第二章 降壓型電源轉換器原理介紹
2.1 直流-直流降壓型轉換器簡介
2.1.2 切換式穩壓器
切換式穩壓器結構上比起線性穩壓器較為複雜,最基本的切換穩 壓器結構須一個電晶體做為開關,一個二極體,一個電感器和一個電 容器作為電能儲存元件。透過控制電晶體開關模式的不同可分為兩 類:一種為固定工作頻率,調整電晶體導通時間長短,改變工作週期 (Duty Cycle),也就是電晶體導通時間和切換時間的比值,稱為脈衝 寬度調變(Pulse Width Modulation ,PWM);另一種為固定導通關閉時 間,也就是工作週期固定,而調變訊號頻率快慢,稱為脈衝頻率調變 (Pulse Frequency Modulation ,PFM)。
圖 2-2 Switching Regulator 切換式穩壓器示意圖
6 or Step-down regulator 降壓型穩壓器; Boost or Step-up regulator 升壓型穩壓器;flyback or buck- boost regulator 反激式或降升壓 型穩壓器和 Cuk 型穩壓器。藉由功率電晶體的開關切換動作將輸入端 的能量轉移至輸出端的電感和電容等儲能元件,以提供負載所需能量。
降壓型電源轉換器可將輸入電壓源(通常為 8V 至 25V)轉換至較低
7
的穩定電壓(通常為 1.2V 到 5V)的電壓源,因其結構簡單、成本低、
高可靠度、高轉換效率而被廣泛用於現今多數電子產品的內部。
以下就降壓型電源轉換器的工作原理做簡單說明。
2.2.2 降壓型電源轉換器工作原理[6]
降壓型電源轉換器利用脈衝寬度調變(PWM)機制來控制導通元 件,此技術會改變工作週期(Duty Cycle),也就是電晶體導通時間和 截止時間的比值,再配合電感的電力儲存能力,讓輸出電壓在有限的 輸入電壓和負載電流範圍內保持固定。圖 2-3 是一組簡單的降壓型電 源轉換器結構圖,Q 是一顆 MOSFET 的功率開關,配合 PWM 訊號控制電 晶體的導通與否。二極體 D 通常稱為箝制二極體(catch diode)或飛輪 二極體(flywheel diode),將輸入直流電壓
V
in切換成具有V
in和 0 兩 種狀態之高頻脈動直流。輸出電感 L 與輸出電容 C 組成低通濾波器產 生直流電壓輸出。8
圖 2-3 降壓型電源轉換器
降壓型電源轉換器電路工作原理可分成 ON/OFF 兩種模式,ON 狀 態的持續時間為
D×T=T
on,其中D
為電晶體工作週期,介於 0~1 之間,T 為電晶體的切換週期。OFF 狀態的持續時間被稱為
T
off。在每個開關 週期的模式下只有 ON/OFF 狀態,T
off等於(1-D)×T
。(1-D)
有時也被稱 為D'
,由於D
介於 0~1 之間,此電路的輸出電壓 Vout必會較輸入電壓 Vin來得小,故可達到降壓的功能。ON stage
(0 <t<DT
)當電晶體 Q 導通時,二極體 D 的陰極電壓約等於輸入電壓
V
in,二 極體逆偏形成斷路,輸入電壓經 Q 對電感 L 充電並供應電壓至電容 C 及負載 R,此時電感電壓V
L=V
in-V
out,由於輸出直流電壓V
out必然低於V
in,故此時的V
L 為一正電壓,L 便儲存能量,因此輸出電感電流i
L 線性上升。此時其輸入電壓源傳送能量給 L 與負載 R。流經功率開關9
之電流
i
在此工作模式下等於輸出電感電流i
L。圖 2-4 ON State
OFF stage (
DT< t < T
)當電晶體 Q 截止時,電感 L 的電壓極性反轉,使二極體 D 順偏導 通,電容 C 及電感 L 均對負載 R 放電,此時 L 的跨壓
V
L等於-V
out,電 感 L 便釋放能量,因此i
L線性下降。此時其負載 R 的能量由電感 L 提 供。流經二極體 D 之電流i
D 在此工作模式下等於輸出電感電流i
L。10
圖 2-5 OFF State
下圖 2-6 列出主要電壓電流波形
(a)
(b)
(c)
(d)
圖 2-6 降壓型電源轉換器主要電壓電流波形
11
12
13
14
15
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非常小的,並通常被忽略。
2.4 降壓型電源轉換器的 EMI 干擾
在現今電子設備中,DC-DC converter IC 是電源電路不可缺少的 部份。由於電壓和電流波形的非線性性質,導致切換式電源轉換器在
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雜訊是由很多變數產生,比起漣波很難預測。它是發生在切換式 轉換器內部
di/dt
的大變化,導致寄生電感的振盪造成。雜訊的頻率 比起漣波是高的多,最多可以到幾十 MHz 甚至高過 100MHz。雜訊發生 在切換式轉換器中動作的時間,因此,雜訊要被疊加在漣波波形之上 [9],如圖 2-7。圖 2-7 漣波(Ripple)和雜訊(Noise)
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第三章
實驗方法與結果分析
3.1 實驗電路與佈局
由上章節得知,切換式電壓轉換器在輸出端會產生漣波和雜訊,
如何抑制漣波使其符合 IC 電壓規格並降低雜訊對系統的影響是一重 要課題。本論文主要探討 Step Down DC-DC 的切換頻率對其輸出電壓 的影響。
3.1.1 Step-Down DC-DC Converter
要探討頻率對輸出電壓的影響,我們選用工作週期固定但切換頻 率可調整的 PFM 模式的 DC-DC Controller,此次實驗使用“致新科 技"公司所生產,型號 G5684 的 IC,該 IC 可提供 4A 的輸出電流,
3V~5.5V 的輸入電壓,可調整的輸出電壓,PWM 工作週期固定,切換頻 率範圍可從 300kHz 到 1.4MHz,圖 3-1 為規格書簡介。
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圖 3-1 DC-DC 規格簡介
該 IC 採用 SOP-8 包裝,底部含有 Thermal Pad 以增加散熱效果,
各腳位配置如圖 3-2,功能概述如表 3-1。
圖 3-2 G5684 IC 腳位配置圖
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表 3-1 各腳位功能概述
3.1.2 實驗電路解析
實驗電路如圖 3-3,使用 Switching power supply 將交流市電轉 換成直流 5V 電壓,提供給 G5684 IC。EN 腳位可容許 VIN+0.3V 的最大 電壓,此腳位直接與輸入電壓 5V 共用,不另作分壓處理。COMP 腳位 是補償電路的 RC 結構,FREQ 腳位依搭配電阻調整切換頻率。
圖 3-3 實驗電路
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輸出電壓依電壓轉換公式(3-1),計算出輸出電壓所需搭配的電阻 R1 和 R2 阻值。輸出端依規格書建議放置兩顆 22μF 積層陶瓷電容 (Multi-layer Ceramic Capacitor, MLCC)做穩壓。
⎟⎠
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23
漣波是量測該點 AC 訊號,可發現兩者都會受震鈴(Ringing)影響,皆 有疊加的雜訊在其輸出端出現。
圖 3-4 輸出電壓和 Switch Pin 輸出波形,
f
sw=300kHz,L=4.7μH24
圖 3-5 輸出電壓漣波波形,
f
sw=300kHz,L=4.7μH圖 3-6 輸出電壓和 Switch Pin 輸出波形,
f
sw=1000kHz, L=1.5μH25
圖 3-7 輸出電壓漣波波形,
f
sw=1000kHz,L=1.5μHStep-Down DC-DC Converter 加快切換頻率可選用小電感感值,
相對地縮小電源系統佔用 PCB 的面積,由圖 3-5:峰-峰值為 29mV 和 圖 3-7:峰-峰值為 14mV,可看出輸出電壓漣波確實隨著切換頻率提高 而減小。
在現今電子行動裝置崛起,走向輕薄化發展的時候,此應用看似 切合需求,但觀察圖 3-4 和 3-6,可發現切換頻率在高低位準急遽變 化處會產生 ringing,這是由於
di/dt
的大變化導致包含 IC 內部電路 和走線,與外部 PCB 電路零件和走線的寄生電容與寄生電感形成等效 的 RLC 迴路,所產生固定的共振頻率[10]。由上圖可明顯看出,此共 振頻率會疊加在輸出電壓和漣波波形上,隨著切換頻率提高疊加的次26 邊緣的 ringing 展開波形。四個 ringing 的震盪頻率約在 85MHz,振 幅也未有明顯變化,可證實切換頻率
f
sw對 ringing 並無影響,只與上 段提到的因素有關。進而觀察圖 3-10 和 3-13,將該波形做 FFT 後,可發現在中心頻率為 100MHz,頻距為 200MHz 的圖形中,在頻率約 80MHz 處之前的頻段,dB 值比其他頻率點都高。進一步觀察圖 3-14 rising 和圖 3-15 falling 的個別的頻譜分佈,兩者並非完全相同,rising 的頻譜分佈在 85MHz 附近達到最高,falling 的頻譜分佈在 105MHz 附 近達到最高,85MHz 附近次高,此兩頻率點在 EMI 測試時必會出現。
隨著切換頻率提高,固定時間內的 ringing 震盪次數變多,造成 FFT 後的波形可明顯看出更多雜訊疊加。我們可推測在實際量測 EMI 結果 時,此電源雜訊在此頻段所造成的干擾必會高於其他頻段,甚至產生 驗證超出 EMI 標準的情況。
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圖 3-8
f
sw=300kHz 上升邊緣的 ringing圖 3-9
f
sw=300kHz 下降邊緣的 ringing28
圖 3-10
f
sw=300kHz ringing 的 FFT 結果圖 3-11
f
sw=1000kHz 上升邊緣的 ringing29
圖 3-12
f
sw=1000kHz 下降邊緣的 ringing圖 3-13
f
sw=1000kHz ringing 的 FFT 結果30
圖 3-14 Rising ringing 的 FFT 結果
圖 3-15 Falling ringing 的 FFT 結果
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Ringing 為阻尼震盪波形,且週期性的發生於波形切換瞬間,故 能分佈頻寬甚廣,個別譜線寬度亦較大。與時脈訊號所產生頻譜不同,
時脈訊號為一週期性函數,經由 FFT 後的結果是多個脈衝分布,以主 頻強度最大,倍頻上升,強度依序減輕,通常針對主頻做壓抑,其他 倍頻也會跟著下降。
3.3 增加消除高頻雜訊的電感對 EMI 的影響
上節說明了調高切換頻率所帶來的優點,並點出實際上系統層面 會面臨的問題,如何抑制雜訊進入系統造成干擾是一重要課題。當電 源雜訊進入系統產生不必要的電磁輻射干擾時,如果未在研發設計階 段就加入相對應的對策,一般採用圍堵的方式防止電磁輻射,加導電 泡棉、貼銅箔等方法,如不幸需修改 layout,所造成成本上升和時程 延誤更是得不償失。
3.3.1 改變切換頻率對 EMI 量測結果的影響
圖 3-16 和圖 3-17 分別是切換頻率 300kHz,電感感值 4.7μH 的
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垂直和水平極化 EMI 量測結果。圖 3-18 和圖 3-19 分別是切換頻率 1000kHz,電感感值 1.5μH 的垂直和水平極化 EMI 量測結果。比較兩 組 EMI 數據可發現,隨著切換頻率提高,如同圖 3-10 和 3-13 FFT 的 頻譜分佈,ringing 頻率(85MHz 左右)所測得的結果都是最糟的,
100MHz 前的頻段形成很多的脈衝,垂直極化的許多頻率甚至超過標準 甚多,雜訊造成的電磁輻射結果增強很多,如何減輕此現象是本節所 要討論的重點。
一般 DC-DC Converter 輸出端的電感和電容是作為儲能功用,對 高頻雜訊幾乎沒有阻擋的作用。為了降低高頻雜訊,我們可加上一 Ferrite Bead,並改變擺放位置來觀察實際量測結果。
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圖 3-16
f
sw=300kHz,L=4.7μH,EMI 垂直極化量測結果34
圖 3-17
f
sw=300kHz,L=4.7μH,EMI 水平極化量測結果35
圖 3-18
f
sw=1000kHz,L=1.5μH,EMI 垂直極化量測結果36
圖 3-19
f
sw=1000kHz,L=1.5μH,EMI 水平極化量測結果37
3.3.2 Ferrite Bead 擺放位置對 EMI 量測結果的影響
現今消除 EMI 干擾的元件多應用鐵氧體磁珠(Ferrite Bead),它 是一種抗干擾組件,廉價、易用,濾除高頻雜訊效果顯著。我們選用
“奇力新電子"公司的 Ferrite Bead,型號:PBY201209T-600Y-N,
表 3-4 為該顆 Bead 的電子特性,圖 3-20 為該顆 Bead 的阻抗特性圖。
表 3-4 Ferrite Bead 的電子特性
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圖 3-20 Ferrite Bead 的阻抗特性圖
圖 3-20 顯示了 ZRX 的特性曲線,15MHz 以下的響應是電感性的,
Z 和 X 是幾乎相等的。在此區域內,Bead 是一個非常高 Q 值電感;X 和 R 在大約 50MHz 處交叉,在這個頻率,儲存的能量和消耗的能量可 互相匹配。從 50MHz 以上至 750MHz 處的峰值阻抗,感抗下降到零,此 時阻抗變得完全是電阻性的。從峰值阻抗在 750MHz 到之後的頻率,
Bead 變為電容導納。
Bead 變為電容導納。