• 沒有找到結果。

增強散熱效果的發光二極體陣列封裝結構;LIGHT EMITTING DIODE ARRAY PACKAGE WITH ENHANCED HEAT DISSIPATION EFFECT

N/A
N/A
Protected

Academic year: 2021

Share "增強散熱效果的發光二極體陣列封裝結構;LIGHT EMITTING DIODE ARRAY PACKAGE WITH ENHANCED HEAT DISSIPATION EFFECT"

Copied!
2
0
0

加載中.... (立即查看全文)

全文

(1)

【19】中華民國      【12】專利公報  (U)

【11】證書號數:M570533

【45】公告日: 中華民國 107 (2018) 年 11 月 21 日

【51】Int. Cl.: H01L33/64 (2010.01)

新型     全 2 頁 

【54】名  稱: 增強散熱效果的發光二極體陣列封裝結構

LIGHT EMITTING DIODE ARRAY PACKAGE WITH ENHANCED HEAT DISSIPATION EFFECT

【21】申請案號: 107209892 【22】申請日: 中華民國 107 (2018) 年 07 月 20 日

【72】新型創作人:蘇忠傑 (TW) SU, JUNG-CHIEH

【71】申 請 人: 國立臺灣科技大學 NATIONAL TAIWAN UNIVERSITY OF SCIENCE AND TECHNOLOGY

臺北市大安區基隆路四段 43 號

【74】代 理 人: 莊世超

【57】申請專利範圍

1. 一種增強散熱效果的發光二極體陣列封裝結構,適於裝設在一散熱器上,包括: 一封裝 基板,設置於該散熱器上,並且具有一電路層及一絕緣層,該絕緣層位於該電路層之 上; 一發光二極體陣列,包括排列成陣列形式的複數發光二極體晶片,其中每一該發光 二極體晶片皆是直接安裝於該封裝基板的該絕緣層上,並且電性連接於該電路層; 一透 明導熱基板,設置於該發光二極體陣列的上方; 一色轉換層,塗佈於該透明導熱基板之 一上表面,該色轉換層與該複數發光二極體晶片被該透明導熱基板所隔開; 一第一導熱 框,連接該透明導熱基板之周緣與該散熱器; 一反射式偏光片,設置於該色轉換層之上 方;以及 一第二導熱框,連接該反射式偏光片的周緣與該散熱器。

2. 如申請專利範圍第 1 項所述的增強散熱效果的發光二極體陣列封裝結構,更包括一透明 膠層,覆蓋該發光二極體陣列,其中該透明導熱基板設置於該透明膠層之一上表面。

3. 如申請專利範圍第 1 項所述的增強散熱效果的發光二極體陣列封裝結構,其中該反射式 偏光片具有一以高分子材料製作的基材,該基材的表面具有一奈米微結構,該奈米微結 構朝向該色轉換層。

4. 如申請專利範圍第 1 項所述的增強散熱效果的發光二極體陣列封裝結構,其中該反射式 偏光片與該色轉換層之間具有一空隙。

5. 如申請專利範圍第 1 項所述的增強散熱效果的發光二極體陣列封裝結構,更包括一圍牆 膠設置於該封裝基板與該透明導熱基板之間,並圍繞於該發光二極體陣列的四周。

6. 如申請專利範圍第 1 項所述的增強散熱效果的發光二極體陣列封裝結構,其中該第一導 熱框及該第二導熱框各自以一高導熱螺絲固定於該散熱器。

圖式簡單說明

圖 1 為傳統發光二極體陣列的晶片直接封裝結構示意圖。

圖 2 為本新型之一實施例,增強散熱效果的發光二極體陣列封裝結構示意圖。

- 13934 -

(2)

(2)

- 13935 -

參考文獻

相關文件

紅外線發光二極體的發射強度因發射方向而異

四、裝配 系統裝配 能正確依照氣壓迴路設計圖裝配

entende-se por "conjunto" um jogo de peças de vestuário (excepto os artefactos das posições 62.07 ou 62.08), compreendendo várias peças confeccionadas com o mesmo

• 後段工程是從由矽晶圓切割成一個一個的晶片 入手,進行裝片、固定、接合連接、注模成 形、引出接腳、按印檢查等工序,完成作為元

相較於傳統燈泡,LED具有省電、環保等優點,所以也 有人稱

sort 函式可將一組資料排序成遞增 (ascending order) 或 遞減順序 (descending order)。. 如果這組資料是一個行或列向量,整組資料會進行排序。

1990 年底羅東 SMART1 陣列結束後,為了解不同地質條件下之地動反應中 研院地球研究所隨即於花蓮地區設置了第二個強震儀陣列,即 SMART2 陣列 (Strong Motion Accelerograph Array

雙極性接面電晶體(bipolar junction transistor, BJT) 場效電晶體(field effect transistor, FET).