圍下,將可能會造成pn界面的漏電流而導致輸入端的電位改變,故在此我 們採用輸入端同時連接P及N型的差動對來實現軌對軌的輸入,在此僅作為 比較器之用,故不採用額外的電路來使其gBmB穩定,也可減少功率消耗。
接著在N 型的差動對使用電流鏡負載,藉此將電流彙整起來,再使用 正回授(positive feedback)加大其增益,使其能比較更小的電流差距,但缺點 在於會有比較嚴重的磁滯(hysteresis)現象,故再加 reset MOS (N3、N5)來減 低磁滯的影響,而最後再加一反向器將訊號拉至數位訊號位準,其架構如 圖3-16 所示。
P8
N8
P5 P6
P4
N3 N4 N6 N5
P3 P2 P0 P1
P7
N2
N7 N1 N0
bias1
bias2 reset
reset Vin1
Vin2
Vin1
Outp o1 o2 Outn
圖3- 16 提出之比較器
至VDD時主要由N型差動對操作,然而由於供應電壓過低,因此將使得輸入 在VDD/2 附近時會有一地帶造成PMOS及NMOS之均脫離飽和區,然而又由 於N型差動對有Body effect,故使得共模輸入在較高的範圍,即N型差動對 操作範圍中,也都瀕臨在飽和區與Sub-threshold區之間,然而由X[33] X可知,
在次臨界(Sub-threshold)區域仍有其電流存在,其電流公式為 ))
/ exp( (
0 n kT q
I V L
iD ≅W D GS (3.5) 其中n為Sub-threshold slope factor,而IBD0B為Process-dependent parameter,且 與VBSBB及VBTB有關。因此在設計之中,當輸入在VDD/2 附近時,將使得PMOS 及NMOS差動對同時提供Sub-threshold電流來維持比較器之操作,經由 HSPICE的模擬驗證,如此的設計是適當的,如圖 3-17。
圖3- 17 共模輸入對 P 型及 N 型電流源之關係圖
圖 3-18 為 Vin 在不同的共模範圍所做之模擬,可發現第一張圖其所拉 開的高度較其餘來的小,乃是因為當輸入都很低時,因為只有 P 型電流源 提供電流,故其o1、o2 所拉開的範圍會被 P 型電流源及 P 型差動對所限制 住,然而此情況對於設計來說並無影響,因其比較器最後有加一反向器可 將其拉至數位位準。
圖3- 18 比較器之模擬
圖 3-19 為共模輸入對比較器功率消耗模擬圖,此圖所模擬的功率消耗 除包含比較器功率,也包含了比較器所需偏壓電路的功率消耗。
對於比較器偏移量(offset)電壓是直接加在整個 ADC 的偏移量上,而此 比較器之偏移量主要由差分對(differential pair)間之不對稱所造成的,但為 了低功率考量,故在此我們不使用任何偏移消除的技術(offset cancellation technique)。
3.3.4 連續近似暫存器(SAR)
連續近似暫存器乃使用CMOS邏輯電路來完成,其原理似一個簡單的 移位暫存器,但是跟移位暫存器不同之處在於多加一些邏輯電路及多工器 去得到我們所需要的操作。由於我們要實現一個 8 位元的ADC,故最少必 須要有八次循環來解出 8 位元。但因操作時其DAC部分會有瞬間功率的消 耗而導致DAC輸出端(即VBDACB)有瞬間電流的流動,因此VBDACB會有微小的電壓 變化;又因必須對輸入訊號做取樣,故多加一次循環來做這些動作,故我 們使用九次循環來完成一次轉換,表 3-1 為DAC部分中的電容下端控制線 操作表格,其與X[34] X相似。故整個連續近似式類比數位轉換器總共需九個 步驟,第一步先做取樣模式,同時也對DAC部分做重置動作,而第二步至 第九步做保持模式,且依序解出最高位元至最低位元。
表3- 1 連續近似暫存器操作 DAC switch control signal Cycle
S8 S7 S6 S5 S4 S3 S2 S1 Comp
0 0 0 0 0 0 0 0 1 0 0 0 0 0 0 0
DB7B 1 0 0 0 0 0 0
DB7B DB6B 1 0 0 0 0 0 DB7B DB6B DB5B 1 0 0 0 0 DB7B DB6B DB5B DB4B 1 0 0 0 DB7B DB6B DB5B DB4B DB3B 1 0 0 DB7B DB6B DB5B DB4B DB3B DB2B 1 0 1
2 3 4 5 6 7 8
9 DB7B DB6B DB5B DB4B DB3B DB2B DB1B 1
- DB7B
DB6B
DB5B
DB4B
DB3B
DB2B
DB1B
DB0B
圖3-20 為連續近似暫存器架構圖,其動作原理即是一開始先啟動整個 系統之重置訊號(global reset),接著內部的重置訊號(i_reset)產生,將所有的 連續近似暫存器的值設為零,接著再使用一些邏輯電路及多工器產生如表 3-1 的運作,圖 3-21 為圖 3-20 中每一個區塊(block)的接腳,然而在圖 3-21 之多工器之運作有三種模式,即右移、將比較器的輸出值儲存及將記憶目 前暫存器的值,其功能的切換由a 及 b 值所決定,如表 3-2 所示。
LVDD Comp
Q
SETQ
CLR
D
S8 S7 S6 S5 S4 S3 S2
block block block block block block block block
global reset i_reset S1
圖3- 20 連續近似暫存器架構
Q
SET Q
CLR
shift D comp
b
MUX
rst
Q
a
muxout
圖3- 21 區塊(block)接腳圖
表3- 2 多工器之運作
a b Function
0 0 shift
0 1 Comp
1 x Memory b
圖3-22 為模擬 SAR,在第一次轉換,我們假設比較器所得到的輸出均
圖3- 22 SAR 模擬圖