第一章 前言
1.2 研究內容
1.2.1 研究目的
本研究目的是評估半導體廠內含氟廢水設施及濕蝕刻機台排水 分流之效能，並依評估內容，進行改善建議，研究項目包括：(1) 濕 蝕刻機臺排水水質與各中間槽水質分析評估 (2) 氟系廢水處理設施 效能評估：氟濃度偵測值差異原因探討、現場操作效能儀器評估、實 廠操作最適條件探討。以上內容詳細描述如下：
1.2.2 濕蝕刻機臺排水水質與各中間槽水質分析評估
24 小時連續採集該廠 17 部濕蝕刻製程機臺之排放水並進行水質 分析，以瞭解水質的變化情形。其中水質分析項目為：pH、導電度、
氟離子濃度及SOB4PB
2-P、POB4PB
3-P等兩項陰離子濃度。並以水質分析資料作 為排水分流與後續操作處理之依據。
1.2.3 含氟廢水處理設施效能評估
(一) 氟濃度偵測值差異原因探討
瞭解線上氟離子電極與科管局採用的實驗室水中氟鹽檢測方法 (氟選擇性電極法，NIEA W413.52A)，兩者間氟離子濃度測值發生差異 的原因。根據科管局所採用的氟離子濃度偵測方法，於實驗室內進行 其與環檢所公告的標準方法之比較，探究兩者測值不同的原因。P (二) 現場操作效能儀器評估
評估含氟廢水處理單元之處理情況，監測各單元處理之過程，再 根據實驗結果，進行實廠試驗，以不同之建議pH 值調整各反應槽，
最後以氟離子電極及鈣離子電極，分析其殘餘氟、鈣離子濃度，並以 此些偵測數值作為評估各反應槽處理效能及加藥合理性之依據。
（三）實廠操作最適條件探討
依含氟廢水處理單元效能評估之結果至實廠進行操作條件實 驗，分別調整實廠各反應槽之pH 值，最後以氟離子分析儀及鈣離子 分析儀，分析其殘餘氟、鈣離子濃度，以找出於實廠條件下，最適之 操作條件。
1.2.4 研究對象
本研究對象為選定新竹科學園區某半導體廠，目前該廠含氟廢水 處理，因放流水質的要求（園區下水道納管標準氟離子 15 mg/L），
常有過量加藥的情形，加藥量常高出理論值甚多；該廠含氟廢水濃度 變化很大，如果能將高、低濃度分流處理，將有助去氟效率提升。該 廠的含氟廢水濃度高可達數萬 mg/L，濃度低則數百 mg/L，pH 值約 2~5 左右，經常伴隨其他陰離子如硫酸根、磷酸根等，該廠主要以硫 酸根為主，這些陰離子會和氟離子一起競爭鈣鹽，造成鈣鹽被消耗，
產生硫酸鈣和磷酸鈣等，影響含氟廢水處理系統之效率。此外該廠含 氟廢水處理系統目前採用化學混凝法與流體化床法兩套設施共同處 理，若有良好的選別分流與正確的加藥控制對於該廠含氟廢水處理是 有幫助的，本研究之方向即是從機台排放分流與加藥控制模式之研 究，並以水質分析機台排放含氟廢水之氟離子濃度、硫酸根濃度、磷 酸根濃度之水質資料作為排水分流的依據，分別排放至化學混凝法與 流體化床法兩套設施，以期逐步提升該廠氟系廢水之處理效能與處理 成本的合理化，此外並評估該廠之含氟廢水處理系統之化學混凝部 分，討論含氟廢水處理系統相關加藥量最適化，並於加藥成本降低的 同時，處理水質亦可符合標準。