4.4 32 奈米線幅加入散條前後之空間影像對焦深的 影響
4.5 邊端效應對散條成像的影響
邊端效應亦影響散條自身的成像，如表 4.1，以透射度(T)=0.3、
相位差( )=20 度為例，使用正型阻劑，加入寬度 15 奈米的散條，在 間距小於 200 奈米時，散條自身不會成像，反而在間距 200 奈米到 210 奈米之間，散條會成像，可由圖 4.33 解釋，其為透射度(T)=0.3、
相位差( )=20、30、40 度的隙空間影像光強，可以看出在 190-230 奈米間距是光強相對較低的區域，此時由表 4.1 的圖對照，是最容易 產生成像的部分，此現象可由邊端效應重疊解釋，如圖 4.34，當在 間距 162 奈米時，加入散條，兩邊端產生的振鈴效應(Ringing Effect) 接近A 點時產生重疊分離，所以隙的空間最低光強相較於其他間距，
光強較高。然後隨著間距增加，由 A→B→C 點，此時在接近 C 點時 產生分離，此時隙的空間最低光強到達最低，是最容易成像的間距，
約在 210-220 奈米，由於此因素，所以在間距 180-190 奈米時加入散 條，雖然間距較小，但不會產生散條自身成像的狀況，而在間距較大 的 200-220 奈米之間，易產生成像。
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五. 結論
1. 偏軸發光可以增進解像度與焦深。橫雙圓孔在解像度需求較高的 32 奈米線幅，其焦深較斜四扇面效果好，能改善禁止間距問題。
2. 橫雙圓孔的σcenter與NA 增加皆能增進解像度，但太大皆會造成 焦深不足，產生禁止間距。σcenter太大，易造成圓心區的光增加；NA 增加，聚焦半夾角增加，增加光程差。本論文 45 奈米線幅使用
σcenter=0.65、σradius=0.20、NA=1.1500；32 奈米線幅使用
σcenter=0.65、σradius=0.20、NA=1.3248。
3. 正偏差修正法，可以提升焦深，因為線隙比增加，可以減低 0 級 光；反之，負偏差修正法，降低焦深。
4. 用接近劑量時，當照射劑量比特定線幅經估算的劑量(Dose to Size)劑量大時，使用正偏差修正，反之，則使用負偏差修正。因此 應選擇密集線範圍之中劑量較高者，為照射劑量，有利於焦深。
5. 相關的文獻僅限於在各個間距下，使用各別不同的最適化劑量，
只能探討焦深在各間距的趨勢。通常一片並非圖罩單一的間距，但同 一片圖罩皆在固定的劑量、固定的聚焦面下照射。本論文提出了利用 偏差法與散條作修正，使各間距劑量接近，因軟體的限制，無法固定
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劑量與聚焦面，僅能使用接近劑量，再利用柏桑曲線(Bossung Curve)，
驗證焦深是否正確，達成無禁止間距的要求。
6. 在45 奈米與 32 奈米線幅，遮光全條較寬容易成像，太細很難製 備。減光全條優點可以利用其透射度(T)與相位差( )的調變，使散 條寬度可以接近主線條寬度，寬度較遮光全條約可增加一倍，對於 32、22 奈米線幅或更細的線幅，重要性將顯著提升。
7. 在 32 奈米線幅，減光全條透射度(T)較低，焦深通常增加，但易 成像；相位差( )對焦深的影響，較無規則，但相位差如太大，易造 成散條成像。模擬顯示，減光全條寬度 32 奈米、透射度(T)=0.4、相 位差( )低於 30 度，180-320 奈米間距皆無禁止間距，且不會成像。
8. 空間影像對比度(Contrast)與正規化成像對數斜率(NILS)直接影 響焦深大小，但非絕對成正比的關係。因模擬可以快速得到空間影像 NILS，求出間距中相對 NILS 最低點附近模擬得其焦深，可以快速判 斷在此條件是否有禁止間距。
9. 在間距較小時，加入散條易影響主線條空間影像，造成NILS 與 Contrast 降低，焦深減少，ELmax與DOFmax皆降低；隨著間距增加，
在加入散條的前與後，EL vs.DOF 圖中二條曲線開始出現交點，交點 隨著間距增加而升高，若 EL 的設定低於交點值，焦深可增加，所以 當交點高於 EL=6%，達到論文中設定需求，焦深即可增加，此時ELmax
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減少，DOFmax增加；間距再增加，主線條不受影響，NILS 反而增加，
此時ELmax與 DOFmax皆增加。
10. 在 32 奈米線幅，間距較小時加入減光全條散條時，隙的空間影 像，如邊端效應干涉波主極大重疊，相對光強較高，自身較不易成像；
間距較大時，如邊端效應干涉波主極大分離，相對光強較低，自身較 易成像。
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表 1.1 2007 年 ITRS 所定義的關鍵性微影需求
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45 nm Linewidth
Wavelength 193 nm Polarized Illumination Y- Polarized
Aperture X-Dipole, σcenter=0.65, σradius=0.20
Immersion Liquid Water n=1.44
NA 1.15
Mask Type T=6% Att-PSM, Y-Orientation Photoresist ArF Clariant AX1050=140 nm
Barc Shipley AR2=50 nm
Process Windows
CD±10%,EL=6%
Resist loss<10%
sidewall angle>80
表 3.1 45 奈米線幅微影模擬各項參數
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32 nm linewidth
Wavelength 193 nm Polarized Illumination Y- Polarized
Aperture X-Dipole, σcenter=0.65, σradius=0.20 Immersion Liquid Water n=1.44
NA 1.3248
Mask Type T=6% Att-PSM, Y-Orientation Photoresist ArF JSR AR165J=100 nm
Barc Shipley AR19=20 nm Shipley AR5=30 nm Process Windows CD±10%,EL=6%
Resist loss<10%
sidewall angle>80
表 3.2 32 奈米線幅微影模擬各項參數
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圖 2.1 解像度與焦深
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