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表面電漿共振(Surface Plasmon Resonance, SPR)

表面電漿波(surface plasmon wave)是處於金屬層與待測物之間介面的電磁波,能 藉由外加電子或光子來激發,形成表面電子的共振運動。當入射光在金屬層中,

沿著介面的波向量分量 kx 等於表面電漿波的波向量 kspr,也就是滿足色散條件 (kx=kspr)時,表面電漿波便會被激發出來,形成表面電漿共振(Surface plasmon resonance, SPR)。此激發條件和金屬的折射率、待測物的折射率、波長和入射角 度有關。當表面電漿共振產生時,因入射光的能量被大量耦合至金屬—待測物介 面層,生成表面電漿波,出射光的光強度便會大幅度的衰減,相位亦有相當大的 改變,此時的入射角便稱為共振角(resonant angle)。值得一提的是,只有 p 波才 會在光強度與相位有明顯的變化,s 波則不會有顯著的改變。因此在 p 波的反射 係數隨入射角變化的圖形中,可看到如圖 2.7 和圖 2.8 的趨勢,而 s 波的反射係 數則沒有這樣的現象。圖 2.7 顯示ψ 和入射角度的變化關係,在入射角為共振角 時會有最小值,也就是 p 波的反射光最弱的時候。圖 2.8 則是相位Δ 的變化,在 共振角附近,相位有極大的變化,形成圖中斜率最陡峭的區域。

圖 2.7 ψ 隨入射角變化示意圖 在共振角時有最小值

圖 2.8 Δ 隨入射角變化示意圖 在共振角附近時有極大的變化

由於直接從空氣入射至金屬無法產生匹配 kspr的水平分量 kx,色散條件便不能成 立,因此需借助一些光學元件來製造足夠的 kx。常見的架構有[6]:稜鏡耦合式、

法(Attenuated Total Reflection, ATR),由 A. Otto 提出的架構(如圖 2.9),為稜鏡—

待測物—金屬層的結構。為了使全反射產生的衰逝波能傳達至金屬層以誘發表面 電漿共振,稜鏡和金屬層的間隙需保持極短的距離。然而此距離不易控制均勻,

因 此 後 來 由 E. Kretschmann 提 出 稜 鏡 — 金 屬 層 — 待 測 物 的 架 構 , 稱 為 Kretschmann 結構(圖 2.10)。這種結構只需要適當控制金屬的厚度即可有靈敏的 量測效果,所以是目前很普遍使用的方法。

圖 2.9 Otto 結構 圖 2.10 Kretschmann 結構

一般而言,為了誘發表面電漿共振的現象,必須滿足以下兩個條件:

(1) 入射光在金屬層的水平方向之波向量 kx等於表面電漿波向量 kspr

d m

d m x

spr k c

k ε ε

ε ω ε

= +

=

其中ω 為光的頻率,c 為光速,εm為金屬的介電係數,εd為待測物的介電係 數。

(2) 只有 TM 波(p 波)能誘發表面電漿共振。

接下來將以馬克士威爾方程式(Maxwell equations)與邊界條件證明以上兩點。在 無外加電荷與電流之下,馬克士威爾方程式之二式可寫成

t

H E

= ∂

×

 ε  82(2.56a)

t

E H

− ∂

=

×

 µ  83(2.56b)

假設入射光為平面波且只有單一波長,則電場和磁場可表示為 E =E0exp[−j(k⋅r−ωt)]

84(2.57a) H =H0exp[−j(k⋅r−ωt)]

85(2.57b)

將(2.57a)和(2.57b)代入(2.56a)和(2.56b),可得[13]

kE0 H0 ωµ

=

× 86(2.58a)

kH0 E0 ωε

=

× 87(2.58b)

接著假設光波僅沿著 x-z 平面傳播而無 y 方向分量,如圖 2.11,那麼在金屬層的 TE 模態和 TM 模態的電場向量及磁場向量可分別表示為

TE 模態:

E0m =

(

0,Eym,0

)

88(2.59a) H0m =

(

Hxm,0,Hzm

)

89(2.59b)

TM 模態:

E0m =

(

Exm,0,Ezm

)

90(2.60a)

H0m =

(

0,Hym,0

)

91(2.60b)

同樣的,待測物中的 TE 模態和 TM 模態的電場向量及磁場向量為 TE 模態:

E0d =

(

0,Eyd,0

)

92(2.61a)

H0d =

(

Hxd,0,Hzd

)

93(2.61b)

TM 模態:

E0d =

(

Exd,0,Ezd

)

94(2.62a) H0d =

(

0,Hyd,0

)

95(2.62b)

圖 2.11 金屬層—待測物層示意圖

首先討論 TE 模態的情形。分別將(2.59a)與(2.59b)、(2.61a)與(2.61b)代入(2.58a),

即可得到

另外,TE 模態需滿足邊界條件(boundary condition)

根據色散關係(dispersion relation)

推得 TE 模態無法誘發表面電漿共振。現在改為 TM 模態,將(2.60a)與(2.60b)、

(2.62a)與(2.62b)分別代入(2.58b),得

101(2.67)

另外,TM 模態需滿足邊界條件

將(2.68)代入(2.67),得 d zm

最後把(2.69)代入色散關係(2.66a)以及(2.66b),便能得到

spr

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