本研究從上發光的反射陽極開始，從光學特性的探討，到克服電性上 的電洞注入問題，經過一系列的驗證後，將此種 Al/ITO bilayer anode 應用 在上發光有機發光二極體中，不論是單色光或是白光都有不錯的成績。
Al (120 nm)/ITO (10 nm)有相當高的反射率，在此情況下能產生強微共振腔 效應，提升元件的發光效率，應此我們選用此厚度條件當作元件電極。電 洞注入能力方面，在 Al/ITO bilayer anode 上用 plasma 的方式沉積極薄的 CFx 可以有效的幫助功函數提升，達到增加電洞注入的能力。將此方式應用在 單色光元件方面，產生了相當飽和的光色，在 20 mA/cm2綠光有 28 cd/A，
黃光 11 cd/A，將天藍光材料透過微共振腔效應產生了一個深藍光的元件，
CIE y 值在 0.16，且效率有 8 cd/A。此外，覆蓋上 NPB 覆蓋層在半穿透陰 極上增加穿透率，來減少微共振腔效應，再用藍光與黃光的雙波段製方式 做一個寬波寬的白光元件，其 CIEx,y色座標值(0.30,0.39)，在 20 mA/cm2下 有 13 cd/A 的電流效率。
63
Ehrenreich, New York, Academic Press, 1955, p. 1-149.
4 A. B. Chwang, M. Hack, and J. J. Brown, Proceedings of the SID 2005 , p.481(2005).
5 M. Noda, N. Kobayashi, M. Katsuhara, A. Yumoto, S. I. Ushikura, R. I.
Yasuda, N. Hirai, G. Yukawa, I. Yagi, K. Nomoto, and T. Urabe. Proceedings of the SID 2010 , p.710 (2010).
6 H. N. Lee, J. Kyung, M. C. Sung, D. Y. Kim, S. K. Kang, S. J. Kim, C. N. Kim, H. G. Kim, and S.T. Kim, Proceedings of the SID 2008, p.265 (2008).
7 M. Yunus,P. P. Ruden, and D. L. Smith, Appl. Phys. Lett., 93.123312 (2008). Appl. Phys. Lett., 83, 5127, (2003).
13 S. Han, X. Feng, and Z. H. Lu, Appl. Phys. Lett., 82, 16. (2003).
14 G. Gu, V. Bulovic, P. E. Burrows, S. R. Forrest, and M. E. Thompson, Appl.
Phys. Lett., 68, 2006 (1996).
15 J. Kido, T. Matsumoto, Appl. Phys. Lett., 73, 2866 (1998).
16 D. Grozea, A. Turak, X. D. Feng, and Z. H. Lua. Appl. Phys. Lett., 81, 17,
64
(2002).
17 Z. L. Zhang, X. Y. Jiang, W. Q. Zhu, X. Y. Zheng, Y. Z. Wu, S. H. Xu, Synth.
Meter., 137, 1141 (2003).
18 N. Takada, T. Tsutsui, and S. Saito, Appl. Phys. Lett., 63, 2032 (1993).
19 S.Y. Kim, D.G. Moon, C.J. Lee, and J.I. Han. Thin Solid Films, 517, 2035, (2009).
20 X. L. Zhu, J. X. Sun, X. M. Yu, M. Wong and H. S. Kwok, Proceedings of the SID 2006, p.1292 (2006).
21 C. I. Wu,C. T. Lin, Y. H. Chen, M. H. Chen, Y. J. Lu, and C. C. Wu. Appl.
Phys. Lett., 88, 152104, (2006).
22 H.B. Michaelson, J. Appl. Phys , 48, 4729 (1977).
23 C. Ganzorig, K. Suga, M. Fujihira, Mater. Sci. Eng., B85, 140 (2001).
24 L. S. Hung, C. W. Tang, M. G. Mason, P. Raychaudhuri, and J. Madathil,, Appl. Phys. Lett. 78, 544 (2001).
25 M.A. Khan, W. Xua, F. Wei, Y. Bai, X.Y. Jiang, Z.L. Zhang, andW.Q. Zhu, Solid State Communications, 144, 343 (2007).
26. G. Gu, V. Bulovic, P. E. Burrows, S. R. Forrest, and M. E. Thompson, Appl.
Phys. Lett., 68, 2606 (1996).
27. G. Parthasarathy, P. E. Burrows, V. Khalfin, V. G. Kozlov, and S. R.Forrest, Appl. Phys. Lett., 72, 2138 (1998).
28 L. S. Hung and C. W. Tang, Appl. Phys. Lett., 74, 3209 (1999).
29 G. Parthasarathy, C. Adachi, P. E. Burrows, and S. R. Forrest, Appl. Phys.
Lett., 76, 2128 (2000).
30 P. E. Burrows, G. Gu, S. R. Forrest, E. P. Vicenzi, and T. X. Zhou, J. Appl.
Phys., 87, 3080 (2000).
65
31 L. S. Hung, C. W. Tang, M. G. Mason, P. Raychaudhuri, and J. Madathil, Appl. Phys. Lett., 78, 544 (2001).
32 S. Han, X. Feng, Z. H. Lu, D. Johnson and R. Wood, Appl. Phys. Lett., 82, 2715, (2003).
33 H. Riel, S. Karg, T. Beierlein, B. Ruhstaller, and W. Rieß, Appl. Phys. Lett.,
82, 466 (2003).
34 S. F. Hsu, C. C. Lee and C. H. Chen, Proceedings of The 4th International Conference on Electroluminescence of Molecular Materials and Related Phenomena(ICEL-4), p.76, Aug. 27-30, 2003, Cheju, Korea.
35 R. B. Pode, C. J. Lee, D. G. Moon, J. I. Han, Appl. Phys. Lett., 84, 4614 (2004).
36 (a) T. Hasegawa, S. Miura, T. Moriyama, T. Kimura, I. Takaya, Y. Osato, and H. Mizutani, Proceedings of SID'04, p.154, May 23-28, 2004, Seattle, Washington, USA. (b) J. Birnstock, J. Blochwitz-Nimoth, M. Hofmann, M.
Vehse, G. He, P. Wellmann, M. Pfeiffer, and K. Leo, Proceedings of IDW’04, p.1265, Dec. 8-10, 2004, Niigata, Japan.
37 G. G. Qin, A. G. Xu, G. L. Ma, G. Z. Ran, Y. P. Qiao, B. R. Zhang, W. X.
Chen, S. K. Wu, Appl. Phys. Lett., 85, 5406 (2004).
38 X. L. Zhu, J. X. Sun, X. M. Yu, M. Wong and H. S. Kwok, Proceedings of SID'06, p.1292, June 4-9, 2006, San Francisco USA.
39 S. H. Lee, D. W. Shin, S. J. Kim, Y. H. Kang, G. S. Lee, and J. Park, Mater.
Res. Soc. Symp. Proc. 965, (2007).
40 S. Y. Kim, D. G. Moon, C. J. Lee and J. I. Han, Thin Solid Films, 517, p.
2035 (2009).
66
41 X. W. Zhang , J. Li, L. Zhang, X. Y. Jiang, K. Haq, W. Q. Zhu, and Z. L.
Zhang, Thin Solid Films., 518, 1756 (2010).
42 L. S. Liao, L. S. Hung, W. C. Chan, X. M. Ding, T. K. Sham, I. Bello, C. S.
Lee, and S. T. Lee, Appl. Phys. Lett., 75, 1619 (1999).
43 G. Parthasarathy, P. E. Burrows, V. Khalfin, V. G. Kozlov, and S. R.Forrest, Appl. Phys. Lett. 72, 2138 (1998).
44 J. K. Noh, S. H. Son, Y. C. Lee, Y. H. Hahm, and M. S. Kang. WO 2006019270 (2006).
45 N. Takada, T. Tsutsui, and S. Saito. Appl.Phys.Lett., 63, 2032, (1993).
46 S. Chen, X Li, W. Xie, Y. Zhao, C. Li and S. Liu, Thin Solid Films., 516, 3364 (2008).
47 C. C. Wu, C. L. Lin, P. Y. Hsieh, and H. H. Chiang, Appl.Phys.Lett., 84, 20 (2004).
48 C. L. Lin, H. W. Lin, and C. C. Wu, Appl.Phys.Lett., 87, 021101 (2005).
49 Q. Huang, S. Reineke, K. Walzer, M. Pfeiffer, and K. Leo, Appl.Phys.Lett., 89, 263512 (2006).
Kim, J. W. Park, and H. K. Kim, Journal of The Electrochemical Society, 1, 155 (2008).
54 J. J. Huang, H. Y. Ueng, Y. K. Su, S. J. Lin, and F. S. Juang, Journal of Nanoscience and Nanotechnology., 8, 5176 (2008).
55 S. Han, X. Feng, Z. H. Lu, D. Johnson and R. Wood, Appl. Phys. Lett., 82, 2715 (2003).
56 S. F. Hsu, C. C. Lee, A. T. Hu, and C. H. Chen, Curr. Appl. Phys.. 4, 663.
67
Electron Devices, 51, 1207 (2004).
60 L. Ke, R. S. Kumar, P. Chen, L. Shen, S. J. Chua, and A. P. Burden, IEEE Photonics Technol. Lett. 17, 543 (2005).
61 C.-W. Chen, P.-Y. Hsieh, H.-H. Chiang, C.-L. Lin, H.-M. Wu, and C.-C. Wu, Appl. Phys. Lett., 83, 5127 (2003).
62 H. W. Choi, S. Y. Kim K.-B. Kim,Y.-H. Tak and J.-L. Lee, Appl. Phys. Lett.,
86, 012104 (2005).
63 C. R. Tsai, Y. S. Tsai, F. S. Juang, P. H. Yeh, Y. C. Chen, and C. C. Journal of the SID, 12/3, 315 (2004).
67 J. Cao, X. Y. Jiang, and Z. L. Zhang, Appl. Phys. Lett., 89, 252108 (2006).
68 Y. Nakayama, K. Morii, Y. Suzuki, H. Machida, S. Kera, N. Ueno, H.
Kitagawa, Y. Noguchi, and H. Ishii, adv. Materials., 19, 3746 (2009).
69 K. Hong and J. L. Lee, Electronic Materials Letters, 5, No. 4 , p. 151 (2009).
68
70 S. A. Van Slyke, C. H. Chen, and C. W. Tang. Appl.Phys.Lett, 69, 2160, (1996).
71 Y. Shirota, K. Okumoto, and H. Inada, Synth. Met., 111, 387 (2000).
72 S. Terada et al., SID’03 Digest, Vol. 34, p.1463, (2003).
73 H. N. Lee, J. Kyung, M. C. Sung, D. Y. Kim, S. K. Kang, S. J. Kim, C. N.
Kim, H. G. Kim, and S. T. Kim, Journal of the SID 2008, p.265 (2008).
74 S. F. Hsu, C. C. Lee, S. W. Hwang, H. H. Chen, C. H. Chen, and A. T. Hu, Thin Solid Films, 478, 271 (2005).
75 Y. F. Liew, H. Aziz, N. X. Hu, H. S. O. Chan, G. Xu, and Z. Popovic, Appl.
Phys. Lett. 77, 2650 (2000).
76 C. C. Chang, S. W. Hwang, C. H. Chen and J. F. Chen, Jap. J. Appl. Phys., 43, 6418 (2004).
77 C. L. Lin, H. W. Lin, and C. C. Wu, Appl. Phys. Lett., 87, 021101 (2005).
78 P. K. Raychaudhuri, J. K. Madathil, Joel D. Shore, and Steven A. Van Slyke, IDRC 2003, 10 (2003).
89, 053503 (2006).
82 D. S. Leem, S. Y. Kim, J. H. Lee, and J. J. Kimb, J. Appl. Phys. 106, 063114
69
Phys. Lett., 88, 113515 (2006).
87 X. Zhu, J. Sun, X. Yu, M. Wohg, and H. S, Kwok, Jap. J. Appl. Phys., 46, 4054 (2007).
88 J. Hou, J. Wu, Z. Xie and L. Wang, J. Appl. Phys., 42, 035107 (2009).
89 S. F. Hsu, C. C. Lee, S. W. Hwang and, and C.H. Chen, Appl. Phys. Lett., 86, 253508 (2005).
70
會議文獻(Presentations)
1. S. Y. Su, M. H. Ho, P. Y. Kao, C. Y. Wu, Y. H. Peng, K. H. Lin, H. M. P.
Chen, C. H. Chen, SID’93 Digest, 1524 (2009).
2. Y. H. Peng,M. H. Ho, S. Y. Su, and C. H. Chen, SID’10 Digest, 1883, (2010).