1. TiN 經 850 oC/10 hr 鋁 化 反 應 後 , 鋁 化 層 內 的 生 成 物 為 TiAl3(tetragonal)與 AlN(hexagonal)。
2. TiN 在 1000 oC 下經 0.5~36 hr 鋁化反應後,鋁化層內的生成物為 TiAl3(tetragonal)與 AlN(hexagonal),隨著熱處理時間增加,鋁化層 厚度也隨之增加。
3. TiN 經 1150 oC/10 hr 下之鋁化反應,鋁化層內的生成物除了 TiAl3
(tetragonal)與 AlN(hexagonal) 外,還有少量 TiN(cubic)生成散佈在 鋁化層外側。
4. 在氧化實驗中,經 850 oC 鋁化處理後之 TiN 試片,相較於未經鋁 化處理之TiN,提供了較佳之抗氧化性,因為其鋁化層中有較多的 AlN,氧化形成連續且緻密的 Al2O3保護層。
5. 在氧化實驗中,經 1000 oC 及 1150 oC 鋁化處理之 TiN,其抗氧化 性都很差,因為鋁化層中的 AlN 含量較少,無法提供緻密連續 Al2O3的保護層,而是TiAl3氧化形成TiO2/Al2O3混合層。
47
參考文獻
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50
Table 1 Ti-Al 系統內各相之組成範圍、晶體結構及晶格常數[14]。
Phase
designation prototype
Lattice parameter,nm a b c (a) Not an equilibrium phase.(b)Not shown on the assessed diagram.(c)long-period superlattice (d)Tetragonal.A superstructure of the D022 lattice.
51
Table 2 Ti-N 系統內各相之組成範圍、晶體結構及晶格常數[14]。
Phase Homogeneity
Range,at.%N Pearson
symbol Space
group StrukturBericht
designation prototype Lattice parameter,nm a b c
αTi 0 to 22 hP2 P63/mmc A3 Mg 0.29511(a) 0.46843(a) βTi 0 to 6 cI2 Im3m A2 W 0.3306(a)
Ti2N 33 tP6 P42/mnm C4 Anti-O2Ti
(rutile) 0.4943 0.3036
TiN 30 to 55 cF8 Fm3m B1o NaCl 0.4241
± 0.0002(b)
δ’ 38 tI12 I41/amd Cc Si2Th 0.4198 0.8591
(a)Pure Ti(0 at.%N).(b)50.0 at.%N.
52
Table 3 Ti-Al-N 系統內各相之晶體結構及晶格常數[32]。 Phase Structure
type Pearson
symbol Space
group Lattice parameter,nm a b c
AlNTi2 AlCCr2 hP8 P63/mmc 0.2994 1.361 AlNTi3 CaO3Ti cP5 Pm3m 0.4112
Al2N2Ti3 Al2N2Ti3 hP22 P31c 0.29875 2.335
53
54
55
Table 9 TiN 在 850oC/10 hr 鋁化反應之 SEM/EDS 成份表(at.%)
生成相\元素 Ti Al N
A TiN 55.32 1.24 43.44 B TiAl3 26.66 68.24 5.1
C AlN 3.3 55.8 40.9
Table 10 TiN 在 1000oC/10 hr 鋁化反應之 SEM/EDS 成份表(at.%)
生成相\元素 Ti Al N
A TiN 56.11 0.95 42.94 B TiAl3 24.57 70.93 4.5
C AlN 5.7 56.8 37.5
Table 11 TiN 在 1150oC/10 hr 鋁化反應之 SEM/EDS 成份表(at.%)
生成相\元素 Ti Al N
A TiN 58.11 1.76 40.13 B TiAl3 23.12 72.57 4.31
C AlN 7.7 55.1 37.2
56
Fig. 2-1. Ti-Al 之二元平衡相圖。
Fig. 2-2. Ti-N 之二元平衡相圖。
57
Fig. 2-3. Al-N 之二元平衡相圖。
Fig. 2-4. 1000℃ Ti-Al-N 三元平衡相圖在組成接近二元 Ti-N 系統的 相平衡圖示。
58
Fig. 2-5. Ti-Al-N 三元相圖在 1000℃時的等溫截面圖。
59
Fig. 2-6. Ti-Al-N 三元相圖在 1200℃時的等溫截面圖[19]。
Fig. 2-7. Ti-Al-N 三元相圖在 1300℃時的等溫截面圖[20]。
60
1: vacancy 2: Interstitisl
3: Direct exchange 4: Cyclic exchange
Fig. 2-8. 原子擴散機制圖。
61
Fig. 2-9. 定溫下 α、β 及 γ 相的自由能對組成之曲線圖。
Fig. 2-10. 由 A 與 B 所組成的擴散偶,再某一固定溫度下界面處會 呈現出層狀結構,此結構中每一層都符合相圖中的某一單相區,而 層與層界面處為兩相區。圖中曲線代表界面中元素B 的組成變化。
62
Fig. 2-11. Matano 界面之位置。
Fig. 2-12. 假想之擴散數據曲線。
63
Fig. 3-1. 實驗流程圖。
.
試片製備 鋁化粉末製備
進行各種溫度的 鋁化實驗
進行 1000℃/250 hr 的氧化實驗
界面試片製作 (切割、研磨、拋光)
XRD SEM/EDS 單位表面積之重量變化(△W/A)
64
Fig. 3-2. 鋁化試片製備。
65
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90 100
0 2000 4000 6000 8000 10000 12000 14000
Intensity
2θ
TiN
Fig. 4-1. 反應前 TiN 的 XRD 繞射光譜圖。
Fig. 4-2. TiN 在鋁化反應前之微觀結構圖(SEI)。
66
67
Fig. 4-4. (a)為 TiN 在 850℃/10 hr 鋁化反應後之微觀結構圖(BEI);(b) 為鋁化層局部放大圖(BEI)。
TiN 鋁化層 G1 膠 鋁化層 TiN
擴 散 層 擴
散 層
C
B A
(a)
(b)
AlN
TiAl
368
Fig. 4-5. (a)為 TiN 在 850℃/10 hr 鋁化反應腐蝕後之微觀結構圖 (BEI);(b)為鋁化層局部放大圖(SEI)。
TiN 鋁化層 G1 膠 鋁化層 TiN
擴 散 層 擴
散 層
AlN
(a)
(b)
69
70
Fig. 4-7. TiN 在 1000℃持溫不同時間鋁化反應後之微觀結構圖 (BEI)(a)0.5 hr;(b)3 hr;(c)10 hr;(d)36 hr;(e)為 d 的局部放大圖。
TiN
B A
C
AlN
TiAl
371
depth from surface (micron)
0 20 40 60 80
Al atomic%
0 20 40 60 80 100
0.5hr 3hr 10hr 36hr
Fig. 4-8 TiN 在 1000℃持溫不同時間鋁化反應後的 Al 含量隨距離分佈 之結果。
72
Fig. 4-9. TiN 在 1000℃持溫不同時間鋁化反應腐蝕後之微觀結構圖
(BEI)(a)0.5 hr;(b)3 hr;(c)10 hr;(d)36 hr;(e)為 10 hr 局部放大圖(SEI);
(f)為 36hr 的局部放大圖(SEI)
AlN
TiAl
3TiAl
3AlN
73
74
Fig. 4-11. (a)為 TiN 在 1150℃/10 hr 鋁化反應後之微觀結構圖;(b)為 鋁化層局部放大圖(BEI)。
TiN 鋁化層 G1 膠 鋁化層 TiN 擴 散 層 擴
散 層
AlN
TiAl
3TiN
A C
B (a)
(b)
75
Fig. 4-12. (a)為 TiN 在 1150℃/10 hr 鋁化反應後之微觀結構圖(BEI);
(b)為鋁化層局部放大圖(SEI) (試片經 Kroll reagent 腐蝕)。
TiN 鋁化層 G1 膠 鋁化層 TiN
擴 散 層 擴
散 層
AlN
TiAl
3(a)
(b)
76
Fig. 4-13. Ti-Al 二元介金屬化合物的生成能與溫度的關係。
77
Fig. 4-14. TiN 在 850℃/10 hr 鋁化反應的示意圖。
78
Fig. 4-15. 在 Ti-Al-N 三元相圖表示 850℃/10 hr 鋁化反應之擴散路徑。
850℃/10 hr
79
Fig. 4-16. TiN 在 1000℃/10 hr 鋁化反應的示意圖。
80
Fig. 4-17. 在 Ti-Al-N 三元相圖表示 1000℃/10 hr 鋁化反應之擴散路 徑。
1000℃/0.5~10 hr 1000℃/36 hr
81
Fig. 4-18. TiN 在 1150℃/10 hr 鋁化反應的示意圖。
82
Fig. 4-19. 在 Ti-Al-N 三元相圖表示 1150℃/10 hr 鋁化反應之擴散路 徑。
1150℃/10 hr
83
Fig. 4-20. 各試片在 1000oC 氧化前的外觀(a)純氮化鈦;(b)850℃鋁 化;(c)1000℃鋁化;(d)1150℃鋁化。
Fig. 4-21. 各試片在 1000oC 氧化 50 hr 後的外觀(a)純氮化鈦;(b)850
℃鋁化;(c)1000℃鋁化;(d)1150℃鋁化。
84
weight gain (μg/mm2 )
Time (hr)
Fig. 4-22. 不同條件下經鋁化處理的 TiN 試片,在 1000℃氧化溫度 下,單位表面積重量改變與氧化時間關係曲線。
85
weight gain square(μg2 /mm4 )
Time (hr)
Fig. 4-23. 不同條件下經鋁化處理的 TiN 試片,在 1000℃氧化溫度 下,單位表面積重量改變平方與氧化時間關係曲線。
86
87
Fig. 4-25. 純 TiN 在 1000℃/50 hr 氧化實驗後之微觀結構圖(BEI)。
氧化層 TiN 氧化
G1 膠
TiO
288
89
Fig. 4-27. TiN 經 850℃鋁化處理的試片,在 1000℃/50 hr 氧化後之微 觀結構圖(BEI)。
氧化層 TiN
G1 膠
Al
2O
3TiO
2鋁化試片表面
90
91
Fig. 4-29. TiN 經 1000℃鋁化處理的試片,在 1000℃/50 hr 氧化後之微 觀結構圖(BEI)。
氧化層 TiO2
G1 膠
TiO2/Al2O3
TiO
2TiO
2TiO
2鋁化試片表面
92
93
Fig. 4-31. TiN 經 1150℃鋁化處理的試片,在 1000℃/50 hr 氧化後之微 觀結構圖(BEI)。
氧化層 TiO2
G1 膠
TiO
2TiO
TiO2/Al2O3 2鋁化試片表面
94
Fig. 4-32. TiN 經 850℃/10 hr 鋁化處理後之試片氧化反應示意圖。
95
Fig. 4-33. TiN 經 1000 和 1150℃/10 hr 鋁化處理後之試片氧化反應示 意圖。