圖一 模板與壓印後之AFM圖譜
Mold 壓印後
圖二 模板與壓印後之SEM圖譜
2. 持壓時間對殘留層的影響
當持壓時間不同時，可發現適當的持壓時間對降低殘餘層之厚度及均勻度有明顯的幫 助。圖三即為不同持壓時間之殘留層SEM 分析。
• Residual layer~75 nm • Residual layer:2.56 um
Pressure:2.54 kg/cm
2Pressure:2.54 kg/cm
2.
圖三 不同持壓時間之殘留層SEM分析
3. 光阻劑蝕刻參數之建立利用 RIE 離子蝕刻去除殘留層，當高度差開始變小時，即光阻劑壓印殘留層已被去除。
圖四即為RIE 電漿蝕刻後之 SEM 影像，蝕刻時間為 500 sec。
圖四 RIE蝕刻後之SEM圖
4. ITO 濕式蝕刻參數之建立選用目前 ITO 蝕刻製程中常用的草酸作為蝕刻液，圖五為 3％wt 草酸在室溫蝕刻 12 分鐘 後之OM 圖。
圖五 以3 ％wt草酸蝕刻12分鐘之OM圖
5.各階段製程線寬收縮率及縮減率之評估
Width (μm) 收縮率 (%)
Mold 5.25 -
壓印後 5.23 0.4
RIE 後 4.97 5.0 Wet etching 後 4.85 2.4 5-4-4 結論
1.建立圖案轉移技術：
目前技術已成功轉印面積 4-in、線寬 5 微米之光阻劑圖案於導電基板上。
2.蝕刻參數之建立：
完成電漿蝕刻技術及濕式蝕刻之蝕刻速率評估，並製作出透明導電電極 ITO 之圖案。
5-5 建立非平整表面上壓印蝕刻技術 2.5cm，厚度約 0.5m。如圖一(b)所示。此薄 PDMS 模板因具有規則之圖案故在光源底 下會產生繞射之現象。如圖一(c)所示。
PDMS bulk PDMS mold
Curved 3-D PDMS mold
(a)
(b)
(c) (d)
PDMS bulk PDMS mold
Curved 3-D PDMS mold PDMS bulk PDMS bulk PDMS mold PDMS mold
Curved 3-D PDMS mold Curved 3-D PDMS mold
(a)
PMMA layer Curved substrate Curved 3D mold
curved substrate PMMA patterns
20μm
20μm PMMA layer
Curved substrate Curved 3D mold
curved substrate PMMA patterns
20μm
圖三、(a)、(b)三維立體圖案矽晶片之電子顯微鏡正視圖。PDMS 模板之電子顯微鏡(c)側視 圖(d)正視圖。
圖四為以不同 PMMA 重量百分濃度於彎曲表面基材上進行壓印步驟後，彎曲表面基材上之 PMMA 三維立體結構之電子顯微鏡觀察圖。由圖中可觀察到，以具有三維立體圖案之曲面 PDMS 模具於彎曲表面基材上進行壓印，圖案轉移之結果相當成功。最小之線寬已達 2μm 以下。惟 細部結構並非完美，如圖(a)(b)(e)(f)(g)(h)中之橢圓形區塊應為矩形，但因 PMMA 溶液濃度 並非最佳參數，故壓印之後得到的結果並不理想。而若將 PMMA 溶液濃度調整到 15wt%，如圖 (c)(d)所示，可觀察到圖案形狀為矩形，與圖三(b)比較，兩者圖案形狀相似，代表此濃度為 較佳之參數。
(d)
觀察圖。(a)、(b)10wt％ (c)、(d)15wt％ (e)、(f)18wt％ (g)、(h)20wt％。5-5-4 結論:
1.利用二光阻不同之抗化學及物理蝕刻的特性，進行分段進行反應離子蝕刻的製程，於矽晶 片上得到形狀完整且準直的三維立體結構。線寬達 2μm 以下。
2.以具有三維立體圖案之矽晶片翻製之 PDMS 模板，其三維立體結構亦非常完整且準直性良 好。圖案間距達 2μm 以下。
3.以 PDMS 模板貼附於具有與彎曲基材曲率相同之 PDMS 塊材上，可得到具有曲率之三維立體 圖案模具。
4.以具有三維立體圖案模具於彎曲基材上進行 PMMA 高分子層之壓印，當 PMMA 溶液濃度為 15wt%時，得到之 PMMA 三維立體結構完整且線寬已達 2μm 以下。
B：微米壓印蝕刻技術應用於可撓曲顯示器元件之製作 5-6 可撓曲發光元件用之透明導電電極材料之開發 5-6-1 實驗目的：
此子計畫著重在開發以氧化鋅為主體，以摻雜氧化鋁的方式，製作氧化鋅鋁透明導電膜。
以康寧玻璃為基板，利用磁控濺鍍真空腔體裡，成長氧化鋅鋁氧化鋅；對此透明導電膜進行 分析鑑定，以期望符合OLED 之陽極材料所使用。
5-6-2 實驗方法及步驟 一、實驗材料：
(1) 濺鍍靶材
本實驗所用之靶材為自行壓製之氧化鋅與氧化鋁之混合粉靶，氧化鋅與氧化鋁粉末為 ProChem.公司之 99.9% Zinc Oxide ( 200 mesh )與 99.9% Aluminum Oxide ( 200 mesh )。
(2) 基板材料
1. 玻璃基板採用Corning 1737。
2. Arton 耐溫塑膠基板（富翰公司）：
結構式：其玻璃軟化點可達160℃以上。
(3)實驗藥品及氣體
1.〈藥品〉丙酮：純度 99.5%、酒精：純度 99.5%、 去 離子水、異丙醇：純度 95%
2.〈氣體〉氣體皆由雲山行供應
Ar：純度99.99%，雲山行公司生產。
O2：純度99.99%，雲山行公司生產。
H2：純度99.99%，雲山行公司生產。
N2：純度99.99%，雲山行公司生產。
3.在此實驗中所採用的濺鍍靶材為氧化鋅均勻混合不同比例的氧化鋁粉末。
ZnO 純度 99.9% (Aldrich Chem. Co.) Al2O3純度 99.99% (Aldrich Chem. Co.) 二、實驗設備
（1）磁控濺鍍系統，如圖一所示。
A
A B
E B D
C
G H
F
RF power
DC Pulse
A. Cooling water B. Shutter
C. Shielding D. Target ( ZnO + Al
2O
3) E. vacuum (gas Outlet) F. Gas Inlet
G. Ground H. Substrate
圖一 磁控濺鍍系
（2）電源供應器
RF 電源供應器型號為 HUTTINGER PFG5000，功率 5000W，頻率 13.56Mhz 的電源供應 器。