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第一章 緒論

1.1 研究背景與動機

數位相機之關鍵零組件—影像感測器(Image sensor),可分為二類:CCD 感測器(電 荷耦合元件影像感測器)與 CMOS 感測器(Complementary metal-oxide semiconductor 互 補性金屬氧化物半導體影像感測器)。過去,CCD 感測器在市場上一直居於領先的地 位。但隨著半導體製造技術的逐漸成熟,CMOS 近年來快速發展,在低階產品上 CMOS 已逐漸取代CCD;未來,CMOS 由於價格、省電及晶片整合度較高等因素,CMOS 將可能取代CCD 成為主流產品。分析目前產業情況,在 CCD 感測器上,日本的技術 仍是處於領先,SONY、Sharp、Panasonic 穩坐寶位;但 CMOS 感測器上,台灣廠商 卻是充滿機會,各半導體大廠無不致力於CMOS 之生產與發展。隨著產能的大量提 升,品質檢測問題亦日趨重要。

傳統晶片與CMOS 影像感測晶片在成本分佈上有很大的差異,如表 1.1 所示,傳 統晶片的製造成本,其中80%是用在前段的晶片生產,15%是用在封裝,另外 5%則 是在測試;但對CMOS 影像感測器而言,晶片生產只占它成本中的 50%,其封裝成 本則高達40%,而測試的比重也提昇到 10%。造成這樣的改變,起因於 CMOS 影像 感測晶片對封裝環境中的落塵控制,較一般晶片嚴格許多,一般晶片對封裝作業所在 之潔淨室要求的等級,大約在Class 10000 到 Class 7000 之間,但對影像感測元件而 言,其標準則須使用Class 100,甚至 Class 10 的潔淨室,因此對後段封裝測試廠而言,

CMOS 影像感測器封裝是一連串技術上的挑戰。

表1.1 傳統晶片與 CMOS 影像感測晶片之成本分佈

目前CMOS 影像感測器所採用的封裝型態,分為 CLCC(Ceramic leadless chip carrier;陶瓷無引線晶片載具)、OLCC(Organic leadless chip carrier;有機無引線晶片 載具)和相機模組式(Camera module)封裝等三種。其中,CLCC 技術用的是以陶瓷 為材料的基板,其結構比較堅固,可承受較高的測試要求,主要應用於封裝尺寸較大

圖1.1 CLCC 封裝技術 CMOS 影像感測器晶片切面圖

圖1.2 OLCC 封裝技術 CMOS 影像感測器晶片切面圖

現今CMOS 製程已進入奈米時代,各大廠均已投入 90 奈米的製程,65 奈米技術 亦已問世,因此對玻璃蓋片品質之要求也更加提升,目前廠商對玻璃蓋片品質之要求 為玻璃瑕疵必須小於5µm 才不至於對成像造成影響,然而目前業界均使用人工檢測,

一般人最小約能看見30µm 的物體,經過專門訓練後可延伸至 20µm;受到這個限制,

因此大多數廠商均使用20µm 作為一個妥協值,但 20µm 與理論上最小規格 5µm 仍有 一段差距。目前一般晶片的封裝良率已可達到99%以上,但在影像感測晶片的組裝生 產,能有90%或稍高一點的良率,就已經是達到高標準。其中重要的技術瓶頸,除了 高等級潔淨室外,另外一個關鍵性技術即是玻璃蓋片潔淨度的問題。目前玻璃蓋片之 檢測乃是在封合的前一步進行,玻璃蓋片可能發生之瑕疵分為以下六種,茲列於表 一,目前業界多以人工進行抽檢,受限於人眼的最小可辨識能力,最小檢測規格定為 20µm,目前人工抽檢有以下幾個主要的問題:

1. 根據廠商的需求,玻璃蓋片上 5µm 的瑕疵即會對 CMOS 的成像造成影響;但目

前受限於人眼的最小可辨識能力,人工檢測僅以20µm 做為最小檢測規格,故人 工檢測在精度上有所不足。

2. 人工檢測費時,增加元件暴露在外的時間,使玻璃蓋片的品質易受環境落塵影 響。

3. 人工檢測受限於成本及檢測速度,只能達到抽檢,無法達到全檢。

4. 檢測人員認定變異性大,易受主觀影響。

5. 由於瑕疵規格逼近人眼極限,且檢測人員必須長時間注視光源,容易因疲累等因 素產生誤判。

近幾年來電腦視覺(Computer vision)的相關技術發展快速,各項技術之應用領 域也漸趨廣泛,自動化光學檢測(Automatic optical inspection,AOI)便是其中之一 的品管技術,因此本研究擬發展出一套適用於CMOS 玻璃蓋片瑕疵之自動視覺檢測 方法,將檢測精度從20µm 提升至 5µm 的理想值,並提昇檢測速度與減少誤判率,達 到100%全檢之理想目標。

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