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在本章中,我們將介紹磁性材料相關的理論以及鐵磁層/反鐵磁層的結構。

第一節我們介紹磁區結構及其影響的各種能量;第二節我們介紹磁矩的翻轉形式 及其模型;第三節我們介紹鐵磁/反鐵磁層的雙層結構;第四節我們將介紹異向 性磁阻(AMR)理論。

2-1 磁區結構與能量

鐵磁特性中有所謂磁區(magnetic domain),磁區的起源於鐵磁物質本身能量 的自然分佈狀態將內部自動分成許多小區域[2],在同一磁區內磁化方向是一致 的,不同磁區間的磁化方向不同且呈混亂化,故互相抵消,平常感覺不到它有磁 性,只有在磁場內加以磁化,打破磁區之混亂狀態,才能感受到它的強磁性。

各磁矩方向不同的磁區之間由磁壁(domain wall)所隔開,因相鄰兩磁區之磁 矩方向不同,磁矩會在磁壁中作連續的空間分佈,依據磁矩連續分布的方向可以 分成bloch wall 和Néel wall,如圖2-1所式,在bloch wall,磁矩的方向為垂直兩磁 區平面;Néel wall則是平行兩磁區的平面。

圖 2-1 不同的磁壁示意圖:左圖為Bloch wall;右圖為Néel wall [3]。

磁區結構在無外加磁場的情況下,會與材料形狀及尺度大小有密切的關係。

尺寸較大的塊材或薄膜通常形成多磁區(multi-domain)結構,而尺度較小且形狀 較特殊薄膜由於各種能量的平衡,會使磁區做接近單磁區(single domain)或是漩渦 狀(vortex) [4][5]..等各種有一定規律的方式排列。圖2-2為不同磁區的結構示意 圖:

圖 2-2 不同磁區的的結構示意圖,從左到右依序為漩渦狀(vortex)、單磁區(single domain)、多磁區(multidomain)。

磁區結構是由整個系統能量所決定,一個穩定的磁區分佈即是最低能態的表 現[6],換言之,物質的總能量決定了磁區的結構。實際上所考慮的能量有些是 材料本身的特性,例如本身飽和磁化強度和晶格結構,這些特性會與材料種類及 樣品在製作過程中的沉積(deposition)方式有關[7];而其他外在影響因素,例如外 加磁場強度及方向,樣品的大小及形狀以及電子自旋間存在的交互作用力也是影 響能量的重要因素。

影響磁區的主要能量[8]包括交換能(exchange energy)、基曼能量(Zeeman energy)、磁彈性能(magnetoelastic energy)、晶格異向性能(magnetocrystalline anisotropy energy)、靜磁能(magnetostatic energy)、形狀異向性能(shape anisotropy energy),以下我們逐一的來做介紹。

2-1. 1 交換能(exchange energy)

在量子理論中磁矩的主要貢獻來自於原子中電子的自旋,不同的自旋電子彼 此間會產生交互作用力(exchange force),所產生的能量即為交換能(exchange energy),交換能的大小可以由Heisenberg model考慮,

i , j

兩原子的電子其自旋分 別為

S

i,

S

j,則交換能為[6]:

E

ex

= 2 − J S

i

S

j (2-1) 其中J是交換積分常數,與第i第j個原子的電子分布有關,不同磁性材料有不同的

J,一般來說,鐵磁性材料J>0;反鐵磁材料J<0。此能量在鐵磁材料中當電子的 自旋全部平行排列時能量為最小值,磁矩會呈現單一方向的磁化;相反地,在反 鐵磁材料相鄰原子的電子自旋全部反平行排列時能量為最小值。

2-1. 2 基曼能量(Zeeman energy)

基曼能量是指磁矩在外加磁場下所產生的能量,磁矩在外加磁場下會受到一 個力矩使之偏向外加磁場的方向,當外加磁場達到該材料的飽和磁場後,樣品內 所有磁矩會與外加磁場平行基曼能量的數學式如下[8]:

E

Z =−

M

H

(2-2) H 為外加磁場,M 為磁化向量,由此可見矩磁平行外加磁場時,此能量為最小值。

2-1. 3 磁彈性能(magnetoelastic energy)

磁致彈性現象主要發生在基板受一應力而產生一應變[9],此應變與樣品的 生長及製作過程有密切的關係。樣品與基板如果晶格結構不同,會產生不匹配的 現象,使樣品會受一應力差Δσ,因應力差導致的磁致彈性異向性能為[9]:

E

me

= λ Δ

s

σ 2

3

(2-3)

λs為飽和磁致伸縮係數,主要跟樣品材料的晶格不匹配有關。

這項能量主要決定於不同物質間的晶格排列,所以跟材料的不同和沉積的方 式有著密切的關係,一般來說,這項能量對多層膜結構會比單層結構影響來大。

2-1. 4 晶格異向性能(magnetocrystalline anisotropy energy)

不同的磁性材料有不同的晶格結構,晶格排列方式會使電子的自旋軌道交互 作用(spin-orbit interaction)產生差異,導致能量不同,影響磁矩沿著固定的晶軸方 向做磁化,這種能量我們稱為晶格異向性能(crystalline energy)。

對於六角形晶體(hexagonal crystal)結構,晶格異向性能可表示成[8]:

E

m

= K

0

+ K

1

sin

2θ

+ K

2

sin

4θ (2-4) K0、K1、K2,……是晶格異向性常數,單位為 erg/cm3,θ為磁化方向與晶軸c軸 的夾角。

如2-3所示,hcp結構在其易磁軸方向飽和磁場較小,1000 Oe的磁場就能使 所有磁矩平行c軸,反之在難磁軸上磁矩緩慢的被磁場推向磁場方向,一直到 10000 Oe仍尚未完全飽和。

圖 2-3 hcp結構Co磁化強度和磁場關係圖,如插圖所示,C軸 [0001] 即為易 磁軸[10]。

2-1. 5 靜磁能(magnetostatic energy)

磁性物質本身因磁荷的堆積而會在空間中產生磁場,抵銷此空間中磁場所需

的能量我們稱為靜磁能,又可稱為去磁能(demagnetization energy)。假設在一磁 性物質中,單位體積的磁化向量為M,而Hd為磁偶極矩所造成的磁場,則靜磁能 (去磁能)可表示為[11]:

E

= ∫v

H

d

M dv

2

μ

0

(2-5)

2-1. 6 形狀異向性能(shape anisotropy energy) 負號代表去磁場與磁化方向相反,Nd為去磁係數(demagnetizing factor),不同的樣 品形狀會影響去磁係數的大小。

) 1 ]

我們實驗上所做的平板線,aspect ratio m 為一個重要的參數,在無外加磁場

m為aspect ratio,q為Bessel function’s solution

q=1.8412+0.48694/m-0.11381/(m2)、

Ms為該材料的飽和磁化強度、C為交換常數(exchange constant)。對於Co而言,參 數如下:Ms=1440

erg/cm 3 at 10K

C=1.3x10 -4 erg/cm。

1.2 μm時,我們預測其零磁場下應為多磁區分佈;反之線寬小於1.2 μm時,其所 有磁矩排列同向為單磁區分佈。

2-2 磁矩翻轉

2-2. 1 概述

在外加磁場下磁區結構會發生變化,至於磁區的結構是怎麼發生變化?磁區 是由磁矩的排列所組成,所以磁矩的變化就會造成磁區的變化,磁矩變化的過程 我們稱之為 ”翻轉"。

近幾年愈來愈多人投入磁性結構的研究,對於磁性薄膜及塊材的翻轉機制已 有很多文章做探討,對於aspect ratio較小偏向多磁區(multidomain)的翻轉形式大多 解釋成磁壁的形成擴張及消失(nucleation or annihilation of domain wall);對於aspect ratio較大單磁區(single domain)的翻轉形式則有三種形式,分別為coherent

rotation、curling rotation 及buckling。

圖 2-8 單磁區三種不同翻轉的形式示意圖[14],左圖為coherent,中間類3D圖為 curling,右圖為buckling。

Coherent rotation是指在翻轉的過程中,每個磁矩會做同調性排列,每個磁矩 都翻轉一樣的方向及角度,如圖2-8左圖所示,在一瞬間整體的磁矩都指向一致 性的方向;curling rotation 是在一個垂直向上的平面上磁矩會依序呈現逆時鐘方

向的排列,如圖2-8中間類3D圖所示;右圖buckling則是磁矩的分佈呈類似一個S 型的波形分布。

磁矩會做哪種形式的翻轉,主要取決於交換能和去磁能的大小,當磁矩均為 平行排列,交換能為最低,磁矩會以coherent rotation做翻轉,而當aspect ratio增 大時,去磁能漸增進而主導,磁矩則會選擇curling rotation。在橢球模型中,當 易磁軸(easy axis)與外加磁場平行時,則其coherent rotation及curling rotation的交界 半徑長度為[8]: q為Bessel function’s solution,Ms為該材料的飽和磁化強度,C為磁交換勁度常數 (exchange stiffness constant)。

由上面公式,我們知道當r>rc時,磁矩翻轉會選擇curling rotation型式;當r<rc

時,磁矩翻轉為coherent rotation[15]。由此我們可以用橢球模型算出其交界的半 徑長度來預測其可能的翻轉形式。

至於buckling 的翻轉形式介在coherent rotation及curling rotation兩者之間且 只會發生在很小的尺度範圍內,一般來說不易觀察到其變化,但是也有人依據 Aharoni的理論模型去做計算來探討最有可能的S型波狀翻轉[16]。

圖2-9為不同粒子的直徑與磁矩翻轉時磁場的關係圖,由圖中我們可以看到

最大的Hsw(switching field)出現在dth<D<dcrit之間,在此區間粒子主要呈現著single domain的特性並且磁矩會做coherent rotation,考慮橢球粒子的形狀異向性及材料 的晶格異向性,我們可以算出最大的瞬間翻轉場為:Hsw=(Na-Nc)Ms+2Ku/Ms。當 D<dth,Hsw會迅速的下降,主要原因是粒子小於某個尺寸

外加場產生的磁取向力太 小而無法抵抗溫度造成的熱擾動

而導致其磁化性質變成與順磁體相似,我們稱為超順 磁性(超順磁性並不是我們主要討論的範圍);當

dcrit<D<Dcrit之間,樣品的特性一樣 是single domain的特性,但是Hsw已不是最大值,在此區間磁矩的翻轉有兩種形式,

一種是curling rotation,Hsw會跟D有著-2次方的關係開始下降;另一種是buckling(虛

線部份),Hsw會跟D有著-2/3次方的關係做下降,一般大多認為翻轉形式為curling rotation,但也有人依據Aharoni的理論模型去解Brown方程式,認為翻轉形式應該 是buckling[16];當D>Dcrit時,粒子的特性開始出現多磁區(multidomain)的特性,

磁矩的改變方式受到磁壁(domain walls)產生和消失的影響已不再是明顯的變 化,而是做緩慢的改變,我們稱此區的Hsw為coercivity,Hsw會在D>Dcrit附近迅速下 降,代表著磁壁的形成改變了翻轉的型態。

H sw

(Na-Nc).Ms

2Ku/Ms

圖 2-9 不同粒子的直徑D與磁矩翻轉時磁場Hsw(switching field)的關係圖,Na

與Nc為橢球粒子短軸和長軸的去磁係數,Ku為形狀異向性常數,dcrit

coherent rotation及curling rotation的交界半徑,Dcrit為single domain 和 mulitdomain的交界半徑,dth為超順磁性(superparamagnetism)與鐵磁性 (ferromagnetism)的交界[11]。

2-2. 2 Stoner Wohlfarth Model -Coherent rotation

Stoner-Wohlfarth Model 可以用來計算和解釋 coherent rotation,它主要是考慮 形狀異向性能和外加磁場所造成的基曼能量(Zeeman energy),當橢球模型上φ 及

θ

分別是磁化向量與外加磁場對易磁軸方向的夾角時(圖 2-10)

M H

φ θ

Easy axis

圖 2-10 Stoner-Wohlfarth Model 下橢球模型磁化向量與磁場夾角的示意圖。

我們可以把能量寫成下列式子: 我們可以令 m=M/Ms (reduced magnetization),又M=Mscos(θ-φ),所以m=cosθ代 入上式又可簡化成:

我們可以解出m與h的函數關係來得到磁滯曲線(圖2-11)。由圖我們可以看到當θ

=00時,m-h圖呈現的磁滯曲線為方方的,h值較大;而θ開始增加時,曲線開始 慢慢變的慢慢有點類似圓弧,h值較漸少;當θ=900時,曲線變成了一條斜直線,

而此時的h值為0。

圖 2-11 利用公式(2-15)計算出不同的外加磁場與易磁軸的角度θ的m-h曲線圖,

左圖由外而內分別為θ=00,50,300,450,600,700,850,900,右圖為θ=00,300,600,900

時各別的m-h曲線圖[8][11]。

我們接著討論磁矩的翻轉變化大小,定義方式為下:磁矩翻轉變化為最大時 外加磁場的大小,我們稱之為Hsw(switching field)

因此我們可以由

= 0

h

m

2 0

2 >

θ

E

計算出

h sw

θ

的關係式:

h

sw =(cos2/3

θ

+sin2/3

θ

)3/2 (2-17) 由上式我們可以畫出圖2-12所展現的星狀圖(asteroid),在θ=0°, 90°, 180°,270°時有 最大值 hsw有最大值;而在θ=45°, 135°, 225°, 315°則 hsw 有最小值。

0 30 60 90 120 150 180 210 240 270 300 330 360

圖 2-12 左圖中實線部份即的Stoner-Wohlfarth畫出來的星狀圖(asteroid),x軸代表

圖 2-12 左圖中實線部份即的Stoner-Wohlfarth畫出來的星狀圖(asteroid),x軸代表

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