4.2 45 奈米線幅
2. 減光全條
負偏差會降低焦深，而使用正偏差普遍焦深皆增加，其原因為在相同 間距下，線(Line)變寬，隙(Space)會變窄，因此 0 級光光強減弱，0 級光與 1 級光光強比較接近，光程差降低，因此焦深會增加，但偏差 法在孤立線時，改善效果有限。
(2) 散條對焦深的影響:
散條只能修正半孤立線與孤立線，因密集線空間不足，且易成像，
根據圖 4.9，散條由間距大於 240 開始有提升焦深的作用，分別加入 遮光全條與減光全條散條探討
1. 遮光全條
為完全遮光的鉻膜散條，利用散條的寬度改變對焦深的影響，
探討其適合寬度的散條，寬度越寬越好，因為製作較容易，但需散條 不可成像，且可達到焦深的需求。而散條的放置用等分法，使用散條 寬度 20 奈米，在間距 240 奈米加入散條開始提升焦深；當焦深明顯 下降時，開始加入第二條，約在間距 330 奈米左右。鉻膜散條最寬約 能使用到 25 奈米的寬度，但需在間距 270 奈米之後加入，才不會成 像；加入兩條散條，要在間距 380 奈米才不會成像，因此一些間距無 法提升禁止間距。而 20 奈米寬度散條可以適用的間距 240-450 奈米，
比較適合使用，但隨著線幅的降低，鉻膜製備越來越難。
2. 減光全條
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散條使用具透射度之嵌附層，嵌附層除透射度外，尚有相對於光 罩石英基材之相對相位差，利用透射度與相位差的調變，增加散條的 寬度，以利線幅縮小的製備，由圖 4.9，在此固定透射度(T)=0.2、
相位差( )=30 度，與遮光散條寬度做比較，在此條件下，散條寬度 約可達 40 奈米寬度，適用於 240-450 奈米間距，且散條不成像，達 到增加焦深的效果，其寬度約可為鉻膜散條的一倍，較易製備。
4.2.3 在接近劑量下探討禁止間距修正情形
因為光學鄰近效應的關係，雖然施予相同的劑量，但會因為繞射、
干涉、多重反射的關係，在阻劑獲得的劑量會不相同，經顯影後，使 線寬失真。
因此使用偏差法與散條併用維持線幅大小，提升焦深，用接近劑 量能量(E)=23.3 mJ/cm2、聚焦面(F)=+20 nm。在密集線與半孤立線，
利用偏差法；在半孤立線與孤立線，利用兩者併用修正；當照射劑量 比特定線幅估算的劑量(Dose to Size)大時，使用正偏差；反之，則使 用負偏差，舉例來說，如果固定照射劑量為 20 mJ/cm2，而在某間距 要得到 45 奈米的線條寬度經過模擬的估算的劑量(Dose to Size)為 15 mJ/cm2，為了在劑量 20 mJ/cm2得到 45 奈米的線條，使用正偏差修 正達到需求，此時 0 級光減弱，0 級 1 級光的光強比較接近，通常焦 深會提升，所以固定照射劑量應找密集線裡面劑量較高的，以此為照
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射劑量，有利於焦深。
當間距比較小時，一級光會有部分光在入口光瞳之外，雖然施予 相同的劑量，但得到的劑量較少，所以要維持一定的線幅，要比其他 間距所需要的照射劑量較大，需用負偏差，易造成焦深下降，造成焦 深的不足。
而在半孤立線與孤立線只用偏差法或散條修正很難使線幅維持 相同的大小，因此使用偏差法與散條的共用修正，因為Prolith 無法 直接使用固定劑量與聚焦面求其焦深，只能用求在此間距，其最適化 的劑量與聚焦面。模擬以密集線中劑量較高的點當做固定劑量，其他 間距運用偏差法的寬度與散條的寬度慢慢的逼近，但無法完全一致，
因此盡可能不使劑量相差 0.1 mJ/cm2以上，再利用柏桑曲線(Bossung Curve)去驗證，取 23.3±1.4 mJ/cm2(EL=6%)的劑量觀察焦深，增加 可信度，而由此得到的焦深圖 4.10，其圖罩線條寬度如圖 4.11，可 以觀察使用偏差法與散條可以修正禁止間距的問題，焦深皆大於 150 奈米，許多間距大於 200 奈米，無論是遮光全條與減光全條皆可以達 到，且減光全條可以接近主線條寬度，較易製作。
4.2.4 結論
1. σcenter、NA 須取其最適化值，σcenter太大，造成進入圓心區的
光增加，易造成焦深的降低；NA 太大，聚焦半夾角增加，易造成 0
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級光與 1 級光的光程差，降低焦深，但兩者皆不能太小，解像度會不 足，本文使用σcenter=0.65、σradius=0.20、NA=1.15。