350 400 450 500 550 600
1:0
350 400 450 500 550 600
1:0
從C組實驗吸收光譜圖(圖4-1)可以得知，未加酸之前的C545T的 吸收波峰在472nm，隨著酸的增加，C545T與更多的酸產生反應，因 此造成C545T的減少，使得C545T吸收波峰減弱。另一方面，隨著酸 的增加，在538nm之處產生一個新的吸收波峰，因此我們可以推論，
此吸收波峰即為新產物的吸收波峰。在0.001%(w/v)C545T加苯磺酸(D 組實驗，圖4-2)方面，亦出現類似的結果，差別僅在於新的吸收波峰 位置在529nm，此差異的原因可能是因加入不同的酸，使溶液的極性 不同所引起。
4-1.2 C545T 濃度的影響
450 500 550 600 650
1:0
450 500 550 600 650
1:0
在C組實驗與D組實驗中，C545T濃度均為0.001% (w/v)。為了觀 察 C545T 的 光 譜 改 變 情 況 ， 我 們 設 定 螢 光 光 譜 儀 的 激 發 波 長 為 400nm，量測後得到下圖 4-5、4-6：
0
450 500 550 600 650
1:0
450 500 550 600 650
1:0
度為0.2%(w/v)時，隨著酸的增加所產生的現象是發光光譜紅位移，
且放光強度大幅的衰減。不論加入的是草酸或苯磺酸，都可觀察到類 似的現象。此原因在於：當酸被加入後，解離帶正電的氫離子，會與 C545T分子上具有未鍵結空軌域的原子產生鍵結，形成新產物。此新 產物在濃度高時彼此碰撞機會增加，容易產生自身淬熄現象，此時會 發生非輻射能量轉移現象,導致放光強度減弱。
觀察C、D兩組的放光光譜圖(圖4-5、圖4-6)可以發現，當C545T 濃度為0.001%(w/v)時，隨著酸的增加所產生的現象是產生了第二個 波峰，且第一個波峰隨著酸的增加而強度減弱。不論加入的是草酸或 苯磺酸，都可觀察到類似的現象。由於C545T的濃度較低，所以形成 的新產物濃度也會比較低，因此不會產生自身淬熄現象。此時處於激 發態的C545T會把一部份的能量轉移給新產物，因此可以看到第二個 波峰的形成。在了解C545T濃度對光譜的影響後，為了避免產生嚴重 的自身淬熄現象，我們選用0.001%(w/v)的C545T，即C、D兩組繼續 討論。
4-1.3 0.001%(w/v)C545T 加酸
450 500 550 600 650
1:0
產物濃度太高的時候，會產生自身淬熄現象，所以使強度減小。另外
500 550 600 650
1:0
4-1.4 能量轉移效率的計算
450 500 550 600 650
C545T 1:15000
nm
intensity
圖 4-9 C 組實驗 1:15000 發光光譜圖
22846，而總發光強度減去C545T的發光強度即為新產物的發光強
入C545T的酸越多時，能量轉移效率隨之降低，其原因在於C545T與 酸作用產生新產物，導致C545T的分子數目減少，因此增加了C545T 與新產物彼此之間的距離。根據Förster和Dexter能量轉移理論，當分 子之間的距離增加時，能量轉移效率會變差，所以可得到此結果。在 以上種種實驗數據中我們可發現，不論加入的是草酸或苯磺酸，所產 生的現象是很類似的，所以我們可以推測此質子化機制適用於不同的 酸。
4-1.5
1H 液態核磁共振量測結果
為了觀察 C545T 在質子化後的電子雲分佈情況，我們把 C545T 溶於 D-THF 中，分別量測有加 DCl 及沒加 DCl 的差別。下圖 4-10 為 C545T 分子結構圖，用以對照下圖 4-11 及圖 4-12 液態核磁共振的 量測結果。
從圖 4-11 及圖 4-12 中可發現，加了酸之後的 NMR 圖譜確實產 生了變化， 可以證明帶正電荷的氫質子確實與 C545T 分子產生鍵結。
圖 4-10 C545T 分子結構圖
圖 4-11 未加 DCl 之 NMR 量測圖
圖 4-12 加入 DCl 後之 NMR 量測圖
4-2 薄膜部分
在薄膜方面，由於C545T需要加入大量的草酸才能使光譜產生改 變，因此成膜後在ITO玻璃的表面上會出現許多草酸的結晶物。此結 晶物為白色，可用肉眼明顯的看出.這代表酸與C545T材料本身已互相 分離形成相分離的現象，與本實驗的目標不符，故在此不加以探討 C545T加入草酸的薄膜特性。
相反的，C545T只需要加入少量的苯磺酸即可使光譜產生改變，
所以不會出現上述的情況。以下我們就以不同濃度的C545T加入苯磺 酸來探討。
4-2.1 0.01%(w/v)C545T 加苯磺酸
0
500 550 600 650 700
1:0
圖 4-15 0.01%(w/v)C545T 加苯磺酸薄膜之 1:1
圖 4-16 0.01%(w/v)C545T 加苯磺酸薄膜之 1:5
圖 4-17 0.01%(w/v)C545T 加苯磺酸薄膜之 1:20
4-2.2 0.001%(w/v)C545T 加苯磺酸
端相對的則較親於THF，所以當C545T與苯磺酸處於某一特定濃度下
450 500 550 600 650
1:0
圖 4-19 0.001%(w/v)C545T 加苯磺酸薄膜之 1:0
圖 4-20 0.001%(w/v)C545T 加苯磺酸薄膜之 1:50
圖 4-21 0.001%(w/v)C545T 加苯磺酸薄膜之 1:100
圖 4-22 0.001%(w/v)C545T 加苯磺酸薄膜之 1:200
圖 4-23 0.001%(w/v)C545T 加苯磺酸薄膜之 1:300
圖 4-24 0.001%(w/v)C545T 加苯磺酸薄膜之 1:400