氧化鎢薄膜記憶保持能力穿透率量測

將所測試出來的最佳電沉積參數為在 2V 的電位下沉積一分鐘，薄膜厚 度約為 400 nm 的氧化鎢薄膜，再將其置於電解液中，對薄膜施加 2.5 V 電 位，持續 10 秒鐘，使成為著色態，可測得試片於各波段之著色態穿透率，

接下來切斷電壓，讓氧化鎢薄膜與電解液中的離子自己產生微小的交互作用，

該氧化鎢薄膜中的離子會慢慢的游離出氧化鎢薄膜的結構，使得氧化鎢薄膜 慢慢回復成原本的狀態，並分別在 10、20、30、60、90 及 120 分鐘時紀錄 當下氧化鎢薄膜的穿透率並加以探討。圖 4-18 為未受任何彎曲及溫度效應 影響的氧化鎢薄膜記憶保持能力之穿透率結果，而圖 4-19 為其實際顏色，

也將其結果為基準，比較不同張、壓應力彎曲次數下其記憶保持能力。

圖 4-18 氧化鎢薄膜記憶保持能力穿透率量測

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圖 4-19 氧化鎢薄膜記憶保持能力實際顏色

本小節將對氧化鎢薄膜進行張應力彎曲，分別進行彎曲 50、100、150 及 200 次，每次的彎曲半徑皆為 5 mm，彎曲示意圖如圖 4-20，接下來進行 記憶保持能力探討並分別量測未著色態、著色態、10、20、30 及 60 分鐘的 穿透率，並與圖 4-18 來比較其穿透率結果。圖 4-21-4-28 分別為張應力彎曲 50、100、150 及 200 次的氧化鎢薄膜進行穿透率量測之記憶保持能力及實 際顏色之結果，若仔細觀察會發現彎曲次數越多會使得記憶保持能力衰退，

導致其退色速度越來越快。圖 4-29 及 4-30 是與將未做任何彎曲及溫度效應 影響的及張應力 50、100、150 及 200 次的結果比較，圖 4-29 結果表明在波 長 550 nm 各個時間上比較不同彎曲次數，都會發現隨著彎曲次數越來越多 其穿透率越高，代表氧化鎢薄膜隨著彎曲次數越來越多，導致其記憶保持能 力衰退越來越嚴重。圖 4-30 也表示隨著彎曲次數越來越多其穿透率在相同 的時間下會越來越高，也顯示出隨著彎曲次數越來越多，其記憶保持能力越 來越衰退。

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圖 4-20 對氧化鎢薄膜進行張應力及不同彎曲次數示意圖

圖 4-21 氧化鎢薄膜進行張應力彎曲次數 50 次之記憶保持能力穿透率

圖 4-22 氧化鎢薄膜進行張應力彎曲次數 50 次記憶保持能力實際顏色

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圖 4-23 氧化鎢薄膜進行張應力彎曲次數 100 次之記憶保持能力穿透率

圖 4-24 氧化鎢薄膜進行張應力彎曲次數 100 次記憶保持能力實際顏色

圖 4-25 氧化鎢薄膜進行張應力彎曲次數 150 次之記憶保持能力穿透率

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圖 4-26 氧化鎢薄膜進行張應力彎曲次數 150 次記憶保持能力實際顏色

圖 4-27 氧化鎢薄膜進行張應力彎曲次數 200 次之記憶保持能力穿透率

圖 4-28 氧化鎢薄膜進行張應力彎曲次數 200 次記憶保持能力實際顏色

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圖 4-29 穿透率-張應力彎曲次數之記憶保持能力

圖 4-30 穿透率-時間之張應力記憶保持能力

壓應力彎曲示意圖如圖 4-31，而圖 4-32-4-39 分別為壓應力彎曲 50、100、

150 及 200 次的氧化鎢薄膜進行穿透率量測之記憶保持能力及實際顏色之結 果。圖 4-40 及 4-41 是與將未做任何彎曲及溫度效應影響的及張應力 50、100、

150 及 200 次的結果比較。圖 4-40 表示在各個時間上比較不同彎曲次數，結 果發現與未受到任何彎曲及溫度效應影響的氧化鎢薄膜比較下，其記憶保持 能力是有明顯衰退的。但在任何記憶保持能力的時間下比較任何壓應力的彎 曲次數，會發現其穿透率的差異並不大，表示若再繼續使氧化鎢薄膜受到壓 應力，該氧化鎢薄膜的記憶保持能力將不會再繼續的衰退。圖 4-41 其結果

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指出任何的壓應力彎曲次數下其氧化鎢薄膜的穿透率在任何的記憶保持能 力時間下幾乎重疊，其結果也表示壓應力彎曲次數若增加其記憶保持能力結 果也差異不大。

圖 4-31 對氧化鎢薄膜進行壓應力及不同彎曲次數示意圖

圖 4-32 氧化鎢薄膜進行壓應力彎曲次數 50 次之記憶保持能力穿透率

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圖 4-33 氧化鎢薄膜進行壓應力彎曲次數 50 次之記憶保持能力實際顏色

圖 4-34 氧化鎢薄膜進行壓應力彎曲次數 100 次之記憶保持能力穿透率

圖 4-35 氧化鎢薄膜進行壓應力彎曲次數 100 次之記憶保持能力實際顏色

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圖 4-36 氧化鎢薄膜進行壓應力彎曲次數 150 次之記憶保持能力穿透率

圖 4-37 氧化鎢薄膜進行壓應力彎曲次數 150 次之記憶保持能力實際顏色

圖 4-38 氧化鎢薄膜進行壓應力彎曲次數 200 次之記憶保持能力穿透率

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圖 4-39 氧化鎢薄膜進行壓應力彎曲次數 200 次之記憶保持能力實際顏色

圖 4-40 穿透率-壓應力彎曲次數之記憶保持能力

圖 4-41 穿透率-時間之張應力記憶保持能力

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