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非一般真空熱蒸鍍設備製作漸進式結構

一、 緒論

1.4 漸進式結構相關文獻

1.4.2 非一般真空熱蒸鍍設備製作漸進式結構

日本山形大學的 J. Kido 教授在 SID 2008 的會議上發表了紅色磷光漸進 式元件。如圖 1-22 所示,製程方法使用非傳統的真空熱蒸鍍設備,有別於 一般分別為固定式基板與蒸鍍源的機台,其控制元件基板在二個蒸鍍源之 間移動,改變基板與蒸鍍源之相對位置,造成蒸鍍速率的瞬時變化,即可 製作漸進式結構。作者分別製作了傳統異質接面 (Hetero)結構與漸進式 (Graded)結構,其結構分別為 Hetero: ITO/MCC (20 nm)/ NPD (30 nm)/ BAlq:

3%Ir(piq)3 (20 nm)/ BAlq (30 nm)/Liq/Al 及 Graded: ITO/MCC (20 nm)/ NPD (30 nm)/ NPD (30 nm): 3%Ir(piq)3: BAlq (50nm) /Liq/Al。實驗結果如圖 1-23,

Graded 元件不論在操作電壓、功率效率、外部量子效率之表現皆優於 Hetero 元件,而元件之操作壽命更由 100 小時大幅提升至超過 20000 小時[25]

圖 1-22、傳統蒸鍍與行進中蒸鍍方法比較

(a)

over 20000 h over 330000 h

@1000 cd/m2

Normalized Luminance (a.u)

Time (h)

2009 年 F. Lindla 等人使用有機氣相沉積(organic vapor phase deposition, OVPD)法來製作線性變化的漸進式(linearly cross-faded, LCF)結構,如圖 1-24,作者以 CBP 及 TMM004 為主發光體材料,將紅色及綠色磷光客發光 體依序摻雜至發光層內,並改變紅、綠客發光體在發光層所摻雜的比例範 圍來調整發光顏色,再進一步與雙主發光體 (mixed-host, MH) 結構比較。

實驗結果由表 1-2 可知,LCF 元件普遍比 MH 元件擁有較佳的電流與 功率效率,而調變紅、綠客發光體比例發現,LCF 元件之外部量子效率皆 維持在約 16%,而 MH 元件之外部量子效率皆低於 12%。作者認為由於 LCF 的結構使電洞、電子之再結合區侷限在 HTL/EML 接面到發光層中間的範圍 內。當激發子擴散往陽極方向時,則會被紅色客發光體所利用,若往陰極 方向,也會被其它綠色客發光體利用,使得元件的外部量子效率能高於 MH 元件。作者更提出在 MH 結構方面,使用二種不同傳輸特性的主發光體共 同均勻摻雜,會使得分子與分子彼此之間的距離增加,造成發光層的載子 遷移率下降、電壓上升。而靠近陽極端的區域,通常電子已經消耗完畢而 不需電子傳輸材料的傳導,相較於 MH 系統過多未複合的載子,LCF 結構 更能減少這不必要的電壓[26]

此外,作者也在其他文獻發表了紅色磷光 LCF 元件操作壽命的測試,

雖然 LCF 元件之效率仍然高於 MH 元件,但元件操作壽命卻與傳統異質接 面元件相當,甚至還低於 MH 元件,如圖 1-25 所示[27]

圖 1-24、(a)雙主發光體黃光元件 (b)漸進式黃光元件[26]

表 1-2、雙主發光體元件和漸進式元件效率比較[26]

圖 1-25、磷光紅光元件操作壽命量測[27]

S. Lee 等人在 SID 2012 發表了利用線性漸進式結構(linearly-graded mixed host, LGM)來改善藍色磷光 OLED 元件[28]。如圖 1-26 所示,有別於 傳統的熱蒸鍍製程,為了確實的製程 LGM 結構,他們設計了一種可即時性 移動的新型坩鍋模組,並驗證此蒸鍍系統在鍍率感測上的準確度[29]

圖 1-27 為藍色磷光元件的能階圖,其中虛線部分為發光層所分布的範 圍,而實驗部分主要以線性漸進式結構(LGM)與雙主發光體結構(UM)比較,

改變藍色磷光客發光體摻雜在發光層中的位置及範圍,觀察其效率變化,

探討 LGM 結構與 UM 結構在發光層中的再結合區域之消長關係。

而實驗結果方面,由圖 1-28 的元件(C)及元件(D)可知,當分別在發光 層靠近電洞傳輸材料及電子傳輸材料一端減少客發光體的摻雜量時,元件 (D)相較於元件(C)的外部量子效率急劇下降,表示電洞、電子之再結合區在 發光層內比較接近電子傳輸材料一端。

從圖 1-29 可發現,當分別減少 LGM 與 UM 元件在接近電子傳輸材料 一端之客發光體的摻雜範圍後,UM 元件效率下降的幅度明顯大於 LGM 元 件,作者推論由於 LGM 結構讓電荷在發光層中更加平衡,並且有效的驅使 載子之再結合區域向發光層的中心位置移動,降低激發子在 EML/ETL 接面 上產生淬熄的機率,因此能有效的提升元件效率。

圖 1-26、S. Lee 等人所設計之坩鍋模組[29]

圖 1-27、藍色磷光元件之能階圖[28]

圖 1-28、外部量子效率與電流密度關係圖[28]

圖 1-29、(a)LGM (b)UM 元件效率量測圖[28]

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