類 別 : 電 機 （ 甲 ） 、 儀 電 節 次 : 第 二 節 科 目 : 1 . 電 路 學 2 . 電 子 學

1.電路學 2.電子學 第 1 頁，共 6 頁

經濟部所屬事業機構 105 年新進職員甄試試題

類 別 : 電 機 （ 甲 ） 、 儀 電 節 次 : 第 二 節 科 目 : 1 . 電 路 學 2 . 電 子 學

注 意 事 項

1.本試題共 6 頁(含 A3 紙 1 張、A4 紙 1 張)。

2.可使用本甄試簡章規定之電子計算器。

3.本試題為單選題共 50 題，每題 2 分，共 100 分，須用 2B 鉛筆在答案卡畫記作答，於本 試題或其他紙張作答者不予計分。

4.請就各題選項中選出最適當者為答案，各題答對得該題所配分數，答錯或畫記多於 1 個 選項者，倒扣該題所配分數 3 分之 1，倒扣至本科之實得分數為零為止；未作答者，不 給分亦不扣分。

5.本試題採雙面印刷，請注意正、背面試題。

6.考試結束前離場者，試題須隨答案卡繳回，俟本節考試結束後，始得至原試場或適當處所 索取。

7.考試時間：90 分鐘。

3 [A] 1. 電流i t 5 cos ωt 36.87° 10 cos ωt 53.13° A，如改用相量表示為何？

(A) 11.2∠ 26.6° A (B) 11.2∠ 53.2° A (C) 22.4∠ 26.6° A (D) 22.4∠ 53.2° A 6 [B] 2. 有一弦波電壓V t 300 cos 120πt 30° V，當t 2.778 ms時，電壓值為何？

(A) 0 V (B) 150 V (C) 212 V (D) 260 V

9 [C] 3. 有一電壓源V t 100 20 cos 3t 20° 10 cos 5t 10° 10 cos 7t 30° V 串聯1 Ω電 阻，則1 Ω電阻所吸收之平均功率為何？

(A) 5300 W (B) 8050 W (C) 10300 W (D) 10525 W

12 [D] 4. 有一 RLC 並聯電路，其自然響應V t A sin ωt，A 為常數，α 0，ω 0。有關V t 敘

述，下列何者有誤？

(A)電壓會在正值、負值間交替 (B)電壓振盪的幅度呈指數衰減

(C) α值會影響電壓衰減的速度 (D)此為臨界阻尼響應

15 [D] 5. 有一弦波電壓源連接 RLC 串聯電路，R 50 Ω，L 50 mH，C 80μF。欲使電路出現最大

電流振幅，則電源角頻率ω 值為何？

(A) 200 rad/s (B) 300 rad/s (C) 400 rad/s (D) 500 rad/s

18 [B] 6. 有一電容器C 0.5 F ，其電流i t 6t A。已知t 0 s時，電容器上之電壓為 2 V，求t 1 s

時，儲存於電容器之能量為何？

(A) 8 J (B) 16 J (C) 24 J (D) 32 J

21 [C] 7. 有一電壓V t 20√2 cos ωt 10° V，連接阻抗Z 10 Ω，則其複數功率大小為何？

(A) 10 VA (B) 20 VA (C) 40 VA (D) 80 VA 24 [D] 8. 關於 RLC 串聯諧振之敘述，下列何者有誤？

(A)電路阻抗最小 (B)頻寬與品質因數 Q 成反比

(C)功率因數為 1 (D)電源頻率大於諧振頻率時，電路呈電容性

1 [D] 9. 有一元件之電壓及電流分別為v t 3 cos 3t 20° V，i t 2 sin 3t 30° A，則電壓和 電流之相位關係為何？

(A)電壓領先電流10° (B)電流領先電壓10° (C)電壓領先電流100° (D)電流領先電壓100°

4 [B] 10. 一個 25 μF 之電容器兩端加上電壓V t 10 sin 200t V，則電容阻抗值為何？

(A) -j100 Ω (B) -j200 Ω (C) -j400 Ω (D) -j600 Ω

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1.電路學 2.電子學 第 2 頁，共 6 頁 7 [B] 11. 有一電阻R 2 Ω，將其通過i t 4 sin ωt 30° A之電流時，電阻消耗之功率為何？

(A) 8 W (B) 16 W (C) 24 W (D) 32 W

10 [A] 12. 有一 RLC 串聯電路，連接一個 60 Hz，100 V 之電源。電路之R 10 Ω， X 50 Ω，

X 0.5 Ω，則此電路之諧振頻率為何？

(A) 6 Hz (B) 12 Hz (C) 18 Hz (D) 24 Hz

13 [C] 13. 有兩條銅線，銅線 A 的直徑及長度皆為銅線 B 的 2 倍。若在兩條銅線加上相同電壓，則銅線 A 所消耗功率為銅線 B 的幾倍？

(A) 1/4 (B) 1/2 (C) 2 (D) 4

16 [C] 14. 有一電源所提供之電壓及電流分別為V t 20 sin ωt V，i t 40 sin ωt 30° A，則電源

所提供之平均功率為何？

(A) 200 W (B) 400 W (C) 200√3 W (D) 400√3 W

19 [B] 15. 有一電感L 100 mH，當t 0，其兩端電壓為 0 V。當t 0，其兩端電壓V t 20t V。假

設 t 0時，i 0 A。求t 0.2 s時，i 值 ？

(A) 1.05 A (B) 1.19 A (C) 2.11 A (D) 2.37 A

22 [B] 16. 有一 RLC 串聯電路，R 560 Ω，L 100 mH，C 0.1μF，其電流之自然響應特性為何？

(A)過阻尼 (B)欠阻尼 (C)臨界阻尼 (D)無阻尼

25 [C] 17. 如右圖之電路，t 0 s時，S1閉合，t 5 s時，S2

閉合。當0 t 5時，求電路之i t ？ (A) 4 1 A (B) 6 1 A (C) 4 1 A (D) 6 1 A

2 [B] 18. 如右圖之電路，t 0時已達穩態。當t 0 s時，

瞬間將開關斷路，則t 48 s時，求V ？ (A) 10 V (B) 20 V

(C) 10 V (D) 20 V

5 [D] 19. 如右圖之電路，t 0時已達穩態。當t 0 s時，

瞬間將開關斷路，則t 0時，V t ？ (A) 10 5 V (B) 15 10 V (C) 25 15 V (D) 25 20 V

8 [D] 20. 如右圖之電路，電感在t 0 s時，i 0 2 A。

求t 0時，i t ？

(A) 3- A (B) 3- A (C) 4-2 A (D) 4-2 A

11 [C] 21. 如右圖之電路，t 0 s時，開關瞬間閉合。

則t 1 ms時，電壓V ？ (A) 2 V (B) 6 V (C) 12 V (D) 16 V

t=0 S1

40V 4Ω

S2 t=5s 2Ω 10V

6Ω

5H

i

4Ω 4Ω

8Ω

8Ω

V¹ 2F V^C

8Ω t=0

100V

25V

Ω

0.25F V^C 1Ω t = 0

8A

2Ω

2Ω

0.5H

i

V^L

60V

20Ω 5Ω

t=0 1mH V^L

1.電路學 2.電子學 第 3 頁，共 6 頁

14 [D] 22. 如右圖之電路，t 0 s時，開關瞬間閉合。

求t 0時，V t ？

(A) 6 V (B) 12 V (C) 16t V (D) 32t V

17 [A] 23. 如右圖之電路，從 VOC兩端點看入之

戴維寧等效阻抗為何？

(A) 40 j10 Ω (B) 50 j10 Ω (C) 30 j20 Ω (D) 60 j20 Ω

20 [C] 24. 求右圖電路之i ？

(A) A (B) A (C) A (D) A

23 [D] 25. 右圖電路之V =aV1+bi2+cV3，求a+b+c=？

(A) 1 (B) 2 (C) 4 (D) 8

28 [D] 26. 如右圖之電路，在下列哪種條件下，其電壓增益值V V⁄ 與

頻率無關？(OP：理想運算放大器) (A) R1C2 = R2C1

(B) R1R2 = C1C2

(C) C1 = C2

(D) R1C1 = R2C2

31 [B] 27. 如右圖之電路，流經 Rf的電流值If為多少？

(OP：理想運算放大器；D 為二極體，其導通電 壓 = 0.7 V；VZ：稽納二極體的逆向崩潰電壓) (A) 0.14 mA

(B) 0.28 mA (C) 0.42 mA (D) 0.56 mA

34 [D] 28. 如 右 圖 之 電 路 ， 要 確 保 此 電 路 可 以 開 始 振 盪 ， 其 條 件 為何？(OP：理想運算放大器)

(A) R R⁄ 2 (B) R R⁄ 2 (C) R R⁄ 2 (D) R R⁄ 2

37 [C] 29. 轉導放大器(Transconductance Amplifier)的理想特性為何？( Ri：輸入阻抗；Ro：輸出阻抗) (A) R ∞，R 0 (B) R 0，R ∞ (C) R ∞，R ∞ (D) R 0，R 0

4Ω

12V

2Ω t = 0

2H 81 F V^C

0˚A V 5

3V j10

VOC

10Ω

2A 3ix

6Ω 8V

i^x 3Ω

V¹ 10Ω

V³

i² V^O

40Ω

VI

Vo

OP C2

R2

C1

R1

Vo

OP R2=50kΩ R1=100kΩ

Rf=10kΩ If

Vz=5.6V D1

Vs=10V 74kΩ 252kΩ

Vo

OP R2

R1

C R C R

VI

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1.電路學 2.電子學 第 4 頁，共 6 頁

40 [A] 30. 一理想矽質 PN 介面的二極體，在T 300 K時 V 26 mV ，其逆向偏壓的飽和電流為

I 2 10 A且n 1，請問在順向偏壓+0.65 V 時的電流值為多少？

(A) 1.44 mA (B) 2.88 mA (C) 3.44 mA (D) 4.05 mA

43 [B] 31. 如 右 圖 之 電 路 ， 假 設I I 100 μA， 所 有 的 MOSFET

(Q1~Q4)的爾利電壓(Early Voltage)|V | 50 V，且g 0.5 mA V⁄

，忽略基體效應(Body Effect)，請問輸出電阻 Ro的值為多少？

(A) 116 MΩ (B) 126 MΩ (C) 256 MΩ (D) 502 MΩ

46 [C] 32. 如右圖之電路，假設 MOSFET Q1、Q2、Q3之工

作點均在飽和區且忽略爾利效應(Early Effect)，

g 0.5 mA V⁄ ，Q3 與 Q2 的通道寬度比W W⁄ 1.2，試求此電路的小信號電壓放大倍數 vo/vi等於多 少？

(A) 70 (B) 80 (C) 90 (D) 100

49 [A] 33. 如右圖之電路，假設 I 10μA，BJT Q1、Q2、Q3的電流增益β 均為 80，V 25 mV，且爾利電壓 (Early Voltage)|V | 100 V

，求Ro的電阻值為多少？

(A) 191 MΩ (B) 291 MΩ (C) 391 MΩ (D) 491 MΩ

26 [B] 34. 對一 MOSFET 以一固定的 vG S電壓操作在飽和區，在 vD S 4 V時， 2 mA，且 vD S 8 V

時， 2.1 mA，請問其爾利電壓(Early Voltage)|V |為多少？

(A) 70 V (B) 76 V (C) 80 V (D) 86 V

29 [B] 35. 對一增強型的 PMOS 電晶體，其 k W L⁄ 90μA/V ， V 1.5 V，爾利電壓(Early

Voltage) |V | 50 V，將閘極(G)端接地，源極(S)端接 5V，當汲極(D)端電壓 vD 4 V時，

求其汲極電流值 為多少？

(A) 0.14 mA (B) 0.27 mA (C) 0.40 mA (D) 0.59 mA 32 [D] 36. 在積體電路中，NMOS 的基體 (B)端應如何接？

(A)接至電流源 (B)接至汲極(Drain) (C)接至源極(Source) (D)接至最低電壓

35 [D] 37. 使一個 npn 型電晶體操作在 vBE 670 mV， I 2 mA，其 iC對vCE的特性有一斜率為2 10

，當電晶體操作在I 10 mA時，其輸出阻抗值為多少？

(A) 40 kΩ (B) 30 kΩ (C) 20 kΩ (D) 10 kΩ

38 [C] 38. 對一 BJT 電晶體操作在I 5 mA時，在I 10 mA下，其對應的V 140 mV，且

I 20 mA時，其對應的V 180 mV，求其飽和區的R 電阻值為多少？

(A) 2 Ω (B) 3 Ω (C) 4 Ω (D) 5 Ω V

V

Q⁴ Q2

Q³ Q1

I^O R^O I^REF

V^DD

=V^GS+vⁱ v^O

R^L =150kΩ Q1

Q³( ) W³ L

v

( ) QW^{2 2} L

IO

Q3

R=58.5kΩ Q1

Q2

10μA R^O

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1.電路學 2.電子學 第 5 頁，共 6 頁

41 [C] 39. 如右圖之電路，已知此 CMOS 反向器電路的V 0.8 V，V -0.8 V

且K K ，假設 vO1 0.5 V時，請問 vI的電壓值為多少？

(A) 1.55 V (B) 2.06 V (C) 2.86 V (D) 3.75 V

44 [C] 40. 假設有一個運算放大器在開路低頻的增益A 100 dB，當頻率f 10 Hz時，其開路增益的

大小為40 dB，請問此放大器之單位增益頻寬(unit gain bandwidth)值約為多少？

(A) 10 Hz (B) 10 Hz (C) 10 Hz (D) 10 Hz 47 [B] 41. 如右圖的一組並聯-串聯式(Shunt-Series)負回授放大電路，電

晶體參數g g 6 mA V⁄ ，忽略爾利效應(Early Effect) 及基體效應(Body Effect)，電阻R R 10 k Ω及R 90 k Ω

，求電流放大倍數A I I⁄ 為多少？

(A) -6.9 (B) -9.9 (C) -12.9 (D) -15.9

50 [A] 42. 如何有效降低增強型 NMOS 電晶體的 Threshold Voltage 電壓值 VT，下列敘述何者正確？

(A)降低基體(Substrate)的濃度(NA) (B)降低源極(Source)區域的濃度(ND) (C)降低汲極(Drain)區域的濃度(ND)

(D)降低閘極(Gate)區域的 ε ⁄t (ε ：矽氧化層的 permittivity；t ：矽氧化層厚度) 27 [B] 43. 對一 npn 型的 BJT 所組成的共基極(Common Base)放大器，下列敘述何者有誤？

(A)輸入阻抗 R r (很小)

(B)高頻響應比共射極(Common Emitter)放大器差 (C)電流增益 A α 1

(D)電壓增益 A 對β變化的影響小

30 [D] 44. 對一 PN 二極體施加逆向偏壓，有關逆向飽和電流 IS的敘述何者有誤？

(A)逆向偏壓時會產生極小的逆向飽和電流 IS (約10 A) (B) IS由少數載子數量控制

(C)溫度越高，IS會上升

(D) Junction 面積增加會使 IS下降

33 [C] 45. 下列有關 MOS 電流鏡和 BJT 電流鏡的比較何者有誤？

(A) MOS 電流鏡無β效應(有限β值效應)

(B)通常 MOS 電流鏡的V V V V 比 BJT 電流鏡的V V 來的大 (C) MOS 電流鏡 r 的影響比 BJT 電流鏡小(有限 r 值效應)

(D) Wilson 電流鏡的電路可降低 BJT 電流鏡β值有限效應及增加輸出電阻值

I

N1

P1

v^O1 v^O2

N2

P2

VDD =5V

v

Q1

Q2

VDD

R^D IO

R^S R^F

I^S

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1.電路學 2.電子學 第 6 頁，共 6 頁 36 [B] 46. 如 右 圖 的 電 晶 體 放 大 電 路 ，g 2 mA V⁄ ， r

100 kΩ，R 6 kΩ，R 100 kΩ，求小信號電壓放 大增益值 vo/vi為多少？(C1、C2及CS可視為短路) (A) -5.7

(B) -10.7 (C) -20.7 (D) -30.7

39 [A] 47. 如右圖的數位邏輯電路，A、B 為邏輯輸入，請問 Y 輸出為何？

(A) AB AB (B) A B (C) AB (D) AB AB

42 [A] 48. 開路放大器的增益函數A s ，當回授因子β值為多少時，會使閉回路放大器成為臨 界阻尼響應。

(A) 0.525 (B) 0.625 (C) 0.725 (D) 0.825 45 [A] 49. 如 右 圖 之 電 路 ， 假 設 所 有 電 晶 體 完 全 相 同 ，

V on 0.7 V， V sat 0.2 V且 爾 利 電 壓(Early Voltage)|V | ∞，並忽略電流 IB，請問要使此電路 操作在線性區域內 [ vomin , vomax ]，其輸入電壓值 vI

要在哪種範圍？

(A) -3.6 V vI 5.5 V (B) -3.6 V vI 6.5 V (C) -2.6 V vI 5.0 V (D) -2.6 V vI 6.5 V

48 [D] 50. 如右圖之電路，一個 MOSFET 放大器的小 信 號 高 頻 等 效 電 路 ， 假 設R 100 kΩ，

g 4 mA V⁄ ， R 5 kΩ ， 且 C C 1 pF，R 100 Ω，請問高頻-3dB 的 值 為多少？

(A) 367.6 k rad s⁄ (B) 453.5 k rad s⁄ (C) 566.3 k rad s⁄ (D) 623.0 k rad s⁄

RD

IQ

RG= 200kΩ

v

C1

V

V C2

v^O

RL

CS

IC2

Q2

Q3

V = -5V IC3

IB 0～～

R=1kΩ

IL

RL=1kΩ Q¹

V =5V

IE1

v^O vI

v

Rsig

gm

v

RS

S Cgs

G

v

Cgd D

R'^L

v

B

A

B A

A

Y