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第三行動通訊基地台天線輻射場型之測量

第三章 基地台天線之模擬與測量

3.5 第三行動通訊基地台天線輻射場型之測量

本研究實測了第三代行動通訊基地台天線(Kathrein 741794) 的遠場輻射場型與反射損失S11,其中量測系統是使用三埠網路 分析儀(Agilent-E5071B)、標準天線等設備,於開放空間中進 行測量,並應用網路分析儀之時域閘取(Time Gating)功能,將地 面反射波、周圍環境造成的散射波等非直接波消除之而可得直接 波成份,來獲得自由空間輻射場型。時域閘取方法如圖3-18所

然後選取直接波成份,再使用反傅立葉轉換回頻域,即可得直接 波成份的

S

21頻率響應。

本實驗選擇台灣科大電機工程系屋外試驗場進行反射損失 S11與輻射場型測量,實驗環境如圖3-19所示。圖3-20為天線水平 輻射場型之測量架構,其中標準天線為號角天線(EMCO 3115, 1GHz~ 18GHz),此標準天線高1.3m並距待測3G天線10m,兩天 線分別以10m長N型同軸電纜連結至網路分析儀。實測時,待測 天線每次轉動2°來獲得

+ 45

°

− 45

°兩線性極化埠的輻射場型。

所測得之反射損失S11與輻射場型分別討論如下:

(1) 反射損失:圖3-21為反射損失測量結果,此3G天線之-10dB 反 射 損 失 頻 率 範 圍 在 1.6GHz 至 2.4GHz 間 , 可 應 用 於 DCS-1800與W-CDMA(2GHz)雙頻段的行動通訊系統中。

(2) 水平切面輻射場型:圖3-22為3G基地台天線水平切面輻射場 型模擬與量測的比較,兩者的輻射場型相當接近,其中-45°線 性極化埠水平切面之半功率波瓣寬度量測值為62°、+45°線 性極化埠為66°,而增益分別為15.4 dBi及17.8 dBi,此與模擬 值63°及18.5dBi相近。另外,量測所得背向波瓣(Back Lobe)

的場型變化較大,但趨勢仍與模擬相符。

(3) 鉛垂切面輻射場型:圖3-23為3G基地台天線鉛垂切面輻射場 型之量測架構,其中標準天線為號角天線,高2.2m且距待測 天線10m。圖3-24為3G基地台天線鉛垂切面輻射場型模擬與 量測的比較,由於鉛垂切面輻射場型隨角度變化較快,而量 測轉動的角度間隔為2°,並且天線有一等效孔徑及僅有10m 距離,因此所測得的鉛垂切面輻射場型較模擬場型變化小,

不過趨勢仍與模擬相符,其中-45°及+45°兩線性極化埠鉛垂 切面之半功率主瓣寬度量測值均為6.5°,而前後比則分別為 27.3dB及27.4dB,此與模擬值6.5°及25.5dB極為相近,主波 瓣向下傾斜角量測值為2°,與模擬值相同。另外,此天線前

後比並未符合規格中至少30dB前後比的要求,而會產生較高 的同頻干擾。

Mast diameter (D) 0.0762λ

Reflector angle 120

Wire radius 0.004 λ

Length of the 1st and 7th

driven dipoles 0.354 λ

Length of the 2nd and

6th driven dipoles 0.344 λ Length of the 1st and 7th

parasitic dipoles 0.210 λ Length of the 2nd and

6th parasitic dipoles 0.209 λ Reflector height 3.432 λ Reflector width (L) 0.164 λ Distance between driven

dipole and mast surface (d) 0.166 λ Distance between driven

and parasitic dipole 0.019 λ Vertical distance

between element 0.381 λ

圖3-1 GSM雙頻基地台天線[39]單一元素、陣列型式及尺寸。

(a) 解析區域設定 (b) 吸收邊界條件設定

(c) 應用內建Thin Wire建立偶極 天線模型

(d) 波源的設定

(e) 計算H平面輻射場型之設定 (f) 計算E平面輻射場型之設定 圖3-2 XFDTD套裝模擬軟體參數設定說明

圖3-3 雙頻基地台天線範例之XFDTD模型3-D圖

範例之水平切面遠場輻射場型 XFDTD模擬之水平切面遠場輻射場 型

範例之鉛垂切面遠場輻射場型 XFDTD模擬之鉛垂切面遠場輻射場 型

圖3-5 雙頻基地台天線範例之遠場輻射場型結果比較,其中波源 為900MHz單頻訊號。

圖3-6 第二代行動通訊基地台天線(Kathrein 739494)

圖3-7 第二代行動通訊基地台天線(Kathrein 739494)之XFDTD模

圖3-8 第二代行動通訊基地台天線(Kathrein 739494)之XFDTD模 型3-D圖

圖3-9 第二代行動通訊基地台天線(Kathrein 739494)陣列中單一 元素之反射損失頻率響應模擬結果

圖3-10 第二代行動通訊基地台天線(Kathrein 739494)之水平切 面遠場輻射場型,其中波源為1767.5MHz單頻訊號。

圖3-12 第三代行動通訊基地台天線(Kathrein 741794)

圖3-13 第三代行動通訊基地台天線(Kathrein 741794)之XFDTD 模型正視圖

圖3-14 第三代行動通訊基地台天線(Kathrein 741794)之XFDTD 模型3-D圖

圖3-16 第三代行動通訊基地台天線(Kathrein 741794)之水平切 面遠場輻射場型,其中波源為1950MHz單頻訊號。

圖3-17 第三代行動通訊基地台天線(Kathrein 741794)之鉛垂切 面遠場輻射場型,其中波源為1950MHz單頻訊號。

原頻率響應

FFT

傅立葉轉換至時域

Time Gating

選取直接波成份

反傅立葉轉換至頻域

Inverse FFT

圖3-19 天線輻射場型實測環境

圖3-20 水平切面輻射場型量測架構

圖3-21 3G基地台天線之反射損失頻率響應量測結果 Frequency (GHz)

Return Loss (dB)

圖3-22 3G基地台天線之水平切面遠場輻射場型量測與模擬之 比較,其中波源為1950MHz單頻訊號。

圖3-23 鉛垂切面輻射場型量測架構

圖3-24 3G基地台天線之鉛垂切面遠場輻射場型量測與模擬之 比較,其中波源為1950MHz單頻訊號。

表3-1 第二代行動通訊基地台天線之規格

(Kathrein 739494: XPol F-Panel 1800 65° 18dBi)

Type No. 739 494

Frequency range 1710-1880 MHz Polarization +45°/ -45°

Gain

2 × 18 dB

i

Half-power beam width Copolar +45°/ -45°

Horizontal:65° Vertical:6.5° First Sidelobe Level -12dB Front-to-back ratio, copolar >30dB Isolation, between ports >30dB

Impedance 50

VSWR < 1.5

Intermodulation IM3

(2 x 43 dBm carrier) < –150 dBc Max. power per input 200 Watt

表3-2 第二代行動通訊基地台天線(Kathrein 739494)遠場輻射 場型模擬值與規格值之比較

模擬值 規格值

Half-Power Beam Width Horizontal:66° Vertical:6.8°

Horizontal:65° Vertical:6.5° Front-to-Back Ratio, 29.7 dB > 30dB

VSWR 1.1 < 1.5

Gain 18.9 dBi 18 dBi First Sidelobe Level -13dB -12dB

表3-3 第三代行動通訊基地台天線之規格

(Kathrein 741794: Xpol F-Panel 1710-2170 65° 18.5dBi 2°T)

Type No. 741 794

Frequency range 1710-1880 MHz 1850-1990 MHz 1920-2170 MHz Polarization +45°/ -45° +45°/ -45° +45°/ -45° Half-power beam

width, copolar +45°/ -45°

Horizontal:67° Vertical:7°

Horizontal:65° Vertical:6.7°

Horizontal:63° Vertical:6.5° Electric tilt 2°, fixed 2°, fixed 2°, fixed Front-to-back > 30 dB > 30 dB > 30 dB First Sidelobe

Level -14dB -14dB -14dB

Impedance 50 50 50 VSWR < 1.4 < 1.4 < 1.4 Intermodulation

IM3(2 x 43 dBm carrier)

< -150 dBc < -150 dBc < -150 dBc Max. power per

input 300 Watt 300 Watt 300 Watt 表3-4 第三代行動通訊基地台天線(Kathrein 741794)遠場輻射 場型模擬值與規格值之比較

模擬值 規格值

Half-Power Beam Width Horizontal:63° Vertical:6.5°

Horizontal:65° Vertical:6.7° Front-to-back ratio, 25.5 dB > 30dB

VSWR 1.05 < 1.4

Gain 18.5 dBi 18 dBi First Sidelobe Level -13 dB -14 dB

° °

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