4.3 質導陶瓷薄膜
4.3.3 塗布於粗糙氧化鋁片狀基材陶瓷薄膜 SEM 表面分析
4.3.3.1 塗布混和 PVA(比例為 4wt%)漿料於粗糙氧化鋁基材 40
圖 4.9:粗糙氧化鋁基材的 SEM 圖(a)放大倍率 1000X(b)放大倍率 5000X 首先,在進行此塗布於粗糙氧化鋁片狀基材實驗所用的 PVA 比例為 4wt%,
方法一:
塗布乾燥鍛燒塗布乾燥鍛燒塗布乾燥鍛燒
圖 4.10:BaCe0.4Zr0.4Gd0.1Dy0.1O3-α使用方法一塗布混和 PVA(比例為 4wt%)的漿料於粗糙 的氧化鋁基材在空氣中於 1350oC 鍛燒十小時的 SEM 圖(a)塗布兩次放大倍率 1000X(b)
塗布兩次放大倍率 5000X
(a) (b)
(a) (b)
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方法二:塗布乾燥塗布乾燥鍛燒塗布乾燥塗布乾燥鍛燒塗布
乾燥塗布乾燥鍛燒
圖 4.11:BaCe0.4Zr0.4Gd0.1Dy0.1O3-α使用方法二塗布混和 PVA(比例為 4wt%)的漿料於粗糙 的氧化鋁基材在空氣中於 1350oC 鍛燒十小時的 SEM 圖(a)塗布兩次放大倍率 1000X(b)
塗布四次放大倍率 1000X(c)塗布四次放大倍率 5000X(d)塗布六次放大倍率 1000X
(e)塗布六次放大倍率 5000X。
(a)
(d) (b) (c)
(e)
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方法三:塗布乾燥去除有機物塗布乾燥去除有機物塗布乾燥去除 有機物塗布乾燥鍛燒
圖 4.12:BaCe0.4Zr0.4Gd0.1Dy0.1O3-α使用方法三塗布混和 PVA(比例為 4wt%)的漿料於粗糙 的氧化鋁基材在空氣中於 1350oC 鍛燒十小時的 SEM 圖(a)塗布三次放大倍率 1000X(b)
塗布三次放大倍率 5000X
由圖 4.9 與圖 4.10 可看出,經由方法一在兩次塗布下,表面形貌上並沒有太大的差 異,不過可以觀察到表面有顆粒的形成,並且在圖 4.11 與圖 4.12 發現到,隨著塗布次數 的增加,表面顆粒的形成也越來越多,並根據塗布於平滑氧化鋁基材的 SEM 圖比對下,
推測此顆粒應為陶瓷薄膜形成前的氧化物顆粒.推測可能是塗布量太少或是金屬氧化物 與氧化鋁產生了一些反應導致脫膜或擴散至基材內.
4.3.3.2 塗布混和 PVA(比例為 6wt%)漿料於粗糙氧化鋁基材
為了證明是否為塗布量太少的問題,本研究將塗布漿料與 PVA 混和的比例調整為 6wt% ,以增加其成膜性與黏滯性.
(a) (b)
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方法一:
塗布乾燥鍛燒塗布乾燥鍛燒塗布乾燥鍛燒
圖 4.13:BaCe0.4Zr0.4Gd0.1Dy0.1O3-α使用方法一塗布混和 PVA(比例為 6wt%)的漿料於粗糙 的氧化鋁基材在空氣中於 1350oC 鍛燒十小時的 SEM 圖(a)塗布兩次放大倍率 1000X(b)
塗布兩次放大倍率 5000X(c)塗布四次放大倍率 1000X(d)塗布四次放大倍率 5000X
(e)塗布六次放大倍率 1000X(f)塗布六次放大倍率 5000X。
(a) (b)
(c) (d)
(e) (f)
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方法二:塗布乾燥塗布乾燥鍛燒塗布乾燥塗布乾燥鍛燒塗布
乾燥塗布乾燥鍛燒
圖 4.14:BaCe0.4Zr0.4Gd0.1Dy0.1O3-α使用方法二塗布混和 PVA(比例為 6wt%)的漿料於粗糙 的氧化鋁基材在空氣中於 1350oC 鍛燒十小時的 SEM 圖(a)塗布兩次放大倍率 1000X(b)
塗布兩次放大倍率 5000X(c)塗布四次放大倍率 1000X(d)塗布四次放大倍率 5000X
(e)塗布六次放大倍率 1000X(f)塗布六次放大倍率 5000X。
(a) (b)
(c) (d)
(e) (f)
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鍍在粗糙的氧化鋁基材從圖 4.13 與 4.14 中可看出經由方法一與方法二多次鍍膜後,
雖然從表面形貌的觀測下,粗糙的氧化片上有觀察到陶瓷膜依然有被鍍上.但是,卻沒 有鍍在平滑氧化鋁片狀基材之表面形貌的改變來的明顯.
故推測是否在太高溫或是鍛燒時間過長會使薄膜有剝離的現象,於是我們降低鍛燒 溫度與縮短鍛燒時間至 1200oC 持溫五小時,並藉由 SEM 觀察其表面形貌.
圖 4.15:BaCe0.4Zr0.4Gd0.1Dy0.1O3-α使用方法一塗布混和 PVA(比例為 6wt%)的漿料於 粗糙的氧化鋁基材在空氣中於 1200oC 鍛燒五小時的 SEM 圖(a)塗布一次放大倍率 1000X
(b)塗布一次放大倍率 5000X
由圖 4.15 可得知在使用方法一塗布一次且於 1200oC 的鍛燒下,在氧化鋁基材上就有 陶瓷膜的形成.
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4.3.4 塗布於粗糙氧化鋁片狀基材陶瓷薄膜 XRD 分析
圖 4.16:BaCe0.4Zr0.4Gd0.1Dy0.1O3-α 使用方法一塗布一次於平滑的氧化鋁基材在空氣中於 1200oC 鍛燒五小時的 XRD 分析( 為 Al2O3基材, 為 BaCe0.4Zr0.4Gd0.1Dy0.1O3-)
從圖 4.16 可看出此薄膜在 1200oC,亦出現繞射峰位置與同組成的粉末有些微之差異,但 是,除了氧化鋁基材本身的相存在之外並沒有圖 4.8 所出現的雜相.
在粗糙氧化鋁基材鍍膜的部份,綜合以上在兩種混和 PVA 比例(4wt%、6wt%)與兩種 鍛燒溫度(1200oC、1350oC),經由 SEM 表面形貌與 XRD 的觀察發現,在塗布於粗糙氧 化鋁基材這部份,鍛燒溫度似乎較 1350oC 低溫會有助於薄膜的形成,且方法三的塗布方 式會是一種效率較高且效果較好的塗布方式.然而,在兩個溫度下皆有出現繞射峰位置 與同組成的粉末有些微之差異的繞射峰,但在 1200oC 並未出現其他的雜項.
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