第三章 氮化鎵電晶體閘極驅動電路設計
3.3 啟動電路
3.3.1 使用負電壓源之啟動電路設計
圖3.10 高壓位準調節電路觸發閂鎖電路示意圖
3.3 啟動電路
完成上橋驅動電路的設計後,會發現此驅動電路依然無法正常運作,因為上 橋功率電晶體為一空乏型電晶體,其Normally-on 的特性會使其一開始即無法關 閉,縱使 M1/M2 關閉時,Mtop 之 VGS仍然會藉由寄生電容 CGS維持在 0V,
Mtop 的源極電壓也會迅速到達 VDD,使得 VCC 無法藉由 D1 對 C1 充電進而導 致電容跨壓不足,使Mtop 無法正常關閉。為解決此問題,尚須設計一電路來啟 動上橋閘級驅動電路。
3.3.1 使用負電壓源之啟動電路設計
圖 3.11 中的虛線部分即為啟動電路的設計,包含電晶體 M3、Level Shifter 電路和負電壓源VSS。在電路開始運作時,啟動電路中的電晶體 M3 導通,使上 橋空乏型電晶體的閘極電位約等於VSS,將上橋電晶體 Mtop 關閉,此時電壓源 VCC 經由二極體 D1 對自舉電容 C1 充電,當 C1 跨壓充至 VCC 時,便可以將啟 動電路的M3 關閉。因為 C1 內存在足夠的跨壓,使此驅動電路正常進行切換電 晶體的動作。
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圖3.11 負電壓源之啟動電路
要控制M3 的導通狀態,在啟動電路中需要設計一 Level Shifter 電路,將邏 輯訊號的正位準轉換成負位準,進行此一負電壓(VSS)的開關控制。以下將說 明本研究所使用的方法[14]。
圖3.12(a)為一種基本的 Level Shifter 型式,此電路由兩組如圖 3.12(b)
的電壓鏡(Voltage Mirror)所組成。電壓鏡的目的就是轉換 Vin的位準並由 Vx
輸出需要的位準。
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圖3.12 (a)基本 Level Shifter 電路與(b)電壓鏡
以下將討論 Vx 的運作情形,當電壓鏡內的電晶體 M9 導通時,只要 V V 時就會使 V V ,此時 M9 會操作在飽和區。而經由流過 M8 和M9 的電流相等可得到下列方程式:
V V V V V
(3-1)假設
β
nβ
pV
tnV
tp,
則(3-1)式可以修改為V V V
(3-2)但實際上β β 且 V V ,如此將會造成 Vx的電壓不穩定,為了解決 此一問題,要在Level Shifter 電路中添加一電流源,如圖 3.13 所示。
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圖3.13 改良後的 Level Shifter 電路
改良後的電路其輸出電壓更為穩定,但是其輸出電壓卻是以VDDH為基準,
想要把正位準的訊號轉換為負位準,需要將其架構反轉,如圖3.14[15]。
圖3.14 正-負電壓 Level Shifter 電路
反轉後的輸出訊號將以VSS 為基準,只要 VSS 為負電壓源,就可以藉此 Level Shifter 電路得到想要的負訊號。將此電路應用於啟動電路上還有一個問題,那就
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是不論控制訊號是高位準或是低位準,都無法將此Level Shifter 完全關閉,但是 對於啟動電路而言,只有一開始時需要作用,之後就可以關閉以節省能量損耗,
所以本研究在使用上將作為電流源的電晶體(M9)其閘極改為與控制訊號 Vin
相連接,如此當訊號為低位準時,就可以使整個Level Shifter 電路關閉。
圖3.15 是完整的上橋閘極驅動電路圖,包括 HV Level Shifter、Latch 電路及 啟動電路。
圖3.15 上橋閘極驅動電路完整架構