6.1 結論
矽晶片破壞原因有許多原因，在學期間針對不同的時間點與指導教授進 行討論並且獲得改善成效，如表 6.1 所示。在學期間依據指導教授指示的 研究主題進行探討與改善成果的歸納整理表。每一項討論主題都代表矽晶 片破裂持續被改善，矽晶片破裂的良率從原本的 60%提升至 95.31%成功的 改善矽晶片破裂的問題也達成當時所設定的目標。
表 6.1 研究主題及改善成果
本論文可得出下列幾點結論
(1)頂針機構進行頂起矽晶片時由於是接觸式作業，若頂針於裝置時產生 高低現象容易造成頂起矽晶片時產生破壞，而頂針裝置標準作業流程 需被納入生產線作業規模中供作業人員遵循可降低人員裝設頂針的 異常。
(2)吸取矽晶片所使用的吸嘴採用全平面方式可增加吸取矽晶片的強
晶機頂針機構最佳化設計。
6.2 未來研究方向
本論文的研究主旨為探討將矽晶片頂起的頂針機構設計改良，頂針機構 是藉由頂針頂起並且碰觸於矽晶片背面將晶片自膠膜中取出，雖然目前良 率能已達到一定的水準但由於採取接觸性作業方式對矽晶片仍可能有應力 殘留或是接觸性破壞的疑慮。未來將進一步探討非接觸(無頂針式)方式作 業減少矽晶片接觸破壞的問題，對於產出預期會有更大的改善。
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