第五章 台灣半導體廠 22nm HP 世代微影研發策略選擇分析
5.6 變與定卦
Resolution Y: 1
N: 0 1 光學微影在DP製程下，解析度可以往下延伸至22nm HP Throughput Y: 1
N: 0 1 Scanner廠商提供產量更高之機台
Cost Y: 1
N: 0 0 因為需要兩次曝光，和額外蝕刻及薄膜製程，成本較高
Infrastructure Y: 1
N: 0 1 因為建構在既有製程架構上，配套技術已存在
Technology Barrier Y: 0
N: 1 1 至22nm HP沒有技術障礙 Delivery Y: 1
N: 0 1 因為建構在既有製程架構上，至22nm HP沒有技術障礙 Budget Y: 1
N: 0 1 全球已有多家公司及廠商投入資源開發
R&D man power Y: 1
N: 0 1 全球已有多家公司及廠商投入研發人力開發
Experiences Y: 1
N: 0 1 全球已有多家公司及廠商投入資源開發，累積開發經驗
Resolution Y: 1
N: 0 1 光學微影在DP製程下，解析度可以往下延伸至22nm HP Throughput Y: 1
N: 0 1 Scanner廠商提供產量更高之機台
Cost Y: 1
N: 0 0 因為需要兩次曝光和額外蝕刻及薄膜製程，成本較高
Infrastructure Y: 1
N: 0 1 因為建構在既有製程架構上，配套技術已存在
Technology Barrier Y: 0
N: 1 1 至22nm HP沒有技術障礙 Delivery Y: 1
N: 0 1 因為建構在既有製程架構上，至22nm HP沒有技術障礙 Budget Y: 1
N: 0 1 已投入資源開發
R&D man power Y: 1
N: 0 1 已投入研發人力開發
Experiences Y: 1
N: 0 1 已累積技術開發經驗
EUVL 在這兩年中，主要克服了低功率光源的問題，光阻性能方面也有些進
Resolution Y: 1
N: 0 1 波長為13.5nm，解析度可以往下延伸至16nm HP以下 Throughput Y: 1
N: 0 0 量產機台尚在開發中階段
Cost Y: 1
N: 0 0 認為產出不如預期，會使成本上升
Infrastructure Y: 1
N: 0 1 除光罩相關之外，其他配套技術逐漸開發
Technology Barrier Y: 0
N: 1 0 EUV光源，光罩製作，光罩檢測，光阻特性仍待加強 Delivery Y: 1
N: 0 0 技術障礙短時間無法克服
Budget Y: 1
N: 0 1 國際性研發組織全力開發
R&D man power Y: 1
N: 0 1 國際大廠提供研發人力均參加國際性研發組織
Experiences Y: 1
N: 0 1 國際性研發組織之技術開發經驗累積中
Resolution Y: 1
N: 0 1 波長為13.5nm，解析度可以往下延伸至16nm HP以下 Throughput Y: 1
N: 0 0 量產機台尚在開發中階段
Cost Y: 1
N: 0 0 認為產出不如預期，會使成本上升
Infrastructure Y: 1
N: 0 1 除光罩相關之外，其他配套技術逐漸開發
Technology Barrier Y: 0
N: 1 1 EUV光源堪用，光罩檢測可用晶片檢驗代替 Delivery Y: 1
N: 0 0 技術障礙短時間無法克服
Budget Y: 1
N: 0 1 僅參加國際性研發組織
R&D man power Y: 1
N: 0 1 已重新重組研發組織之研發人力
Experiences Y: 1
N: 0 0 僅有國際性研發組織之技術開發經驗
表 15 轉心知力後 MBEBDW 方案卦之內外心知力 TYPE 陰陽 MBEBDW 方案卦 Notes
Resolution Y: 1
N: 0 1 電子束解析度可以往下延伸至16nm HP以下 Throughput Y: 1
N: 0 0 不認為可以解決量產產出問題
Cost Y: 1
N: 0 0 若無法達成產量量出規模，成本上升
Infrastructure Y: 1
N: 0 1 因為架構於光罩製程架構之上，配套技術已成熟
Technology Barrier Y: 0
N: 1 1 第一台實驗多重電子束微影曝光機(110電子束）已試車 Delivery Y: 1
N: 0 0 不認為技術障礙可以克服
Budget Y: 1
N: 0 0 只有少數公司投資開發MEBDW機台 R&D man power Y: 1
N: 0 0 只有少數公司投資開發MEBDW機台 Experiences Y: 1
N: 0 1 有EB之光罩製程技術開發經驗
Resolution Y: 1
N: 0 1 電子束解析度可以往下延伸至16nm HP以下 Throughput Y: 1
N: 0 1 認為CLUSTER可以解決量產產出問題
Cost Y: 1
N: 0 1 因為不需光罩費用，成本最低
Infrastructure Y: 1
N: 0 1 因為架構於光罩製程架構之上，配套技術已成熟
Technology Barrier Y: 0
N: 1 1 第一台實驗多重電子束微影曝光機(110電子束）已試車 Delivery Y: 1
N: 0 1 認為技術障礙可以克服
Budget Y: 1
N: 0 1 投資MAPPER開發MEBDW機台 R&D man power Y: 1
N: 0 1 投入研發組織人力
Experiences Y: 1
N: 0 1 有EB之光罩製程技術開發經驗
表 16 轉心知力後 Imprint 方案卦之內外心知力 TYPE 陰陽 Imprint 方案卦 Notes
Resolution Y: 1
N: 0 1 Imprint解析度可以往下延伸至16nm HP以下 Throughput Y: 1
N: 0 1 認為可以解決量產產出問題
Cost Y: 1
N: 0 0 1x模具價格昂貴，造成成本上升
Infrastructure Y: 1
N: 0 0 全球支援技術尚未完整
Technology Barrier Y: 0
N: 1 0 模具缺陷和污染問題需要解決
Delivery Y: 1
N: 0 0 認為模具缺陷和污染問題技術障礙非短時間可克服
Budget Y: 1
N: 0 0 只有少數公司投資開發Imprint機台 R&D man power Y: 1
N: 0 0 只有少數公司投資開發Imprint機台 Experiences Y: 1
N: 0 1 業界光罩製程技術開發經驗，可供1x模具使用 Resolution Y: 1
N: 0 1 Imprint解析度可以往下延伸至16nm HP以下 Throughput Y: 1
N: 0 1 認為可以解決量產產出問題
Cost Y: 1
N: 0 0 1x模具價格昂貴，造成成本上升
Infrastructure Y: 1
N: 0 0 全球支援技術尚未完整
Technology Barrier Y: 0
N: 1 0 模具缺陷和污染問題需要解決
Delivery Y: 1
N: 0 0 認為模具缺陷和污染問題技術障礙非短時間可克服
Budget Y: 1
N: 0 0 尚未投資開發Imprint機台 R&D man power Y: 1
N: 0 0 尚未投資開發Imprint機台 Experiences Y: 1
N: 0 1 自有光罩製程技術開發經驗，可供1x模具使用
DP: 111111，乾卦；EUVL: 110100，歸妹卦；MBEBDW: 111010，需卦；以及 Imprint:
001001，艮卦。其中以 DP 的乾卦能量最高，為定卦。查乾卦的九宮格可得乾卦的卦
的位置；然而 MBEBDW 的需卦和 EUVL 的歸妹卦能量分別為 4 和 3，位置在距擴充 易立方中心較遠的位置。
表 17 轉心知力前後方案卦內外心知力與對應卦
力 知 心 力 知 心 力 知 心 力 知 心 DP 1 1 0 1 1 0 兌 1 1 1 1 1 1 乾 EUVL 0 0 0 1 0 0 豫 1 1 0 1 0 0 歸妹 MBEBDW 1 1 1 0 0 0 泰 1 1 1 0 1 0 需 Imprint 0 0 1 0 0 1 艮 0 0 1 0 0 1 艮
2008方案卦 2010方案卦
方案 內 外
對應卦 內 外
對應卦
111111
6 111011
5 11011
4 11111
5 111111 6 111110
5 111010
4 11010
3 11110
4 111110 5 110110
4 110010
3 10010
2 10110
3 110110 4 110111
5 110011
4 10011
3 10111
4 110111 5 111111
6 111011
5 11011
4 11111
5 111111 6
111101
5 111001
4 11001
3 11101
4 111101 5 111100
4 111000
3 11000
2 11100
3 111100 4 110100
3 110000
2 10000
1 10100
2 110100 3 110101
4 110001
3 10001
2 10101
3 110101 4 111101
5 111001
4 11001
3 11101
4 111101 5
101101
4 101001
3 1001
2 1101
3 101101 4 101100
3 101000
2 1000
1 1100
2 101100 3 100100
2 100000
1 0
0 100
1 100100 2 100101
3 100001
2 1
1 101
2 100101 3 101101
4 101001
3 1001
2 1101
3 101101 4
101111
5 101011
4 1011
3 1111
4 101111 5 101110
4 101010
3 1010
2 1110
3 101110 4 100110
3 100010
2 10
1 110
2 100110 3 100111
4 100011
3 11
2 111
3 100111 4 101111
5 101011
4 1011
3 1111
4 101111 5
111111
6 111011
5 11011
4 11111
5 111111 6 111110
5 111010
4 11010
3 11110
4 111110 5 110110
4 110010
3 10010
2 10110
3 110110 4 110111
5 110011
4 10011
3 10111
4 110111 5 111111
6 111011
5 11011
4 11111
5 111111 6
第六章 結論與建議
6.1 研究結論由於在台灣微影方面專家人數不多，加上台灣半導體廠商可以在先進製程跟上 22nm HP 世代的公司也只有一兩家，所以本論文則決定結合易經決策模式，來探討在 22 奈米以下世代，台灣半導體廠商所需採用的最佳微影技術研發策略選擇。
首先，先以易經六十四卦排列為出發，在本論文中發展出三維空間的六十四卦排 列法：易立方，從易立方中可以單一對角線原則輕鬆地看出原本十分難記的六十四卦 間錯綜複雜反復循環關係。再經由新六十四卦能量的定義，配合易立方向四面八方延 伸的特性，可以建構出一個以坤（地）為中心，乾（天）為外，且卦能量由內向外對 稱增加的擴充易立方．以擴充易立方更方便判斷卦間相對能量的關係。
此外，在台灣半導體廠 22nm HP 世代微影研發策略選擇上，也可以不用透過眾多 專家學者的反覆討論，直接應用易經決策模式和擴充易立方即可判斷情境卦和方案 卦，再經由轉心知力，可以在擴充易立方上得卦能量最高的定卦。在本論文台灣半導 體廠 22nm HP 世代微影研發策略選擇的例子中，技術開發初期（2008 年）時，即根據 決策公司內部的狀況以及外部產業技術發展的資訊得知，由 ITRS 所有專家們所選出 最有可行性的微影技術方案大多數尚在評估階段，許多外部資源仍屬不足狀態；況且 決策公司內部對這些新技術的熟悉度不若 ITRS 專家們那麼豐富，是否有能力開發這 些技術仍屬未知的情況下，決策公司的內外心知力情境所產生的情境卦為 75 漸卦。由 此情境卦 75 漸卦和其錯綜複雜卦（74 小過，24 歸妹，25 中孚）的九宮格得知，這幾 個卦象和卦意均說明在評估初期宜小心謹慎，觀察各個新技術發展後，再做判斷。
根據第一次的內外心知力分析，可以得到各方案在 2008 年開發初期的第一次方案 卦分別對應為 DP 兌卦；EUVL 豫卦；MBEBDW 泰卦；Imprint 艮卦。其中以 DP 的兌 卦能量最高。查兌卦的九宮格可得兌卦的卦象原文和卦辭原文均支持推該方案 DP 時 需和兌，說話溝通心志。經過兩年的技術發展和轉心知力的結果，可以得到在 2010 年 時新的方案卦為 DP 乾卦；EUVL 歸妹卦；MBEBDW 需卦；以及 Imprint 艮卦。其中 以 DP 的乾卦能量最高，為定卦。查乾卦的九宮格可得乾卦的卦象原文和卦辭原文均 支持該方案 DP 可以剛健推展。
以上應用易經決策模式和擴充易立方在台灣半導體廠 22nm HP 世代微影研發策略 選擇例子，的確說明了易經決策模式可以有效地解決多方案型的決策，而且中國千年 以來所流傳下來的易經資訊，如卦象原文和卦辭原文，還有其重視大原則的把握及個 人參與，容許相當成分的主觀理想之精神[42]，亦可以應用在現代科技的選擇之用，
可見中國人老祖先們的智慧結晶是何等深奧。
6.2 建議
對於管理方面的建議可以歸納為以下幾點：
1. 本論文中的個案公司為技術領先者，先期跨入不確定因素過多的技術選擇環境當 中，一定要有一明確的決策模式幫助其做資源分配的決定，否則，資源過於分散，
難達有效資源運用的成效。易經決策似乎是個不錯的選擇，尤其是針對台灣環境找 不到眾多專家學者來進行專家會議或是德菲法問卷調查時，易經決策可以做為另一 個可行的方案。既考慮了自家公司的情形，也將國際間的發展狀況納入考量當中，
比起自己閉門造車要好得許多。
2. 本論文中所使用的 ITRS 國際半導體技術藍圖已經將可能的技術選項經 ITRS 專家 們討論後縮小成非常精簡的範圍，這使得易經決策的方案數量少了許多。但在其他 情況中，未必可以找到類似的技術藍圖，來做事前的縮小範圍，那麼就必需在資料 收集上多費點功夫，以便得到更完整的資訊以供判斷之用。否則不足的資訊會造成 判斷的誤差，以致浪費公司寶貴資訊。
3. 新技術的開發並非一朝一夕即可完成，而在本論文中兩次方案卦轉心知力的時間設 為兩年，因為在技術開發初期，技術的進步十分緩慢，等到後期時較可能有爆炸性 的進展。因此，如何在易經決策模式中選擇轉心知力的時機，也會隨著個案情況不 同而異。當然，如果可以電腦資訊化，可以把每一個技術演變的事件都即時輸入電 腦，由電腦直接做轉心知力的動作。
4. 如何定出適當關係心知力的問題，也會隨著個案情況不同而異。本論文中是以微影 技術開發所需考慮到的因素，納入心知力問題當中，其中包括了技術的解析度是否 可以達成製程需求，技術的產出是否可以達成量產需求，技術是否為最合乎經濟效 益的技術，技術之相關配套技術，技術開發障礙，技術開發障礙是否可以如期排除，
是否有足夠資金人力知識來研發等等。
5. 對於其他台灣半導體公司而言，不像個案公司成為技術領先者，而是技術的跟隨 者，如此，技術預測的重要性似乎沒有那麼地重要。但在半導體行業中的摩爾定律
5. 對於其他台灣半導體公司而言，不像個案公司成為技術領先者，而是技術的跟隨 者，如此，技術預測的重要性似乎沒有那麼地重要。但在半導體行業中的摩爾定律