本研究成功合成四種含多環咪唑側取代基之噻吩–芴共聚物，其 分子量均較 PFO 為低，歸因於引入剛硬的咪唑側取代基阻礙高分子 鏈成長。P1–P4 之單體 M3–M6 與芴單體聚合比例為 1:9，故在 NMR 及 FTIR 量測中，P1–P4 與 PFO 有高度相似的光譜表現。
雖然 P1–P4 分子量較低，但其 Td與 PFO 相差無幾，皆於 400
oC 附近，且於高溫時 P1–P3 比 PFO 有更多的殘留重量，而 P4 殘留 重量與 PFO 所差無幾，顯示引入剛硬的咪唑團基可提高材料之熱穩 定性。於 DSC 量測中，P1–P4 之 Tg遠高於 PFO，有助於元件操作 之耐久性。
所有高分子的吸收光譜無太大差別，可見咪唑團基並不影響主鏈 之吸收；惟 P1–P4 吸收波段比 PFO 為寬，乃因於引入咪唑側取代基 可延伸材料之吸收波段導致。P1–P4 放射光譜皆較 PFO 紅移，證明 咪唑團基可有效延長高分子之共軛長度，其中 P1 薄膜態最大放射峰 更紅移至 510 nm。
咪唑團基可降低 P1–P4 之 LUMO，同樣地，HOMO 也為之下降。
P1 擁有比 PFO 更好的電子電洞注入能力，在相同製程條件下，其元 件效果比 PFO 更佳；P2–P4 之 HOMO 過低造成巨大的電洞注入能 障，不利作為發光層，但具用於電洞阻擋層或電子注入層的潛力。
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此外，將 PFO:P1:MEH 以 300:100:1 wt%混合製備溶液，再經由 塗佈可得到一白光薄膜，並作為發光層製成白光元件，其亮度與效率 分別為 509 cd/m2及 0.20 cd/A，CIE’1931 座標為(0.32, 0.37)。
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