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儀器設備與藥品

第三章 儀器設備與藥品

3-1 儀器設備介紹及基本原理

在本章節會介紹在原件製程所使用的儀器,及其基本工作原理。

3-1-1 高溫爐(Oven)

高溫爐是包含了加熱爐與比例-積分-微分控制器(Proportional Integral Derivative Control,PIA),如圖 3-1,而本實驗所使用的加熱爐 為(Lindberg/Blue M, TF55035A)最高溫度可達約 1100℃,搭配升溫 程控(EUROTHERM,2416),可以控制欲升的溫度、升溫度的速率以 及調控降溫。反應腔體(Chamber)則使用外徑為 26mm,內徑為 22mm,

並且長度為 80cm 的石英管柱,因為石英的熔點大約在 2200℃左右,

又加上管壁有 4mm 的厚度,所以在高溫製程中,不需擔心管柱熔化 的問題。

圖 3-1 高溫爐

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3-1-2 恆定電位儀(Potentiostat / Galvanostat)

在進行PEC反應或在測試光電極效能時,需要記錄在不同偏壓下,

光電集所產生的光電流值作成LSV圖,在由此推出光電極的特性,而 恆定電位儀就可以幫助我們(AUTOLAB,The Netherlands)施加偏壓 並記錄下不同偏壓下所摻生的光電流,如圖3-2所示。

圖 3-2 恆定電位儀 (AUTOLAB)

3-1-3 銀/氯化銀參考電極

本實驗所使用的參考電極為Ag/AgCl其本身電位為0.266是由:

Mettler Toledo 公司出品,型號為InLab®302,如圖3-3所示,小圖為實 照圖,大圖為詳細規格。

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圖3-3 Ag/AgCl參考電極詳細規格

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3-1-4 氙燈與單光器(Xenon lamp and Monochromator)

球形氙指也稱“超高壓短弧氙燈”,燈內有高氣壓氙氣,在高頻高 壓激發下形成弧光放電。它是發光點很小的點光源,可放射出從紫外 到近紅外的強烈連續光譜,可見光區段的光色極近似於日光,發光頻 率高,色溫可高達近6000k,顯色性高。本研究所量測的光電性質,

以500W氙燈(Model 66901, Newport, USA)提供進行IPCE測試時的 入射光來源[22]如圖3-4。

圖3-4 Newport 500W氙燈

而 IPCE 的測定是可以測得在單一波長下的光轉換效率,因此想 要了解在不通波長下入射光對電極光電極的貢獻,必須在全波段的氙 燈前加入單光器,以光柵來限制投射到光電極的入射光波長,在經由

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恆定電位儀來增測不同波長下所產生的光電流值,其 IPCE 的裝置圖 如圖 3-5 所示。

圖 3-5 500W 氙燈與單光器 3-1-5 光功率計(Power meter)

在實驗中光電集所產生的光電流大小,與入射光強度相關,為了確保 每次數據的標準點是相同的,因此必須利用光功率計(Ophir Nova Laser Power and Energy Meter),接受入射光,來測得不同波長下入射 光的光強度,其工作原理就是利用光電二極體(Photodiode)的光強度 與電流成正比的特性,其設備如圖 3-6、3-7 所示。

圖 3-6 光功率計之光接收器

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圖 3-7 光功率計

3-1-6 808nm 單光雷射

本實驗中所使用的光源為 808nm 單光雷射,其使用雷射的原因 在下一章節會作更詳細的說明。808nm 單光雷射(MH-T808D)是使用 雷射二極體激發固態雷射(Diode Pump Solid State Laser,DPSSL),而此 種雷射可以改善以往使用電弧燈激發雷射其激發效率不高的缺點,因 其可以降低熱透視效應,進而增加輸出功率及輸出光源的品質,而本 雷射還有附加光強度控制器,以方便在實驗時可隨心所欲的調控光強 度。裝置圖如圖 3-7。

圖 3-7 808nm 雷射與其控制器

第三章

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圖 3-8 XRD 原理 圖 3-9 本實驗所使用 X-光繞射儀

3-2.2 穿透式電子顯微鏡 (Transmission Electron Microscopy, TEM )

穿透式電子顯微鏡是利用高能電子束(一般約在 100 keV ~ 1 MeV)穿透厚度低於 100 nm以下之薄樣品,和薄樣品內的各種組織 產生不同程度之散射。散射後的電子以不同的行徑通過後續的透鏡組 合和透鏡光圈,形成明暗對比之影像,而這些明暗對比之微結構影像 是藉由螢光板來呈現。為了作深入的結構分析、針對特殊的材料結構 或缺陷,通常試片座會配備傾斜 (tilting stage) 的功能,可以作成多 重電子束繞射狀態 (multi-beam WB, diffraction condition),或微弱電 子束繞射狀態 (weak beam, WB, diffraction condition) 來改善成像的 品質或加強對比。本實驗量測所用的穿透式電子顯微鏡是由日本 JEOL 公司所生產的 JEM - 2000FX,如圖3-10。[77]

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樣品處理:

取少量樣品以溶劑稀釋之,放置超音波震盪氣中震盪10分鐘,使 其均勻分佈後,將其滴在鍍有碳膜的銅網上,待其乾燥後,放置真空 皿乾燥一天,再放入儀器,以儀器觀察晶體的粒徑與型態。

圖3-10 穿透式電子顯微鏡

3-2-3 掃瞄式電子顯微鏡 (Scanning Electron Microscopy, SEM ) 掃瞄式電子顯微鏡 (SEM) 的主要工作原理為電子鎗透過熱游 離或是場發射原理產生高能電子束,經過電磁透鏡組後將電子束聚焦

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至試片上,再利用掃瞄線圈偏折電子束並偵測二次電子及背向散射電 子成像且可以在試片表面上做二度空間的掃瞄,來觀察物體的表面型 態。利用掃瞄式電子顯微鏡的優點在於試片製作較簡單,解析度可達 奈米尺度且景深長,在觀察材料表面形貌上非常清楚而容易,如圖 3-11[77]

樣品製備:

將粉末及薄膜樣品取極少量於具有導電功能的碳或銅膠帶上,

並固定黏貼在特製的鋁盤上,置入儀器。當解析度不佳時,於待測樣 品表面濺鍍上薄薄一層金屬 (Ex: Pt、Au),再進行其樣品的表面型 態測定。

圖 3-11 掃描式電子顯微鏡

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3-2-4 紫外光-可見光-近紅外光吸收光譜儀( UV / Visible / NIR

Absorption Spectrometer )

紫外光-可見光-近紅外光吸收光譜可用來偵測軌域中之電子被激 發而產生躍遷的情況,所以吸收峰的波長就和物質內的電子結構有關 連。紫外光-可見光-近紅外光吸收光譜,可以測量並分析樣品的吸收 度 (Absorbance) 與穿透度 (Transmittance),實驗裝置如圖3-12所示,

通常樣品的濃度會與吸收度呈線性關係,可以由Beer’s Law表示A

=log P0/P(A:樣品的吸收度、P0:入射光的強度、P:穿透光的強度) 樣品製備:

將樣品稀釋至一定濃度後,放入石英 cell 中,待機器量測,波 長掃描範圍可從 200 nm 至 1600 nm[77]

圖 3-12 紫外光-可見光-近紅外光吸收光譜儀

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3-2-5 拉曼光譜儀(Raman spectrometers)

拉曼光譜儀一種具有快速分析、高解析度且非破壞性的分析儀器,

利用雷射光(電磁波)打到樣品,導至分子振動,造成偶極矩產生變 化,其偶極子會轉動發射電磁波,也就是測量光子撞擊物質後所產生 的散射波長。而我們實驗室所使用的光譜儀為 HORIBA iHR550 spectrum 搭配 Symphony CCD 偵測器。如圖 3-13。

樣品製備:

將樣品舖至矽晶片上,並確保膜的完整性。

圖3-13 拉曼光譜儀

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3-2-6 傅立葉紅外光譜儀(Fourier transform infrared spectroscopy)

傅立葉紅外光譜儀簡稱 FTIR,可分為近紅外光、中紅外光和遠 紅外光。遠紅外光能量低,可以用於旋轉光譜學。中紅外光可以用來 研究基礎振動和相關的旋轉-振動結構。更高能量的近紅外光可以激 發泛音和諧波振動。紅外光譜法的工作原理是由於振動能級不同,化 學鍵具有不同的頻率。共振頻率或者振動頻率取決於分子等勢面的形 狀、原子質量、和最終的相關振動耦合。為使分子的振動模式在紅外 活躍,必須存在永久偶極的改變。共振頻率經過一次近似後同鍵的強 度和鍵兩頭的原子質量聯繫起來。這樣,振動頻率可以和特定的鍵型 聯繫起來。其實驗裝置在圖 3-14。

圖 3-14 傅立葉紅外光譜儀

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3-3 藥品與器材

名稱 化學式 廠牌

Iron(Ⅱ) chloride FeCl2 Alfa Aesar

Sulfur S Acros

Oleylamine CH3(CH2)14CHCHCH2NH4 Acros

Oleic acid

CH3(CH2)7CHCH(CH2)7CO OH

Aldrich

1-Octadecene CH2CH(CH2)15CH3 Acros Chloroform CHCl3 Mallinckrodt Acetonitrile CH3CN Alfa Aesar 1,2-Ethanedithiol C2H4(SH)2 Acros

Ethanol CH3CH2OH 島久藥品

FTO 透明導電玻璃 F:SnO2 世光國際

Ti-Nanoxide T/SP TiO2 Precursor Solaronix 鐵氟龍膠帶 Teflon tape 3M®

Nitrogen N2 豐明

表 3-1 本實驗所使用藥品與器材清單

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