車用電子系統之0201尺寸薄膜被動元件開發
8
0
0
全文
(2) 0201
(3) (I) NSC 96 2212 E 151 037
(4) 96 8 1 97 7 31 . #. $. %. &. . . . '. (. R. S. 3. ). O. *. . . . T. 8. +. U. P. ,. . -. .. !. V. 3. /. ". □2 3 4 5 6 7 8 9 : ; & ' < = □2 > ? @ A 5 6 7 8 9 : ; & ' < = □5 B 3 C D E F G : ; & ' H I J / K. □3 C N.
(5). . ,. W. X. 4. 0. Y. 8. 1. >. P. D. &. Z. '. [. Q. \. <. L. M. <. =. ]. =. ^. _. `. 8. P. 97 10 22 . †. a.
(6) b
(7) . . . . . . . . . . . . u. \. . v. . . . ! w x. p. W c d e f / 0201 g h i j k l m 1 n I (I) NSC 96 2212 E 151 037 o 96 8 1 97 7 30 q U V , W X Y > D Z [ _ ` e r p q U V , W X Y > D s t _ ` e " r p q U V , W X Y > D Z [ _ ` e 3 T U V , W X Y > D Z [ \ ] ^ _. `. 8. P. a. # $ %
(8) & ' $ & '
(9)
(10)
(11) ! # $ !
(12) # $
(13)
(14) ! !
(15) !
(16)
(17)
(18) !
(19)
(20)
(21) !
(22)
(23)
(24)
(25) !
(26) ( !
(27) .
(28) " )
(29) .
(30) 0201 !" # $ % & ' ( ) * + , - . / 0 1 2 34 " # 5 6 (500W) 78 9 : ( ) ; < = > ? . @ ABC D E F G , - HI J K . / 0 L M N O . / 0 3PQ R S T U V S W K XY Z [ \ Y ]^ _ ` . @ AT U a b , - 6 c da b e S f g hi j ^ P T U k$ % " # & ' ( ) l / m n Cu/SiO2/Si E F o p L M N O nd l < > q r st u v m r sPQ l @ A w x s$ %kl / m s y U z { |L r } S ~ z { ^ HP Q l @ A T U [ \ r l / m s B X ~ H L k } X g L 8 S Pl @ AT U hc d u nyU z { |8 ndl < > ( ) q L t u r L R r L h nHl @ Aq L 7 N r L ¡ ¢ yU z { |£ = ^ 6 N Hn¤ yU z { ^ ¥ ¦ § ¨ © ©" # $ % & ' ( )
(31)
(32)
(33)
(34)
(35)
(36) !
(37)
(38) ! "
(39) .
(40) ª «¬®r ^ ¯ = - ° g 5 « T ± ²³´ µ ¶ · ¸ 4 n 3C ´ ¹ 3³º » S n5 k¤ + ´ µ ¼ %½ ¾ ´ µ 5 T ± ¿ À Q Á ¼ Âà Y Ä Å / 8 Æ Ç È É Ã Ê Ë£ Ì Âj k¤ + Í Î ª Y ]` ¡ Ï Ð ~ dÑ ´ j  © © Ò Ó Ô Õ Ö . × Î Ø E F 3Ù Ú %Û - Ü ª Ý Z Þ Ç ß à á â ©ã} © Á ¼ ä å Óæ Ù ç Æ è é ê ¥ ¦ ë ì [1-3] Ú ¹ í î è ï / ð 3U Õ ñ Ø ò Ì ó + ãô j 3dõ Ì ó á â ³ !ö á â ÷ ø j o ù + 9 : ³V S ú õ (Temperature coefficient of resistance, TCR),²Bû R 34 ï / ð 3³ V S W K z Hh k Ú ü Ñ ´ ý î þ ` Ö ý º » S è H Ö 4 J 0201
(41) ±0.1 2.
(42) V S (TC25ppm) Ú * Ì AEC-Q200 º » S [4-6] ` % . AEC-Q200 HV ©H S ý h0 ú nH S H ¾ á â 7! ÷ ø Ar/N2 < , - ÷ ø . È A TaN h. / 0 ` kHV [ \ á â ³ ú k[ \ 6 © / [ \ !© V S W K dÓ[7]` ¡ 1 2 4 n r ^ " #7$ % Ç È , - & 6 © 6 ©j o ù '©r = L L Ó( â 7) * ³s+ , - ¥ ¦ ` . $ % Ë 6 Ø ^ õ ? TaN , - ã} Ë TaN , - ã} || / ¼ ÷ ø 0 1 2 0 0 3 ! 4 5 , ã} 6 7 r ^ 0201 " 8 ô 7%nô k4 n AEC-Q200 á â n ¢ 9: ; < = Z q> f h ª j ¬? @ A U G BÊ á â C D E³Ü FÙ C %Ê Gl / ñ H I C D EJ KL Ü ` ¡ hM N O XHI J K I á â ( O Xù Gl / ñ 3.9 PHI J K ) Q º , ~ e ø ; R º w S T U õ B Ê ÷ ø HI á â l / KC Ç ß HfO2ZrO2 J V SiO2 W # Þ X Y á â Z Ù B CMOS ã} 3[ \ SiO2 ] Ü I #^ O _ þ HI á â SiO2 ^ ` a Ù J Ù b r l / K (α-SiO2)` ¡ º BJ Ì E F 7O XT U c S + d e BI f o g h HfO2 ZrO2 º 4 dV , - ã} h j i B Si j j [ k b r su l m ¹ n "ã ô } Ë è |o p ã} 3HfO2 ZrO2 = Ñ A L r q Z ²rº s t Ì Si AlN Ø ³u / v Î j K+ w x [ \ ¡ b r s ¡ º f y ¡ z { Ñ l / m ` k O XHI J K (20-25) | (5.4eV)H } ~ (7-15MV/cm) d @ Ó h %B I #G l / m ãô Ý * Ú C Xs Ê !÷ ø ã} + , - Ç È . #, - * [8]©/ v < s, - * [9]©o r * [10]©" # $ % & ' ( ) [11,12]Ó³ 3( ) O XH, - 6 b ! d, - V S h · k4 + , - ó l / K( ) . Ù ¡ Õ " á nJ V ` ¡ 4 Þ Bá â f ´ Ñ A |^ |a b . ( á ` ¡ ( ) ë ì Ù w S ¡ ¢ A+ o ¢ £ B < 3ù ¤ ¥
(43) ¦ ) P 4 ´ Ñ 9 § ¨ - R S H © ª < « ¬ [ \ ô h L r L ® ¯ , - Ý , - , - hn$ % ( ) 3FÙ ( ) ° { þ ( ) < = l @ AE F V S " # 5 6 ÓÓPÙ , - î è ` ± Â) * ÷ ø ( ) ² l / m , -. . . . . . Ù !" # $ % & ' ( ) * + , - . / 0 7Bl / ò (Al2O3)E F G , - HI J K . / 0 o 8 9 : ( ) ; < = > ? . @ A( ) ³ ´ / µ 6 7 300oC~500 oC ¶ a L e S ' · n 3000 Å 6 7 ³ ú L o p ¸ Âl / ò E F ¹ nº » ¼ ½ 34 ¾ ¿ À Á 10 * +  e Xà K 7. < Ä Å Æ |¹ Õ ³ ´ ( ) Ç = 3 ÂÇ = È É 6×10-3 torr |Ê \ Ë Ì w Í È É 2×10-6torr |³ Õ m ô < = Î < |³Ç = ³ ´ { þ G x É 3×10-3 torr |³ m ô { þ [ \ | Ï " # Ð S %Ñ É 500W Ò Ó ³$ " 5 6 dn( ) 5 6 10% q, 6 7 Ô ¸ ô ¹  Š« Õ < =  e 9 10 o Ö Â× F Ø 6 7 $ %( ) ( ) ; Ù 5 o Ö 76 7 ö . @ A( ) 1 2 ¼ \ 1 2 ¼ \ Ï q: Ú Û { þ : 2×10-6tor m ô { þ : 3×10-3 torr " # 5 6 : 500W . @ Aù : 0~3% Â( ) Ü l / ò (Al2O3)E F ¹ Õ ³ ´ / µ 6 7 300oC~500 oC o p a L 4 r g Ý [ \ á â ú 4 ESI - 2370 UV Þ " ß £ à 6 7 ß £ É 100KΩ
(44) ±0.1 ³Þ " ß £ Ï ËO : ©LSRß £ ¼ \ à K LSR conditions Q-rate 28KHz Bite-size 2.5µm Speed 70.00 Power 0.3W Distance 300µm Spacing 40µm ãô 4 á k2 á 4 â ã m ³v S k 99.5%Ëä E á k P-type(100) ñ r å 7n ¸ 7 Ñ i # Gl / ñ ( ) G #æ ( ) Ë4 m ô < = kÎ < l < ³v S k 99.99%hE F a L _ Ù ¸ 6 7 E F ç Ôè ¸ ÂC D ^ ñ r å ¸ |o 8 Õ È º é ®º » ê ë 4 ¾ ¿ À Á ç Ô Â e ^ G Xà K ì í Xà î / KA  ^ Õ È Xï U f o  ª ð û ê ë 3A 4 ¾ ¿ À Á ç Ô Â e ì í º é ®º » ^ |!. < Ä Â ^ Å Æ E F a L |¹ Õ Ç = ^ ñ 6 7 ) ò ó ( ) ; ¼ \ ÷ ø ( ) 3.
(45) [13]² 5 g ; ¶a L | É ~ Ý 0 + g u o p V S H G;Ë O :. à. K + 6 7 ( ) ô \ ( ) à K X( ) 5 6 k 2kWyU z { k-200VE F á õ k 17cmE F V S k 25öÇ = ³ ´ { þ k 4.7~5.010-5 torrm ô { þ _ k 1.1~3.810-3 torrm ô < = t Ì ù 6 (O2/Ar) X 10/90©30/70©50/50©70/30, - ; Ù _ k 30 minsG_ Ù l / m s¥ ( ) à K G©l Î l E. F. @. /. Aù. ' (O2/Ar). m. (. Cu/Si. à. . Ì. 300 oC©400 oC©500 oC u E F j 8 É u (3%). / Y ] A ý L Ï ³ W K d Ï3 (). (A). K. E. F. E. á. V. S ( ö) z. { (-V). (. ). ; Ù (min). 500nm. (C). 10/90© 30/70© 50/50©70/30 10/90© 30/70© 50/50©70/30. Cu/Si. ). s. 25. 0. 25. 30. 200. (A)300 oC (B)400 oC (C)500 oC . 30. (µΩ-cm). . . SEM . . . . . . . 4.1 4.1.1 6 0 ó ( ) o 8 ( ) nl / ò (Al2O3) E F G ô \ ( ) 5 6 500W Õ 0~3% . < @ A(0~30sccm)4 ÷ ¾ ) ø Aý 3 ËO ^ _ ` PQ . @ AT U a b 6 G x 1 2 à K . < @ AkÍ ; ³, - k0 Ë 6 ^ d` h. < @ A T U ; ³ j . / 0 (β-Ta)³÷ ¾ Aý C D E F Ta 6 k 230µΩ-cmβ-Ta 6 k 360~700µΩ-cmº u 6 P Q . È AT U b 6 G x (µΩ-cm) . . . . . . . .
(46) . 4.1.2 L o p L o p äù õ~ ´ / µ g ; ¶a L þ ² ¤ . H. ³. 6 L u. . .
(47) . . k S k TaN . R1 : Resistance at reference temperature R2 : Resistance at test temperature t1 : 25°C Test temperature (t2): –55°C ~ +125°C Spec. TCR: ±25 ppm/°C TCR A ý L M Ï3 u È . A ~ d E F ³ V S W K z Z õ~ H z Z õ,Ï3÷Ë O. . . . . 300oC~500 o ³ ´ / µ ¶a L . / 0 l / ò E F 6 7 ß £ 100KΩ4 TCR A ý 6 7 ³ ² V : / Ò S ý ³ ý ? 125~-557 4 ÷¾ ) ø A ý Ta : / õÏ3Ë O A ! V S W K @ Õ : R − R1 TCR= 2 × 106 (ppm/°C) R1 (t2 − t1 ) Â. . . . . 4.1.3 V S W K o p. . . . . . . ú (3%). / 0 300 oC©400 oC©500 oC 5 | ! û ü N ý u ³ r ¤ o p ~ u 7. 4.
(48) . . .
(49)
(50) . . . . . . . . . . .
(51)
(52) . . . . . Intensity. . Zr: Cu: ZrO2: . . |. . . . m(111) t(101) c(111). 00 o . c(220). . c(111). . ù. c(200). . . . ¤ y U z { ^ 10/90 qv m r s ^ H N O y U ´ Ñ R / hw x L r ¢ P Q l @ A w x / m r s B h ^ ` y U z { | º ` ¡ 4 [ \ r s. - s : / ² n l /Î @ A L r / } S ~ z { z { º 4 L / } S [15-17] L r s [ \ l s ~ n ¤ y U z { w S , - P Ê l / m s º j ~. 300 o . . . 20. 30. 40. 50. 60. 70. 80. 2 theta . . . . . ! ". #. $. 00 o . %. O2/Ar=70/30 O2/Ar=50/50 O2/Ar=30/70 O2/Ar=10/90 XRD &'. . . . . . I. . c(220). m(111) c(111) c(111). . c(200). . . . Zr: Cu: ZrO2: . . . . Intensity. . . . . . (a)O. . . .
(53)
(54) . . . . . TCR .
(55) . 4.2 4..2.1 XRD o p 3 3k XRD " 3 3º n ¤ y U z { ^ 3 e E F æ Ë ´ Ñ " ¿ ¢ B l / Î @ A ù 10/90 ; r s kv m % Ý r r s c(111)hb l / m L r s @ ¡ ( ) ql / m a n b r k Ø Ù l m ó Ù 7 ¤ j $ % ¦ L ` ¡ 4 r s t u v m L r s º `
(56) ý k` E F V S d a b w S , - Ø ÷ TA U G l @ A d h TU l < m ó j $ % ¦ L ` ¡ i j t u v m L r s P Q l @ A w x L r s : kl / m s N O l < m ó C j $ % ¦ L 7 s ¹ A Ñ j ¶ 6 L r Ñ i[14]³ 3 l / m L r s î è L r Ý Z k t(101) Q k Ý r (101) r s ¡ ¢ n H l < > q XRD L M º u ZrO2 ö Ý Z Ñ i äÝ Z Ñ i Y ] : Â4 L X :
(57) h² E F y U -200V z { | ` E F V S d l @ A ÷ T ,. 20. (. . 30. -200V . 40. 50. 70. 80. ! " # $ ' . 4.2 L () 3 (a) É (d) k¤ @ A ù ^ u t u ¤ y U z { ^ 3 ^ 8 i j ¡ d ;@ Î < . x n r L 8 Ø c d ! 3 Å @ A ù q( ) á O X~ ` \ . Ù , - B E á j X ~ H © ` l $ % ¦ L h4 r 5. 60. 2 theta. O2/Ar=70/30 O2/Ar=50/50 O2/Ar=30/70 O2/Ar=10/90 %. XRD &. U z { ÷ ø l Î 3 L M ³ 3 l Î @ A ù 10/90 O X N | ` Ù ` k l @ A Ê ` ¡ , - 6 H X ` , - & 6 º L Ì ¢ n d l l ! Î . ` ¡ Xx n j i G Ø ` ¡ ~ P | < m ó Ù Ë j 6 7 Ñ iA w x l @ y. . (c.
(58)
(59) [11] ! " # $ %& ' (! ) * + , -. / 0 1 2 3 4 5 67 8 2 9: ; < 4 5 = > ?@ 8
(60) A B CDE(a)F(d) G H I200V J K L M N O (P Q $ R S T U DV W 6X Y A T U Z [ A \ ] ^ _ ` 67 a?1 ` 67 b -c d e f ! C (a)O2/Ar:10/90. ¥. ¦. f. §. ¨. ©. . 67. (a)O2/Ar:10/90 470nm. 5. . f. 42nm. Cu SiO2. 100 nm. (d)O2/Ar:70/30. (c)O2/Ar:10/90. 71nm 459nm. Zr. Zr. 100 nm. 100 nm (d)O2/Ar:70/30. (c)O2/Ar:50/50. 100 nm )(a)*(d)+ % , - . / SEM . . $. !. " . . # $. 100 nm. 100 nm. 100 nm. 100 nm. (a)(d) -200V . SEM .
(61). . . 0(a)*(d)+ % 5 6 - TEM 1. 100 nm. 2. 3. 4. ! ". . #. 4.2.3 « ¬ « < t p ®¯ \ ° ± ² ³ ´ µ ¶ t · 8 q¸ ³ ´ ¹ w L º » ¼ (α-step)½ l t q¾ T 8 ¿ %> ª À « < ÁN O s t u v w ¾ « DÂ- « ' à DlDn o ÄG H J K R S Å « L (/P Q $ 10/90 s t u v w Æ 4 Ç b « ¬È 470nmÉ 9Ê (Q > Ë P Ì Í Î 9: Ï %4 Ð y | 6~9 Ñ Ï Ò n Ó Ô Õ = > Ö × Ø Å Ù Ú 6 > ((Q $ w s t Û Ü É Í Ö × Ø Ý P Ì Í Æ 4 Þ ß à á â 9: 4 Ð 8 2 ã¿ É Í ä ®Ü \ å æ 9: ¨ © > ( r w T 8 « a? ç q « ¬ç (Q è H ?= > @ 8 : A B É 9 s t , 3 Å , Î ( . Ö s t É Í é ! ê 6?Ö Û Ü T 8 (! ) ë ì ¾ s t Û Ü É Í à f [18]a Ê í 8 q( . Æ %î ï , Î ð( . ñ î ä \ ? è H ñ î É Í ò ó ¾ ô à 9: @ 8 y. z 6à õð= > 9?ë ì Ï w = « Z ç C ®¯ G H -200V J K q1 « f ! Ö Ä G H J K p R S O Z ö « L (/P Q $ 10/90 s t u v w Æ 4 Ç b « ¬È 459nm@ 8 É 9Z Ö J K p R S O a: $ J K p q> ( r s t u v n Y A G H J K qR S « J K p R S « É 9; < G H J K q 67 é { ! ÷ ø ?@ 8 « [15-17]a?%( r s t u v w -9 Ï > ?c d e f ! C. 100 nm . C. Zr. 100 nm. (b)O2/Ar:30/70. 100 nm. ª. (b)O2/Ar:70/30 Zr. Si. 4. . (g) h i V W Dj(a)F(d) %> (kP Q $ R S h i V W lDm n o G H J K p q> ( r s t u v w x 67 [ A y z 6{ | } ` y67 ~ L 2 XRD 2 ? XRD J K p q c(111)C V W %(Q w h i D x 67 c A { } ` y67 T U e : s t u v w 67 2 ~4 5 > O XRD 6X %( r w ¡ ¢ 2 £ ¤ 2 6.
(62) . . # . $ %. /. . . /. . /.
(63) . ". . -200V. Films thickness(nm). . . . . . . ! (nm). 6. 10/90. 470. 5. . 30/70. 366. . . 50/50. 56. /. . . 70/30. 43. 3. /. . . 10/90. 459. /. . . 30/70. 67. 2. /. . . 50/50. 83. /. . . 70/30. 71. 300 200 100 10. 7! . 30. . O2(%). $. %. 50. % 8. 70.
(64) . 10 !. 30 . 50. 70. O2(%). $. % ,. -. 9 :. .
(65). . 4.2.5 S × S × b ç « ¬b ? f ! : < R S b L M Ý 67 Ù Ú Ö Z S × ' Æ 4 Ê 3 ¬/ 0 CDE S × ' Ã D S × ! " ä 0.66~150.3(ohm/sq)¿ aÅ G H J K q1 S × Ï d e % Ä G H J K R S n à É 9G H ÊJ K n ¨ 67 é { ! ÷ ø y. { z 6?¨ © 67 Ý Ä G H J K R S 9: b # þ S × C G H Ö ÄG H J K R S Å (/P Q $ 10/90u v w l ¾ T 8 9: S × ' Ç > C. 400. 0. 4. 7. no bias bias applied. 500. no bias bias applied. 7. !. Rms(nm). &.
(66). . Sheet resistivity(ohms/sq). 4.2.4 ù ú ¬ DÂ ù ú ¬' Ã Dl DÅ n o ÄG H J K R S Å L > ( P Q $ 10/90 ù ú ¬ Ç b (6.583 nm)n à 9 Ï %4 Ð y | 6 9: Æ 4 û y z 6à õZ ü ý T 8 4 5 % 67 ?é b ù ú ¬Cç q þ (Q q9( Ö é ê 6 ½ l b 8 ? 6y 2 [14]¨ © y T 8 (! y aÊ þ (Q q l P Ì Í . @ 8 É Í Û Ü s = > ~, Î ( ?. Ö Û Ü 8 (! ) ¨ ©
(67) s À É Í à f [18]a 9( Æ 4 û ñ î 9: 8 , 3 í ã, Î ( . ñ î í 8 \ ?è H ñ î É Í ò ó ¾ ô ß à a® É 9 , Î ?. ¨ y z 6f § ? y 2 9 : [ A ç (Q ðè H ù ú ¬ç C? G H J K q1 ù ú ¬ > J K p R S n à É 9 G H ÊJ K n ¨ 67 é { ! ÷ ø y { z 6?¨ © ù ú ¬ðw = [15-17] Ï ÷ ø Z n à @ 8 ù ú ¬w = É 9C. no bias bias applied. 150 100 50. 7. 0. 10. !. 30. 50. 70. . O2(%). $. %. ; . .
(68). . $! % ø (! & ®¯ Å × 9$ ( H ¨ × Ï è H * × f ! Ï ) 9T 8 $! % ¨ © × f ! Ï J > , 9* ¬× + ' b Ö Ü , - . Ú ð4 / [19]?H $ 0 n è H × Ï * ) 9H $É Í N n ¨ 1 2 Ü , ¥ 3 4 5 ð96 C × Ü , Å Ê* ¬%> f ! + { ¬7 b N ü ý 98 9 * ¬ ð%> ¨ © × Ï \ Õ w = ?ä × . 7. Ï. '.
(69) [5] P.A.Neff , B.K.Wunderlich , S.Q.Lud and A.R.Bausch, Physica Status Solidi (A) Applied Research, 203[14] 3417-3423 (2006). [6] A.C.Burgess, R.O.Lussow and G. .E.Melvin, IBM Technical Disclosure Bulletin, 26[4] 1973-1974(1983). [7]o p q ,8 b " Ü , g " Ö r 3 " X ¾ s t u (2001). [8]S. Y. Lee, H. Kim, P. C. Mclntyre, K. C. Saraswat, and J. S. Byun, Appl. Phys. Lett., 82[17] 874-2876(2003). [9]S. Harasek , H.D. Wanzenboeck , B., Basnar, J. Smoliner, J. Brenner, H. Stoeri, E. Gornik and E. Bertagnolli, Thin Solid Films , 414199-204(2002). [10]J.H. Hong, W.J. Choi and J.M. Myoung, Microelectronic Engineering , 70 35-40(2003). [11]S.H. Jeonga, I.S. Baea, Y.S. Shina, S.-B. Leea, H.-T. Kwakb and J.-H. Booa, Thin Solid Films 475 354- 358(2005). [12]F.C. Chiu, Z.H. Lin, C.W. Chang, C.C. Wang, K.F. Chuang, C.Y. Huang, J.Y. Lee, and H.L. Hwang, Journal of applied physics 97[3] 1-4 (2005) [13] v w x
(70) ß [ v × Ü , Y Ö ' U V y z m { g " | } . ~ U V #W 8 X (1993)C [14]C.R. Aita, Journal of Vacuum Science Technology, A11 1540-1547(1993) [15] X. H. Li, A. P. Huang, M. K. Zhu, Sh. L. Xu, J. Chen, H. Wang, B. Wang, B. Wang and H. Yan, Mater. Lett., 75 4655-4659 (2003). [16]A.P. Huang and P.K. Chu, Journal of Vacuum Science and Technology B121, 244-247 (2005). [17]A.P. Huang, P.K. Chu, H. Yan, M.K. Zhu, Journal of Vacuum Science and Technology B23 566-569 (2005). [18]T. Kimuer and T. Goto, The 2nd International Conference on Technological Advances of Thin Films and Surface Coatings & The 1st International Conference on Nanotechnology, Meritus Mandarin, Singapore(2004) [19] L.B Freund and S.Suresh, Ü , - õ ðT 8 \ ! g " (2007). [20] h Ö Ü , (2007).. . : 3 Å ) ; < , = > 1 × ¨ © ? × @ A %B { ¬yS × 9 { ¬è H N C UV = ! ÷ ø ¨ © $ ! % × 9?D f = E F Ü , ' D f × f ! Ï [20]qG ¸ : : 3 ø x / : 3 : ÷ H ø × Í I J AEC-Q200 K L 0201
(71) M N yS × C Cu/SiO2/Si ®¯ \ (! > ( r w [ A ? (! y ç ï (Q þ (! C ®¯ G H -200V J K q y 6y! 3 ¬ J K p R S %ç ï (Q þ L 4 5 O y(! P ä ÄG H J K R S 9G H J K qn þ Q É Í R Î ß à 9: ¨ © G H J K q (! y n T 8 4 5 O y C ç ï (Q ðè H T U l4 5 %b ` 6 7 á f S 3 4 5 T ` 67 a? ù ú ¬Z ç (Q ðè H ?= > C V W h i Y A G H J K p q> ( r s t u v w x 67 [ A y. z 6{ | } ` y67 ~L 2 a %(Q w h i D x 67 c A { } ` y67 T U e : s t u v w 67 2 ~4 5 > C: G H J K q1 S × Ï d e % Ä G H J K R S C ×. - U V #W L H ø × Í X Y à ô Z Y 0201
(72)
(73) ß [ v × Ö × ü C × \× ü ] ø ^ _ s t ` À $! % \(! # W É 5 a b · 8 : c ã#W d · 8 $ ! % × \(! × ü : 3 Ö O 6X ) 2007 b à e Ö f × g h U i . \ 2008 b Ü , b . Y Cc g É j k ¸ : : 3 ø x / : 3 : ÷ H ø × Í I J AEC-Q200 K L 0201
(74) M N yS × Ö × ü * Ä l © 97 b m g . #W n Ð C
(75) . . . [1] R.W.Johnson , T.L.Phillips, R.C.Jaeger, S. F.Hahn and D. C. Burdeaux, Surface and Interface Analysis, 22[1] 149-155 (1994). [2] Y.Taga, Surface and Coatings Technology, 112[1-3] 339-346(1999). [3] M.Suzui, S.Tokito and Y.Taga, Materials Science & Engineering B: Solid-State Materials for Advanced Technology, 51[1-3] 66-71(1998). [4] D.Wiens, Advanced Packaging, 15[8] 26-29(2006). 8.
(76)
相關文件
Dichroic filter, UV-IR filter , PBS & Mirror.. CMOS Bare Glass CMOS
非採用國圖系統建檔之學校，若欲隱藏中英文摘要
Publication bias The publication or non-publication of research findings, depending on the nature and direction of the results Time lag bias The rapid or delayed publication
根據商務活動之舉辦目標及系統需求，應用 Microsoft Office 文書處理 Word、電子試算表 Excel、電腦簡報 PowerPoint、資料庫 Access
(軟體應用) 根據商務活動之舉辦目標及系統需求，應用 Microsoft Office 文書處理 Word、電子試算表 Excel、電腦簡報 PowerPoint、資料庫 Access
嫌犯被逮捕後表示當初 從網路上搜尋取得或他 人指定之中小企業公司 會計部門或負責人寄送 含惡意程式之電子郵件，.
at each point of estimation, form a linear combination of a preliminary esti- mator evaluated at nearby points with the coefficients specified so that the asymptotic bias
9.統一發票如採電子發票開立者，依電子發票實施作業要點規定，由營業人
