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交換式電阻(Switched-Resistor)設計

在文檔中 中 華 大 學 (頁 41-46)

第三章 PGA 的電路設計與理論分析

3.3 交換式電阻(Switched-Resistor)設計

由電晶體開關與電阻所組合而成的電路,可稱為交換式電阻 (Switched-Resistor)電路,顧名思義,就是利用開關切換使得電阻值變 化,而本論文是採用改變源級退化電阻(Rd)的方式變換增益,因為每 一級增益放大器(Gain Amplifier)的增益範圍從 0dB 至 15dB,增益步 階(Gain Step)是 1dB,所以共有 16 個步階,最簡單的電路設計方式就 是用15 個電晶體開關去切換增益,如圖 3.11 所示。

圖3.11 交換式電阻電路

同一時間內,只有其中一個開關是導通(On),其它都是截止 (Off),增益從 15dB 至 0dB 所對應的電阻如下表示:

1 1 1 1 1

2 1 2

15 1 2 15

16 1 2 15 16

d s a b

d s

d s

d

R R R R R R

R R R R

R R R R R

R R R R R

,其中 ,以下依此類推

其中RS表示電晶體的 Ron電阻(Turn-on Resistor),與電晶體的 Size 成 反比。因為 RS是非線性電阻,所以它會使 PGA 產生諧波失真,因此 RS比須非常小,舉例來說,增益 15dB 對應到的電阻為 R1加 RS,R1

與RS至少相差數十倍,甚至百倍以上,才不會對PGA 的線性度產生 影響。除此之外,此電路使用15 個電晶體當作開關以及 31 個電阻,

雖然佔面積,不過電路很對稱,可以降低製程變化對Rd 影響。

3.4 增益放大器的輸入相關雜訊(Input-Referred Noise)

輸入相關雜訊是用來量化電路的雜訊效應,電晶體與電阻都會

產生熱雜訊(Thermal Noise),而且,電晶體還會產生閃爍雜訊(Flicker Noise),這些雜訊經由增益放大,在輸出端量測到稱之為輸出相關雜 訊(Output-Referred Noise),但是輸出相關雜訊無法準確表示出電路的 雜訊效能,也無法與其它電路做雜訊的效能比較。因為輸出相關雜訊 與增益有關,為了排除增益這項因子,所以將輸出相關雜訊回推到電 路的輸入端,也就是將輸出相關雜訊除以電壓增益,這就是所謂的輸 入相關雜訊,用來表示電路中所有雜訊的效應。

輸入相關雜訊的大小會決定電路輸入端的訊雜比(signal to noise

ratio , SNR),在一個系統可接受的訊雜比情況下,輸入訊號越小,則 輸入相關雜訊也必須越小,要求越嚴格 ; 反之,輸入訊號越大,則 輸入相關雜訊要求越寬鬆。因此,輸入相關雜訊對於輸入訊號很小的 時候比較有影響(訊雜比固定的條件下)。

PGA 的增益放大器可以視為三級電路串接(圖 3.7),1 2 視為第 一級,2 3 視為第二級,3 4 視為第三級。因為第二級與第三級電 路所產生的雜訊,經由增益放大之後在輸出端量測到,在回推到輸入

端的過程中,會被第一級的增益衰減(除以第一級的增益),所以第二 級與第三級電路對輸入相關雜訊的貢獻會比第一級小很多,若是第一 級的增益遠大於第二級與第三級的增益,則第二級與第三級電路對輸 入相關雜訊的貢獻可忽略不計,因此本論文只分析第一級電路產生的 輸入相關雜訊,如圖3.12 所示。

圖 3.12 輸入相關雜訊分析

為了便於計算分析,所以將源級退化電阻表示成 2Rd,以下是針 對熱雜訊(Thermal Noise)的推導過程:

1 1

2 2 2 2 2

, ,1 , , ,

1

2 2 2 2

d

m o

m d

n out n n n n R

Av g R

g R

V V V

2

V

3

V

1

1

2

2 2

1 1

2

2 2

1

2

2 , 2 2

, 2

1

2 2

2 4 2 4

3 3

2 4

2 4 ( ) 2

3

16 1

3 8

m

m

m d O

m g d

d

m O O

m d g d

n out

n in m d m d d

m

kT Av kT g R R

g R

R

kT g R kT R

g R R

V kT

V g R g R kTR

Av g

2

3 3

2 3

+

由以上的結果可知,熱雜訊主要是與源級退化電阻Rd 有關,Rd 若是 越小,則熱雜訊也會越小。以下再針對閃爍雜訊(Flicker Noise)做計算:

2 2

,1 1

2

, ,1 2

1 2 2

2 , 2

, , 2

1 2 2

2 2 ,

, , 2

1

2 2 2 2

, , ,1 , , , ,

2 2

2 2

2 2

n m O N

n in

ox

n m O N m

n in

ox m

n m O P m

n in

ox m

n in n in n in n in

V g R K

V Av C WL f

V g R K g

V Av C WL f g

V g R K g

V Av C WL f g

V V V V

2 2 2

2

2

3 3 3

3

3

2 3

由以上結果可知,閃爍雜訊主要是與電晶體的 Size 有關,Size 若是 越大,則閃爍雜訊越小。當頻率f 足夠大的時候,閃爍雜訊對輸入相 關雜訊的貢獻比熱雜訊小很多,所以只需針對熱雜訊做電路設計即 可。

3.5 共模回授(Common-Mode Feedback , CMFB)電路

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