DRAM 現貨價格之壟斷力分析

表 3-1 為 2002 年全球 DRAM 市場前十大廠商之營收及市佔率的情況，因 CR₄為 75.2%，

依據 Bain 的分類標準（詳見附錄三：市場集中度指標），其產業結構集中度屬於高度普通型

（High Concentrated）；又依 Shepherd 的市場競爭狀況分類，屬於寡頭壟斷（Tight Oligopoly）

性競爭。因無任何一家的市佔率超過 40%，因此並不存在支配廠商（Dominant Firm）。2002 年存在於產業中的主要廠商為 Samsung、Micron、Hynix、Infineon、Elpida、Nanya、Winbond、

Powerchip、Mosel 這幾家，而且近幾年來市場逐漸演變成一個集中市場的態勢，前四大廠商 的市場佔有率在 1999 年時便已囊括六成，到了 2002 年則達 75.2%左右（見表 3-2）。

表 3-1 2002 年全球 DRAM 前十大廠商

排名 公司名稱 2002 年營收 2002 年市佔率 累積市佔 CRn

1 Samsung 4,992 32.2% 32.2%

2 Micron 2,858 18.5% 50.7%

3 Hynix 1,982 12.8% 63.5%

4 Infineion 1,817 11.7% 75.2%

5 Nanya 849 5.5% 80.7%

6 Elpida 648 4.2% 84.9%

7 Winbond 473 3.1% 88.0%

8 Toshiba 321 2.1% 90.1%

9 Mosel Vitelic 312 2.0% 92.1%

10 Powerchip 305 2.0% 94.1%

Others 924 6.0% 100.0%

Total 15,481 100%

資料來源：Dataquest(2003/03)；工研院 IEK(2003/06)

探討市佔率走向高度集中的背後原因，應該是由於 DRAM 應用市場的不景氣以及 DRAM 產業本身的趨於成熟，使得 DRAM 市場的成長遲緩，甚至是停滯不前；這般的情形使得想積 極擴張的廠商，開始將注意力投注在市佔率的爭奪之上，紛紛以擴充產能、購併或合併、及降 低成本等方式，追求市佔率的向上成長所造成。

表 3-2 1995～2002 年 DRAM 廠商市場集中度

年度 營收 第一大廠 CR4(%) 市場集中度 市場競爭狀況 1995 42,249 Samsung 45.9% 低普通型

(low moderate)

多頭壟斷 (loose oligopoly) 1996 26,012 Samsung 48.8% 低普通型

(low moderate)

多頭壟斷 (loose oligopoly) 1997 20,744 Samsung 48.2% 低普通型

(low moderate)

多頭壟斷 (loose oligopoly) 1998 15,778 Samsung 50.8% 普通型

(high moderate)

寡頭壟斷 (tight oligopoly) 1999 23,104 Samsung 63.2% 普通型

(high moderate)

寡頭壟斷 (tight oligopoly) 2000 31,865 Samsung 66.0% 普通型

(high moderate)

寡頭壟斷 (tight oligopoly) 2001 11,626 Samsung 70.9% 高普通型

(high concentrated)

寡頭壟斷 (tight oligopoly) 2002 15,481 Samsung 75.2% 高普通型

(high concentrated)

寡頭壟斷 (tight oligopoly) 資料來源：Dataquest(2003/03)；工研院 IEK(2003/06)；DRAMeXchange

全球主要 DRAM 製造商近年來的確也面臨價格壟斷指控，近來報導⁶曾指出，歐盟及美國

6

參閱網址：http://taiwan.cnet.com/news/ce/0,2000062982,20087887,00.htm

供給面因素指的是來看廠商的經營策略、產量動向與製程技術水準等。而系統產品的出貨 量與每一系統產品 DRAM 的搭載量，則是影響需求面的主要因素。就總體面而言 DRAM 產業 的景氣循環有很明顯的週期現象，稱為「矽週期循環法則」。

雖然寡佔市場理論上可操縱價格，但實務上在商言商，存在如賽局理論（Game Theory）

之謀略，全球幾家大廠是否真能如此合作無間，同時宣佈某一產品全面減產，以拉高價格，而 不會有趁機私下降價求售者，似可商確。而且 DRAM 製造大廠（IDM）不是市場之唯一賣方，

尚有通路商、模組廠商及其他交易商，其財務狀況、現金流量及庫存壓力較製造廠更大，很可 能伺機於市場出貨拋售。因此，製造大廠操縱價格有一定程度之困難，一般仍是深信，市場之 供需為決定價格的最重要因素。

3.2 DRAM 股價及現貨價之操弄性分析

3.2.1 事件研究法

一個效率的資本市場，乃是股價能充分反應出投資人可獲得所有資訊的市場。Ross et.al

（2003）曾指出若資本市場是有效率的，則公司的管理者便無法愚弄投資者，藉由操縱資訊而 創造出價值；當市場在資訊方面算是有效率的時候，不知道某一股票的特別資訊的投資人，在 效率市場中僅能期待賺取合理平等的報酬。

本節採用事件研究法（Event Study），來探討在DRAM產業中所發生之重大事件，是否會 對DRAM現貨價格以及DRAM廠商股票價格有影響，以探討是否價格有可能藉由事件觸發，而 有被操弄性的可能。

事件研究法之主要目的，在探討當某一市場資訊或事件發生時，是否會引起股價的異常變 動，亦即股價是否會產生「異常報酬率」（Abnormal Returns, AR）。因此，本研究亦採用由 Fama, Fisher, Jensen and Roll（1967）所提出的「事件研究法」，來探討DRAM產業之重大事 件，是否會影響DRAM廠商股價與DRAM現貨價格。

在研究過程中，首先，須確定事件的種類及其事件發生日，設定估計期及事件期之計算期 間，並以股價日報酬率估算其預期報酬率，再透過實際報酬與預期報酬之差額來觀察整體購併 事件於宣告期間是否具有異常報酬的產生，最後藉由統計檢定來檢視其統計值是否具有顯著 性。

事件研究法的主要研究步驟，詳細說明如下：

（一）確定事件種類及日期

一般而言，事件研究法所研究的事件，可以分為兩類：一為針對「單一事件（single event)」

的研究，一為針對「同類事件（type of event）」的研究，其差別在於股價是否具有相依性，

說明如下：

1. 單一事件(single event)

各證券的事件日均為同一天，表示個別證券的股價在同一時間受到該事件的影響；換言 之，所有觀察值在同時間除了受到研究事件的影響外，也同時受到相同的外部因素影響，導致 股價互相干擾。個別公司間股價的異常報酬率可能有明顯的相依性（dependence），本研究則 屬單一事件。

2. 同類事件（type of event）

與單一事件所研究的事件是一樣的，但個別證券的事件日為同一天的可能性不高，各觀察 值的股價比較不會同時受到相同外在因素的影響，因此個別公司股價的異常報酬率較具獨立性 (independence)。

所謂的事件日係指，市場接收到該事件相關資訊的時點，而非該事件實際發生之時點，因 此本研究所採用的事件日，以第一次發生的日期為事件日，以t=0表示之。

（二）設定估計期及事件期

估計期的選擇有三種方式：a.估計期選在事件期之前；b.估計期選在事件期之後；c.估計 期分別選在事件期前、後。本研究之估計期設定，使用第一種方式，即為估計期選在事件期之 前。本研究定義事件發生日前160天（表示為t1＝-160），至前11天（表示為t2=-11）為估計期 間；所以估計期可表為（-160,-11），而估計期長度（T）共150天。而事件期長度（W）共5 天(W=-2～+2)。

（三）報酬率預測模型之建立

本研究採用市場模式來建構股價報酬率預測模式，此模式假設個股股票的報酬率與市場報 酬率間存在線性關係，並以市場報酬率建立股價報酬率之迴歸模式，公式如下：

t mt i i

it

R

R

=

α

+

β

+

ε

，i=1…N （14）

其中，

R 為單一股價報酬，

_it

R 為市場股價大盤指數報酬。

_mt

累積平均異常報酬率（Cumulative Average Abnormal Returns，CAR），則為特定期間內 每日異常報酬率的累加值。本研究之事件期為宣告日前後2日，以(

t

₃,

t

₄)表示之，故累積異常 常報酬率，是否達統計上之顯著水準。本研究採用Brown and Warner（1985）傳統法ｔ值來檢

定其假設，假設檢定設計如下：

1. 平均異常報酬率之傳統法ｔ檢定

依 統 計 檢 定 方 法 ， 界 定 虛 無 假 設 為 某 事 件 期 間 股 票 之 平 均 異 常 報 酬 率 為 0 ， 即 0

0 :

AR

_E =

H

， 及 對 立 假 設 為 某 事 件 期 間 股 票 之 平 均 異 常 報 酬 率 不 為 0 ， 也 就 是 為

0

1

: AR

_E

≠

H

。可運用統計檢定量加以檢測，在統計檢定之顯著水準α＜10％以下，以t檢定 統計量來檢測假設是否成立。

2. 累積平均異常報酬率之傳統法ｔ檢定

同理，界定虛無假設

H

₀ :

CAR

(

t

₃,

t

₄)=0，及對立假設

H

₁:

CAR

(

t

₃,

t

₄)≠0。在統計檢定之 顯著水準α＜10％以下，以t檢定統計量來檢測假設是否成立。

3.2.2 實證結果

本節內容將以事件研究法探討 DRAM 市場是否會因為事件消息之發佈，影響 DRAM 現 貨價或相關公司股價，而產生異常報酬。藉由報酬率對消息的反應能力，不僅可以測度市場的 半強勢效率性，以說明操縱資訊獲得超額報酬的可能性；並且可以藉以得知市場的參與者夠 多，使超額報酬不易久存。

本文依據 DRAMeXchange 所提供的事件資料，研究期間自 2002/10/02～2003/08/29 為止，

發現共有 186 筆事件。經過研判後，可將事件種類分為六大類：

1. Capacity：DRAM 產量及投片入市場的訊息。

2. 製程提升（Migration）：製造轉移或升級的訊息現金交割。

3. Capex：資本投入產能的訊息。

4. Alliance：合作生產的訊息。

5. Sales report：預估未來營收或目前營收統計的訊息。

6. DRAM 傾銷稅（CVD）：美歐對傾銷 DRAM 所作之反應。

本研究選取事件日，及其前後二日為研究日，共五日，探討累積異常報酬率的顯著性。

研究結果如表 3-3 所示，結果顯示累積異常報酬最多只發生於事件日及事件後一日。

表 3-3 DRAM 重大訊息對現貨/股價 CAR 之探討

DRAM 股票價格之 CAR DRAM 現貨價格之 CAR

-2 -1 0 +1 +2 -2 -1 0 +1 +2 Capacity 9 9

Migration 9 9 9

Capex 9 9

Alliance 9 9 9

Sales report 9

CVD 9 9 9 9 9

註：(1) -2~+2 為事件研究期，0 為該事件發生日。

(2) 9為於該日期，指數（股價/現貨價）之 CAR 呈現顯著。

資料來源：本研究整理

（一） 事件對股價的影響

事件對股價的影響比較大，且均無事件前累積異常報酬的產生，這說明似乎無事前內 線交易。除了 DRAM 傾銷稅（CVD）事件外，其餘事件之累積異常報酬只到事件後一天為止；

這表示市場符合弱勢效率市場假說，事件並無影響持續太久。DRAM 傾銷稅事件因影響韓國 DRAM 廠甚巨，連帶有可能衝擊到我國 DRAM 廠，所以影響比較大一點。

（二） 事件對 DRAM 現貨價的影響

事件對 DRAM 現貨價的影響，只有製程提升、策略聯盟訊息與 DRAM 傾銷稅有顯著的累 積異常報酬；這說明了現貨價不易被事件所影響，尤以產量、產能及銷售報告等事件所左右，

有可能業界早以對這類事件已有所聞，不致影響現貨價過大。但是製程提升、合作消息等對 DRAM 現貨未來走勢有一定的影響，故對價格有相當程度的影響力。

經過事件分析之後，得知市場消息對 DRAM 股價的影響大於對現貨的影響，產生異常報 酬的天數大約介於 1-2 天左右，顯示若操縱資訊將會對股價及現貨報酬率帶來衝擊，因而可能 牟利；惟市場消化消息的天數並不長，市場的效率性頗高，使得操縱資訊的成本較高，因而削 弱獲利空間。

此外，營收報告釋出的影響程度，小於其它事件的影響；且對 DRAM 現貨價格並無太大 影響。這部份的消息面是廠商最能夠操弄的項目，但是卻不能夠影響到現貨價格的波動，所以 若想以操作消息來控制現貨價格的走勢，進而達到規避價格風險，此方式並不能有很顯著的效 果。

另外，本小節實證研究的研究限制如下：

由於事件研究法是測量單一事件（如：股利宣告日、併購宣告日等）對股價的影響程度判 別，為財務實證研究中常見的研究方法。但在 DRAM 產業中，有下列兩個因素會影響傳統事

由於事件研究法是測量單一事件（如：股利宣告日、併購宣告日等）對股價的影響程度判 別，為財務實證研究中常見的研究方法。但在 DRAM 產業中，有下列兩個因素會影響傳統事

在文檔中 DRAM價格避險實證研究 (頁 27-0)