4.2.2 不連續電流導通模式(DCM)的分叉現象參數實驗與結果分析
實驗的過程中，相關參數值要維持不變( R =50 Ω 、 L =3.92mH、C=33μF、
T =0.69msec、 A =2.5、s V =7.5v)。在實驗過程中，我們希望模擬結果與實驗結i 果都能出現單週期、雙週期、三週期、四週期、混沌現象等，所以我們利用示 波器擷取出 Vramp與Vcon波型來相互比對結果，其中第5 腳 Vramp代表TL494 PWM IC 所產生的斜波函數，第 3 腳Vcon為誤差放大器之輸出，也就是輸出電壓回授 與參考電壓比較後再放大的值。
(1) 輸入電壓VI的分叉特性實驗(DCM)
當要進行輸入電壓VI之分叉特性的分析，在實驗中只需改變輸入電壓VI的值，
輸入電壓VI之值從6V 升到 15V 來進行實驗，當VI改變從6V 到 7.7V，是單週之行 為，如圖4-25，當VI上升到≈ 7.8V，是雙週期之行為如圖 4-26。接著上升到 12V 時 系統四週期之行為如圖4-27 所示，當V =12.5V 以上時出現混沌現象，如圖 4-28。 i
圖 4-25 Vramp-IL-Vcon單週期軌跡 (VI=7.7v) 圖 4-26 Vramp-IL-Vcon雙週期軌跡 (VI=7.8v)
圖 4-27 Vramp-IL-Vcon四週期軌跡 (VI=12v) 圖 4-28 Vramp-IL-Vcon混沌現象軌跡 (VI=12.5v)
(2) 濾波電感L的分叉特性實驗(DCM)
當要進行濾波電感 L 之分叉特性的分析，在實驗中只需改變濾波電感 L 之的 值，濾波電感 L 之值從 0.5mH 升到 8mH 來進行實驗，當 L 改變從 8mH 到 0.8mH 時，是單週之行為，如圖4-29，當 L 下降到≈ 0.806mH 時，是雙週期之行為如圖 4-30；
當 L 下降到≈ 0.636mH 時，是混沌之行為，如圖 4-31。
圖 4-29 Vramp-IL-Vcon單週期軌跡 (L=4.452mH) 圖 4-30 Vramp-IL-Vcon雙週期軌跡 (L=0.806mH)
圖 4-31 Vramp-IL-Vcon四週期軌跡 (L=0.636mH)
(3) 濾波電容C的分叉特性實驗(DCM)
當要進行濾波電容C之分叉特性分析，只須改變濾波電容C的值，其相關參數
值要維持不變。C改變的範圍為從5uF 到 40uF；開始是單週期輸出，圖 4-32；C繼 續下降到17uF 時發生些微的分叉行為，分叉為雙週期之行為，如圖 4-33；C=11uF 時，出現四週期之行為，如圖4-34；C=10uF 時出現混沌軌跡行為，如圖 4-35。
圖 4-32 Vramp-IL-Vcon單週期軌跡 (C=17.5uF) 圖 4-33 Vramp-IL-Vcon雙週期軌跡 (C=17uF)
圖 4-34 Vramp-IL-Vcon四週期軌跡 (C=11uF) 圖 4-35 Vramp-IL-Vcon混沌現象軌跡(C=10uF)
(4) 輸出負載R的分叉特性實驗(DCM)
當要進行輸出負載 R 之分叉特性分析，只須改變輸出負載 R 的值，其相關參數 值要維持不變。R 改變的範圍為從 5Ω 到 60Ω；一開始 R =40~60Ω 時是單週期輸出，
如圖 4-36； R 下降到 40Ω 時開始發生些微的雙週期分叉行為，圖 4-37；接者 R 下 降到10Ω 時，又發生單週期輸出之行為，圖 4-39。
圖 4-36 Vramp-IL-Vcon單週期軌跡 (R=60Ω) 圖 4-37 Vramp-IL-Vcon雙週期軌跡 (R=40Ω)
圖 4-38 Vramp-IL-Vcon雙週期軌跡 (R=20Ω) 圖 4-39 Vramp-IL-Vcon單週期軌跡 (R=10Ω)
(5) 回授增益A的分叉特性實驗(DCM)
當要進行回授增益之分叉特性分析，只須改變回授增益 A 的值，其相關參數值 要維持不變。 A 改變的範圍為從1.1 到 5；一開始 A =1.1 時是一單週期輸出，如圖 4-40；A 上升到 2.5 時開始發生明顯的分叉行為，分叉行為開始的是雙週期之行為，
如圖4-41；接者 A 上升到 3 時，發生四週期之行為，如圖 4-42；接者 A 上升到 4 時，
發生混沌現象之行為，如圖4-43。
圖 4-40 Vramp-IL-Vcon單週期軌跡 (A=2) 圖 4-41 Vramp-IL-Vcon雙週期軌跡 (A=2.5)
圖 4-42 Vramp-IL-Vcon四週期軌跡 (A=3) 圖 4-43 Vramp-IL-Vcon混沌現象軌跡 (A=4)
(6) 切換週期Ts的分叉特性實驗(DCM)
T 改變的範圍為從 0.25ms 到 3ms；一開始s T =0.45~0.91ms 時是單週期輸出，s 如圖4-44；T 上升到 1.0ms 時開始發生雙週期分叉行為，如圖 4-47；接者s T 上升到s 1.81ms 時，開始發生四週軌跡分叉行為，如圖 4-48；接者T 上升到 2.91ms 時，開s
始發生混沌軌跡，如圖4-49；相反的T 下降到 0.4ms 時，亦發生雙週期分叉行為，s 如圖4-45。
圖 4-44 Vramp-IL-Vcon單週期軌跡 (Ts=0.45ms) 圖 4-45 Vramp-IL-Vcon雙週期軌跡 (Ts=0.3ms)
圖 4-46 Vramp-IL-Vcon單週期軌跡 (Ts=0.91ms) 圖 4-47 Vramp-IL-Vcon雙週期軌跡 (Ts=1ms)
圖 4-48 Vramp-IL-Vcon單週期軌跡 (Ts=1.81ms) 圖 4-49 Vramp-IL-Vcon雙週期軌跡 (Ts=2.91ms)