圖 3.5 底層抗反射層使用前
圖 3.6 底層抗反射層使用後
Resist Profile
Resist Profile
58
59
圖 4.1 32 奈米線幅，偏軸發光 Dipole 與 Quasar 對焦深與間距的影響
0 50 100 150 200 250 300 350
64 90 100110120130140150160170180190200210220230240250260270280290300310320
DOF (nm)
Pitch (nm)
Dipole 0.65/0.2, NA=1.3248
Quasar 0.85/0.65, Blade Angle=45, NA=1.35
60
圖 4.2 32 奈米線幅，Quasar σouter=0.85、σouter=0.65、Blade Angle=45、NA=1.35，Y 線性偏振光，6%減光型相移 圖罩，其焦深與間距的關係
0 20 40 60 80 100 120 140 160
64 90 100110120130140150160170180190200210220230240250260270280290300310320
DOF (nm)
Pitch (nm)
Quasar 0.85/0.65, Blade Angle=45, NA=1.35 CSB=20
CSB=20*2 CSB=25 CSB=25*2
ASB=32 , T=0.2, =30
61
圖 4.3 45 奈米線幅，Dipole σcenter=0.7、σradius=0.2，Y 線性偏振光，6%減光型相移圖罩，在不同 NA，對間距 與焦深的影響
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 240 250 260 270 280 290 300 310 320 330 340 350 360 370 380 390 400 410 420 430 440 450
DOF (nm)
Pitch (nm)
Dipole 0.7/0.2 NA=1.05 Dipole 0.7/0.2 NA=1.1 Dipole 0.7/0.2 NA=1.15 Dipole 0.7/0.2 NA=1.2 Dipole 0.7/0.2 NA=1.25 Dipole 0.7/0.2 NA=1.3
62
圖 4.4 45 奈米線幅 Dipole、σradius=0.2、NA=1.15，Y 線性偏振光，6%減光型相移圖罩，在不同σcenter，對間距與 焦深的影響
0 50 100 150 200 250 300 350 400
90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 240 250 260 270 280 290 300 310 320 330 340 350 360 370 380 390 400 410 420 430 440 450
DOF (nm)
Pitch (nm)
Dipole 0.65/0.2 NA=1.15 Dipole 0.7/0.2 NA=1.15 Dipole 0.75/0.2 NA=1.15 Dipole 0.8/0.2 NA=1.15
63
圖 4.5 45 奈米線幅，Dipole σcenter=0.65、σradius=0.2，Y 線性偏振光，6%減光型相移圖罩，在不同 NA，對間距 與焦深的影響
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 240 250 260 270 280 290 300 310 320 330 340 350 360 370 380 390 400 410 420 430 440 450
DOF (nm)
Pitch (nm)
0.65/0.2 NA=1.05 0.65/0.2 NA=1.1 0.65/0.2 NA=1.15 0.65/0.2 NA=1.2 0.65/0.2 NA=1.25 0.65/0.2 NA=1.3
64
圖 4.6 45 奈米線幅，杜邦二代濕浸式液體 n=1.64 與純水 n=1.44，對焦深與間距的影響
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6
90 110 130 150 170 190 210 230 250 270 290 310 330 350 370 390 410 430 450
DOF (nm)
Pitch (nm)
Dipole 0.65/0.2 , NA=1.3248, n=1.44 Dipole 0.65/0.2 , NA=1.3248, n=1.64
65
圖 4.7 45 奈米線幅，負偏差對焦深與間距的影響
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 240 250 260 270 280 290 300 310 320 330 340 350 360 370 380 390 400 410 420 430 440 450
DOF (nm)
Pitch (nm)
Dipole 065/0.2, NA=1.15 Negative Bias=5 (nm) Negative Bias=10 (nm)
66
圖 4.8 45 奈米線幅，正偏差對焦深與間距的影響
0 50 100 150 200 250 300 350 400 450 500
90 110 130 150 170 190 210 230 250 270 290 310 330 350 370 390 410 430 450
DOF (nm)
pitch (nm)
Dipole 0.65/0.2 , NA=1.15
Dipole 0.65/0.2 , positive bias 5 (nm) Dipole 0.65/0.2 , positive bias 10 (nm) Dipole 0.65/0.2 , positive bias 15 (nm)
67
ASB=45 , T=0.2, =30 ASB=45*2 , T=0.2, =30 ASB=40 , T=0.2, =30 ASB=40*2 , T=0.2, =30 ASB=35 , T=0.2, =30 ASB=35*2 , T=0.2, =30 ASB=30 , T=0.2, =30 ASB=30*2 , T=0.2, =30
68
圖 4.10 45 奈米線幅，在接近劑量下，使用偏差法與散條修正後，間距與焦深關係圖
69
圖 4.11 45 奈米線幅，在接近劑量下，使用偏差法與散條修正所使用之圖罩線幅寬度與間距關係圖
0 10 20 30 40 50 60 70 80
90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 240 250 260 270 280 290 300 310 325 340 355 370 385 400 415 430 445
Mask Line Width (nm)
Pitch (nm)
Dipole 0.65/0.2, NA=1.3248 CSB=20
CSB=25
ASB=35, T=0.3, =20 ASB=40, T=0.4, =25 ASB=45, T=0.4, =30
70
圖 4.12 32 奈米線幅，在不同劑量下，加入散條後，焦深與間距關係圖
0 50 100 150 200 250 300 350
64 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 240 250 260 270 280 290 300 310 320
DOF (nm)
Pitch (nm)
Dipole 0.65/0.2 , NA=1.3248 CSB=15
CSB=20 CSB=25 CSB=30
ASB=32 , T=0.4, =30 ASB=32*2 , T=0.4, =30
71
圖 4.13 32 奈米線幅，加入減光全條(ASB)，固定相位差( )=20 度，改變透射度(T ，焦深與間距的關係圖
0 50 100 150 200 250 300 350
64 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 240 250 260 270 280 290 300 310 320
DOF (nm)
Pitch (nm)
Dipole 0.65/0.2 NA=1.3248 ASB=32 , T=0.1 , =20 ASB=32 , T=0.2 , =20 ASB=32 , T=0.3 , =20 ASB=32 , T=0.4 , =20 ASB=32 , T=0.5 , =20
72
圖 4.14 32 奈米線幅，加入減光全條(ASB)，固定相位差( )=30 度，改變透射度(T ，焦深與間距的關係圖
0 50 100 150 200 250 300 350
64 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 240 250 260 270 280 290 300 310 320
DOF (nm)
Pitch (nm)
Dipole 0.65/0.2 NA=1.3248 ASB=32 , T=0.1 , =30 ASB=32 , T=0.2 , =30 ASB=32 , T=0.3 , =30 ASB=32 , T=0.4 , =30 ASB=32 , T=0.5 , =30
73
圖 4.15 32 奈米線幅，加入減光全條(ASB)，固定相位差( )=40 度，改變透射度(T ，焦深與間距的關係圖
0 50 100 150 200 250 300 350
64 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 240 250 260 270 280 290 300 310 320
DOF (nm)
Pitch (nm)
Dipole 0.65/0.2 NA=1.3248 ASB=32 , T=0.1 , =40 ASB=32 , T=0.2 , =40 ASB=32 , T=0.3 , =40 ASB=32 , T=0.4 , =40 ASB=32 , T=0.5 , =40
74
圖 4.16 32 奈米線幅，加入減光全條(ASB)，固定透射度(T =0.2，改變相位差( )，焦深與間距的關係圖
0 50 100 150 200 250 300 350
64 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 240 250 260 270 280 290 300 310 320
DOF (nm)
Pitch (nm)
Dipole 0.65/0.2 NA=1.3248 ASB=32 , T=0.2 , =10 ASB=32 , T=0.2 , =20 ASB=32 , T=0.2 , =30 ASB=32 , T=0.2 , =40 ASB=32 , T=0.2 , =50
75
圖 4.17 32 奈米線幅，加入減光全條(ASB)，固定透射度(T =0.3，改變相位差( )，焦深與間距的關係圖
0 50 100 150 200 250 300 350
90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 240 250 260 270 280 290 300 310 320
DOF (nm)
Pitch (nm)
Dipole 0.65/0.2 NA=1.3248 ASB=32 , T=0.3 , =10 ASB=32 , T=0.3 , =20 ASB=32 , T=0.3 , =30 ASB=32 , T=0.3, =40 ASB=32 , T=0.3 , =50
76
圖 4.18 32 奈米線幅，加入減光全條(ASB)，固定透射度(T =0.4，改變相位差( )，焦深與間距的關係圖
0 50 100 150 200 250 300 350
64 70 80 90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 240 250 260 270 280 290 300 310 320
DOF (nm)
Pitch (nm)
Dipole 0.65/0.2 NA=1.3248 ASB=32 , T=0.4 , =10 ASB=32 , T=0.4 , =20 ASB=32 , T=0.4 , =30 ASB=32 , T=0.4 , =40 ASB=32 , T=0.4 , =50
77
圖 4.19 32 奈米線幅，在接近劑量下，加入偏差法之所使用之圖罩線幅寬度與間距的關係圖
0 10 20 30 40 50 60
90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220 230 240 250 260 270 280 290 300 310 320 330
Mmask Line Width (nm)
Pitch (nm)
Dipole 0.65/0.2, NA=1.3248 CSB=15
ASB=20 , T=0.2, =30 ASB=25 , T=0.2, =30 ASB=32 , T=0.4, =30
78
圖 4.20 32 奈米線幅，在接近劑量下，使用偏差法與散條修正後，間距與焦深關係圖
0 50 100 150 200 250 300 350 400
64 70 80 90 100110120130140150160170180190200210220230240250260270280290300310320
DOF (nm)
Pitch (nm)
Dipole 0.65/0.2, NA=1.3248 CSB=15
ASB=20 , T=0.2, =30 ASB=25 , T=0.2, =30 ASB=32 , T=0.4, =30
SB*1
79
振鈴效應(Ringing Effect)產生之干涉 ，或稱側紋(Fringe)
圖 4.21 邊端效應
80
‐240 ‐222.857147 ‐205.714294 ‐188.571426 ‐171.428574 ‐154.285721 ‐137.142853 ‐120 ‐102.857147 ‐85.714294 ‐68.571434 ‐51.428577 ‐34.285721 ‐17.142864 ‐8E‐06 17.142849 34.285706 51.428562 68.571419 85.714279 102.857132 119.999985 137.142853 154.285706 171.428558 188.571411 205.714264 222.857132 240
Relative Intenstiy
‐240 ‐222.857147 ‐205.714294 ‐188.571426 ‐171.428574 ‐154.285721 ‐137.142853 ‐120 ‐102.857147 ‐85.714294 ‐68.571434 ‐51.428577 ‐34.285721 ‐17.142864 ‐8E‐06 17.142849 34.285706 51.428562 68.571419 85.714279 102.857132 119.999985 137.142853 154.285706 171.428558 188.571411 205.714264 222.857132 240
Relative Intensity
X‐position (nm) Overlay Separated
81
82
83
‐150 ‐135.714279 ‐121.428574 ‐107.14286 ‐92.857147 ‐78.571426 ‐64.285713 ‐50 ‐35.714287 ‐21.428574 ‐7.142859 7.142856 21.42857 35.714283 50 64.285713 78.571426 92.85714 107.142853 121.428566 135.714279 150
Relative Intensity
84
‐142.857101 ‐128.571396 ‐114.285683 ‐99.999969 ‐85.714264 ‐71.428551 ‐57.142838 ‐42.857128 ‐28.571419 ‐14.285708 2E‐06 14.285712 28.571423 42.857132 57.142845 71.428551 85.714264 99.999977 114.285683 128.571396 142.857101
no SB
85
‐142.857101 ‐128.571396 ‐114.285683 ‐99.999969 ‐85.714264 ‐71.428551 ‐57.142841 ‐42.857132 ‐28.571423 ‐14.285713 ‐3E‐06 14.285707 28.571417 42.857128 57.142838 71.428543 85.714256 99.999969 114.285675 128.571381 142.857101
Relative Intensity
86
‐150 ‐135.714279 ‐121.428574 ‐107.14286 ‐92.857147 ‐78.571426 ‐64.285713 ‐50 ‐35.714287 ‐21.428574 ‐7.142859 7.142856 21.42857 35.714283 50 64.285713 78.571426 92.85714 107.142853 121.428566 135.714279 150
Relative Intensity
87
(a)
(b)
圖 4.29 Dipole 32 奈米線幅、Dipole、間距 180 奈米下(a)空間影 像圖； (b) EL vs. DOF 圖
‐142.857101 ‐128.571396 ‐114.285683 ‐99.999969 ‐85.714264 ‐71.428551 ‐57.142838 ‐42.857128 ‐28.571419 ‐14.285708 2E‐06 14.285712 28.571423 42.857132 57.142845 71.428551 85.714264 99.999977 114.285683 128.571396 142.857101
Relative Intensity
88
‐142.857101 ‐128.571396 ‐114.285683 ‐99.999969 ‐85.714264 ‐71.428551 ‐57.142838 ‐42.857128 ‐28.571419 ‐14.285708 2E‐06 14.285712 28.571423 42.857132 57.142845 71.428551 85.714264 99.999977 114.285683 128.571396 142.857101
Relative Intensity
89
圖 4.31 NILS、Contrast 與焦深的關係圖
0 50 100 150 200 250 300 350
90 100 110 120 130 140 150 160 170 180 190 200 210 220
Pitch (nm)
NILS*100 EL(max)*15 DOF (nm) Contrast*300
90
160 162 163 165 167 170 180 220 pitch (nm)
Contrast no SB
160 162 163 165 167 170 180 220 Pitch (nm)
NILS no SB NILS with SB NILS NET
91
圖 4.33 隙空間影像光強最低點與間距關係
0 0.1 0.2 0.3 0.4 0.5 0.6 0.7
160 170 180 190 200 210 220 230 240 250 260 270
Relative Intensity
Pitch (nm)
Space min. Intensity with ASB=32 , T=0.3, =20 Space min. Intensity with ASB=32 , T=0.3, =30 Space min. Intensity with ASB=32 , T=0.3, =40
散條易顯影 成像區域
92
(a) (b)
A
B
C
A B
C
圖 4.34 左右兩邊端各別產生振鈴效應的干涉波可說明隙空間影像光強最低光強與間距關係
93