本論文研究利用電子束蒸鍍法蒸鍍氧化銦錫(ITO)、鋁(Al)、二氧化矽(SiO2)、
二氧化鈦(TiO2)薄膜於 p-type Si (100)基板上,同時完成MIS元件之光偵測器製作。
藉由光照下電流-電壓之特性、不同波長的光照下電流-電壓之特性、光響應度…等 光電特性量測,以下歸納幾點結論:
1. 此偵測器可有效降低可見光波段之響應度。並可以發現最高峰位在波長 900nm 與 1000nm 且在紅外波段有較好之響應度。900nm 與紅外波段造成 原因為介電層內部、界電層與半導體介面缺陷激發所造成。1000nm 為矽 本身之能隙所造成。 [38]
2. 元件尺寸太小使得接觸面積阻抗低,為了抵擋漏電流只能提高薄膜厚度;
但是薄膜厚度太大,元件對光反應會產生遲緩,光電性質會不明顯。
3. 可改變退火溫度為參數來觀察熱退火後的薄膜之特性,與電流-電壓、電 容-電壓、光響應度之特性。也可製作更多層更多不同材料之薄膜來探討 其光電性質。
4. 可製作更多不同形狀的光罩,探討其形狀對光電性質的影響
5. 未來可換其他電子束蒸鍍方式,例如:準分子雷射濺鍍。因準分子脈衝 雷射濺鍍系統可以方便在較低的溫度下製備高熔點材料的薄膜,可對於 多種高介電材料進行鍍膜。在製作方式不同時可探討,薄膜之性質與電 性研究。
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