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深寬比(high aspect ratio)及穩定熱傳與化學穩定性質,而且可由成本 便宜、方法簡易的電化學處理來產生大範圍且有一致性的孔洞結構。

將其當作模板並與不同的製程結合,即可製造出各種不同材質且規則 排列的奈米線、奈米管、奈米點或奈米柱等結構。[7-9] 而因其獨特的性 質,可靈活地運用在各種領域範圍,廣及物理、化學、藥學和生物等 方面,故陽極氧化鋁是各方目前探討及研究的重點之一。

4 根離子的離子半徑(0.153 nm)略大於氧離子的離子半徑(0.140 nm),

故其較易於氧化物中移動。[17] 在移動途中,氫氧根離子可能會藉由釋

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2-1 陽極氧化反應示意圖。[10]

(a)附著於基材表面的多質子酸與電解液中之水分子作用產生 氫鍵,(b)因產生氫鍵而減弱水分子中氫與氧之鍵結強度,(c)

氫氧鍵斷裂,若一鍵結斷裂形成氫氧根離子,兩鍵結斷裂則形 成氧離子,所形成之氧離子即和基材行氧化反應。

圖2-2 不同電解液在最佳電壓下所生成 AAO 孔洞的 SEM 圖。[18]

(a)硫酸:10˚C 下,電壓 25 V、,(b)草酸:5˚C 下,電壓 40 V,(c)硫酸:3˚C 下,電壓 195 V。

(a) (b) (c)

6 障層(barrier layer)接鄰著鋁基材,如圖 2-3 所示。[20]

陽極氧化鋁主要製備方法是利用電化學反應,在合適的電解液中將

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圖2-3 陽極氧化鋁側面結構示意圖。[20]

2-4 陽極氧化鋁孔洞間距與施加電壓關係圖。[18]

8 過衝(overshooting)的現象。

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若使其與化學氣相沉積(chemical vapor deposition, CVD)、原子層 沉積技術(atomic layer deposition, ALD)或是電化學方法相結合,其 便具有轉印功能,較電子束及離子束微影製程步驟省時、省力及省錢,

且可大範圍製作。若將模板技術進一步運用到場發射、太陽能電池或 場效電晶體等方面,定會大幅提升其原有的性質與效能。[28,29]

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圖2-5 磷酸電解液環境下陽極氧化的孔洞形成機制示意圖。[23]

2-6 酸性電解液中,定電壓下的陽極氧化鋁處理,其電流密度對時 間之示意圖。[24]

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圖2-7 陽極氧化鋁孔洞之成長機制示意圖。[25]

圖2-8 利用陽極氧化鋁為模板製作不同結構奈米材料示意圖。[27]

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2-2 陽極氧化雙金屬層

近年來,除了利用氣相沉積、原子層沉積和化學方法等與陽極氧化 鋁模板結合來製作奈米材料,許多研究也紛紛指向利用陽極氧化鋁與 金屬墊層(valve metal)。其於 1980 年首由 Pringle 所發現,其可用它 們自我組織的能力來直接成長金屬氧化物的奈米結構。[30,31]而除了其 本身的性質、生長機構研究,可進一步了解氧化物在室溫下成長時,

其離子傳輸(ionic transport)的過程。[23]

2-2-1 氧化鉭 傳輸阻力(ionic transport resistivity)很相近,所以當氧化鋁能障層碰 到底下的鉭金屬層並形成氧化鉭的同時,離子同樣也會傳輸到在氧化 鋁能障層附近尚未反應的鋁金屬處,進而持續反應使得氧化鉭會往側 向發展,當鋁金屬完全被氧化時,側向的離子傳導即停止,此時則決 定了氧化鉭底部的寬度。

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圖2-9 氧化鉭奈米點製作流程示意圖。[32]

圖2-10 氧化鉭奈米柱製作流程示意圖。[38]

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圖2-11 陽極氧化鋁鉭雙金屬層的離子傳輸示意圖。[38]

圖2-12 陽極氧化鋁鉭雙金屬層之成長機制示意圖。[39]

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圖2-13 陽極氧化鋁鈮雙金屬層所生成酒杯狀氧化鈮之 SEM 圖。[39]

(a)平面圖。(b)將 AAO 去除後的橫截面圖,由圖可以觀察 到氧化鈮周圍尚有殘留未反應的鋁金屬。(c)將殘留鋁金屬利 用化學溶液去除掉後的橫截面圖,其氧化物成酒杯狀。

圖2-14 陽極氧化鋁鈮雙金屬層之成長機制示意圖。[39]

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圖2-15 陽極氧化鋁鎢雙金屬層生成氧化鎢之 SEM 橫截面圖。[44]

圖2-16 陽極氧化鋁鎢雙金屬層的離子傳輸示意圖。[44]

圖2-17 陽極氧化鋁鈦雙金屬層生成氧化鈦之 SEM 橫截面圖。[45]

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2-3 光激發螢光

光激發螢光光譜(Photoluminescence, PL)是利用螢光的特性來進 行一種簡單、可靠、快速以及非破壞性的檢測技術,其牽涉到一個由

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圖2-18 雜質所造成的能量差異示意圖。[50]

圖2-19 電子電洞對復合示意圖。[50]

(a)簡單的電子電洞復合(b)包含施子的缺陷帶(c)包含 受子的缺陷帶(d)施子受子對

導帶

價帶 能隙

雜質層

雜質導致減少 的能量差異

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多孔性的矽及奈米碳管來當作其主動層(active layer)。[51-55]

化學性氣體偵測器主要是利用加熱氧化物半導體時,氣體在表面進

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圖2-20 物理性氣體偵測器示意圖。[62]

圖2-21 不同主動層在 103 Pa 空氣中的崩潰電壓比較。[62]

圖2-22 氧化鋅奈米線偵測器在 103 Pa 不同氣體環境下的崩潰電壓。[62]

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