隨著顯示科技日新月異的進步，不同種的顯示器在市場上扮演著不同 角色，甚至是取代原先非顯示器的產品，如數位相機取代了傳統底片等，
不變的是演進過程中顯示器朝著各種需求，變的更輕、更薄、色彩更鮮豔，
因為如此 TFT 與固態薄膜發光體的結合就成為現在最受重視的研究之一。
在這些研究中，主動式矩陣有機發光二極體 (Active matrix OLED, AMOLED)是研發的重心，利用 side-by-side 的方式，將 OLED 的畫素以陣 列的方式排列，發光的 OLED 不同於 LCD 複雜的結構，可以將顯示器產品 做的更薄，色彩也會比 LCD 更為飽和。因為傳統下發光 OLED 與 LTPS TFT 結合後[72]，會受到金屬導線或不透光材料製程的 TFT 影響，導致開口率下 降；因此 TOLED 就能有效的利用基板的面積，也不會因為金屬導線或 TFT 的材料影響到出光率，尤其是目前 TFT 的數量隨著硬體需求的提高正在急 速地增加，開口率的問題越顯的重要；尤其在近年 Oxide TFT 當作背板的 顯示器受到重視[73]，因此上發光結構就成了唯一能與之結合的 OLED 結構。
而且在微共振腔效應下，光色的飽和度與 NTSC 都會上升，這樣的優勢下，
目前中小尺寸的 OLED 顯示器幾乎為上發光結構，如 Samsung 多款 AMOLED 手機。
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而在上發光結構中，為了達到高反射率，大多數使用鋁或銀當作反射 陽極，但因為功函數不匹配有機物的 HOMO，對於電洞就會產生相當大的 能障，讓驅動電壓上升，導致元件效率下降。為了克服此問題，我們先套 用了 p-i-n 結構至我們的元件，透過適當的掺雜得到類似無機半導體 p 型或 n 型的傳輸層。這個方法可以大大降低電子與電洞從電極注入到有機層的注
入電壓，原理如圖 2.1 所示。和一般傳統的元件相比較的話，p-i-n OLED 在相同元件的注入電流下，驅動電壓只有傳統多層結構的 70%~50%。p 型 參雜的傳輸層通常用氧化金屬當作參雜物，且想要 p 型參雜的傳輸層效果 明顯，都需要相當高的參雜濃度，而氧化金屬的穿透率較低，在高濃度或 p 型參雜傳輸層厚度高的狀況下，光學的影響將會使元件效率下降。
圖 2. 1 p-type、n-type 參雜後能階變化圖
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為了能解決能階上不匹配的問題以及光學上的影響，我們想到利用氧 化透明導電金屬 ITO 與鋁金屬做結合，當作雙層的陽極來幫助電洞注入有 機元件當中，因為 ITO 薄膜在可見光範圍的穿透率高，也可以透過改變其 厚度使得元件光學腔長(optical length)改變，達到調整微共振腔效應改變光 色的效果[74]。而我們為了能與顯示器做結合，除了三色的單色光元件外，
也想辦法克服光學上的微共振腔效應，至做出一個高效率的上發光白光元 件，不但能應用在顯示器背光上，對於白光照明也希望能有所貢獻。
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