4.3.1 橫雙圓孔的孔距(σcenter)、聚光當量(NA)的選取
因為 Dipole σcenter=0.65、σradius=0.20、NA=1.15 在 45 奈米線幅可 以適用大部分間距，因此放大NA=1.3248，探討 32 奈米線幅，不過 只能探討間距大於 90 奈米，但已接近靜態隨機存取記憶體(Static Random Access Memory, SRAM)的設計線幅(線寬約為間距的 )，在此 條件下，探討 90-320 奈米間距下散條對焦深的影響。
4.3.2 在不同劑量下探討散條對焦深影響
利用在各個間距有其各別最適化劑量下，觀察散條的使用對焦深 的影響，改善禁止間距，使各間距達到設計的線寬需求。
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(1) 遮光全條
由圖 4.12 可得，在間距 160 奈米時有禁止間距，此時加入散條 無法提升焦深，需用偏差法修正；在鉻膜散條方面，寬度 15 奈米的 散條從間距 180 奈米起可以提升焦深，但 20 奈米的散條要從間距 220 奈米才可以使用散條，間距 180-220 奈米之間散條本身會顯影成像，
25 奈米的散條則要從間距 260 奈米開始使用，30 奈米的散條則皆會 顯影成像，因此要減少禁止間距，以 15 奈米鉻膜散條較適宜，可以 提升大部分間距焦深。
(2) 減光全條
使用減光全條散條，可以利用相位差與透射度的調變，使其達到 32 奈米的寬度，因此就 32 奈米的減光全條討論，因為散條寬度與主 線條寬度相同，因此易造成散條自身成像，由表 4.1 可看出，透射度 高、相位差小，較不易產生成像。在間距比較小時，散條自身成像現 象與邊端效應產生的干涉波有關，會在下面的 4.4 節有較完整的探討。
散條透射度(T)=0.4、相位差( )小於 30 度，在 180-320 奈米間距才 可達到不成像，寬度為鉻膜散條的一倍，但其提升焦深效果較小，但 可達成焦深的需求。
1. 透射度對焦深的影響
固定相位差或透射度探討其對焦深的影響，透射度過大，則散條
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改善焦深的效果有限，因此只討論到T=0.1-0.5；而相位差根據模擬 的經驗，相位差不宜太大，因此相位差 取 10-50 度討論。
固定相位差( )=20、30、40 度，改變透射度(T)，探討透射度對 焦深的影響，如圖 4.13、4.14、4.15，焦深在各間距普遍皆上升。
可發現透射度低，在大部份間距有較好的焦深，符合學理上加入散條 的目的，就是為了降低 0 級光，透射度低，降低較多 0 級光，但透射 度降低，易造成散條的自身成像，需多注意。
2. 相位差對焦深的影響
固定透射度(T)=0.2、0.3、0.4 改變相位差，探討相位差對焦深 的影響，如圖 4.16、圖 4.17、圖 4.18，改變相位差較無規則，在有 些間距焦深較高，則會在另一段間距焦深較小，但相位差不宜使用太 大，會造成間距之間太大的落差。因此在間距 180-320 奈米下，相位 差小時比較有利，散條較不易成像。
4.3.3 在接近劑量下探討禁止間距修正情形
藉由偏差法(Bias)和散條(Scattering Bar, SB)的搭配做修正，維持 接近的劑量，使用能量(E)=16.7 mJ/cm2、聚焦面(F)=+10 nm，使其 達到焦深的需求 100 奈米，而其偏差法的使用寬度如圖 4.19，散條 與偏差法共用後得到的焦深圖詳見圖 4.20，因為在間距為 160 奈米 時，焦深在各別最適化劑量模擬時，焦深不足，而且此時散條加入無
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法改善禁止間距，因此針對此間距去做偏差法的修正，使其能夠符合 焦深的需求，所以所需的偏差法的圖罩的線寬會比較寬，在經過偏差 法與散條一起修正之後，使間距 90-320 奈米的線幅間距皆能夠符合 焦深的需求，而遮光全條與減光全條散條皆適用，減光全條的寬度可 接近主線條，約可為遮光全條的一倍
。
4.3.4 結論
1. 利用σcenter=0.65、σradius=0.20、NA=1.3248，經由偏差法與散 條的修正，可以使間距 90-320 奈米無禁止間距。
2. 減光全條散條固定寬度 32 奈米，固定相位差，改變透射度，
其透射度降低，焦深提升較多，但易造成顯影；固定透射度，改變相 位差，對焦深影響較無規則，但相位差如太大，易造成散條成像。
3. 在透射度=0.4、相位差小於 30 度，經由模擬，可以使散條無 自身成像問題，其改善焦深效果雖較透射度低的差，但可藉由加入兩 條散條改善，達成無禁止間距。