本論文在電極尺寸上，使用理論模型將既有的的樣品尺寸放大，以符合量測之最小 電流需求；在製程上，將蝕刻接觸層此步驟加入 Multi-Step Etching，提升了製作上的成 功率，亦於樣品隔離之蝕刻步驟改變製程方法，以半切及全切方式取代蝕刻方式，減少 製程步驟；於軟體模擬，使用 COMSOL 模擬軟體將改變尺寸大小的樣品進行比較其電 流密度分佈以評估電流在高聚光倍率時的情況；最後，於製程中將元件實現，並量測連 續倍率之高聚光，亦證實了電極優化後降低串聯電阻之結果。
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士論文。
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附錄
根據表面橫向功率消耗的公式計算，由於電極間距與電流的照顧面積有關，因此 電極間距越大，所涵蓋的面積愈大，而半導體所產生的光電流流至電極被收集的路徑也 愈遠，其造成的消耗功率為三種(電極電阻消耗功率、接觸電阻功率消耗、表面橫向電 阻功率消耗)功率消耗之中影響權重最大，於此，我們於製程最小線寬容許範圍內，設 計了三種相同尺寸(Size=1mm2)、相同遮罩率(S=6%)的三種不同電極間距(P=25m, 100m, 125m)之電極圖形，最後將樣品每顆圖形利用半切技術隔開，最後比較在連續 高聚光下時的特性。圖 5-7 顯示電極間距 25m 的圖形在 120 倍高聚光下擁有較高的短 路電流，圖 5-8 在不同聚光倍率下比較三種電極間距之填充因子特性，由圖可看出於高 聚光倍率時電極間距的差異較明顯，猜測為低聚光倍率時所產生的光電流較小，產生的 串聯電阻效應影響較不明顯，然而隨著聚光倍率提升、溫度提升，電極間距較小的優勢 漸顯，最後在考慮製程上的因素，較密集、線寬較細之電極間距的圖形仍需要考量目前 線寬大小>2m 的限制。
I-V 曲線[Size=1mm2, Pattern=Normal, S=8%, @60x Suns(AM1.5) P=25m, 100m, 125m]
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填充因子[Size=1mm2, Pattern=Normal, S=8%, P=25m, 100m, 125m]