圖 3-1 覆晶封裝層錫球配置示意圖
18
C.L.
7.4
0.2@7
0.2@37=7.4 0.2@7 0.2 1.6
0.4@16 0.8
C.L.
0.2
This row 37 bumps (overall)
This row 36 bumps (overall)
17 rows
200 PITCH NUMBER = 2592 400 PITCH NUMBER = 1241
圖3-2 FC-PBGA 剖面圖
本文將利用 ANSYS® 10.0 有限元素法分析軟體先對上述構裝體 建立三維全域模型進行非線性等溫 TCT 溫度測試環境分析,然後再 對全域模型中應力最大處錫球建立次結構模型,並將在全域模型中因 為熱應力產生之應變造成的節點位移做為次結構模型的邊界條件進 行相同條件之分析,最後觀察覆晶構裝及球柵陣列構裝內錫球結構的 應力/應變趨勢、潛變行為模式以及疲勞壽命預測的比對與討論,以 期得到在不同潛變行為計算方式、測試環境下 FC-PBGA 模型之應 力、應變趨勢及疲勞壽命預測提供產、學界參考。
3-1 有限元素分析
本論文使用 ANSYS® 10.0 建立三維全域模型求得 TCT 溫度測試 下的應力分佈趨勢,以求取最有可能發生破壞的位置。經過利用等效 層觀念建立全域模型的分析後,使用次模型的技巧進行細部分析,建
分析。接下來將介紹建立FC-PBGA 模型的材料性質、束制條件、負 載條件及分析方式原理等考慮變數。
3-1-1 全域模型之建立
在全域模型 (global model) 方面,由於構裝體為對稱結構,若建 立整體模型其分析速度將因元素過多而大幅下降且分析結果並無太 大差異,故本文建置1/4 構裝體有限元素模型進行分析即可在較短的 時間內得到相同的結果,實體模型材料包含散熱蓋 (heat spreader) 、 熱介面材料 (thermal interface material, TIM ) 、晶片 (silicon die) 、 填膠層 (underfill) 、黏著層 (adhesive layer) 、基板 (substrate) 、覆 晶封裝間隙填膠等效層 (solder bump/ underfill equivalent) 、球柵陣列 構裝錫球等效層 (solder ball equivalent) 及印刷電路板等。其材料參 數如表3-1 所示、尺寸如圖 3-3 所示。
表3-1 系統構裝材料機械性質
在 IC 與基板間隙填膠層及球柵陣列構裝錫球層部份,為了減少 分析全域模型的時間,吾人使用等效層的觀念在覆晶間隙填膠層及球 柵陣列錫球層分別建立區塊取代原本繁複的元素數目以及外型,希望 以較少元素及節點加速分析並得到相同的趨勢。所謂等效層觀念即是 以此區塊內所含有之材料進行等效的材料參數計算,其計算之基準為 各材料在此一區塊中的體積比例。在覆晶間隙填膠層中內部面積陣列 含有 1241 顆凸塊,間距 400 µm、外部面積陣列含有 2592 顆凸塊,
間距200 µm,經迴銲後共有 3833 顆半徑 0.06 mm 之錫球,其整體配 置如圖3-4;在球柵陣列構裝層中共有 1681 顆 0.6 mm 之錫球,間距 1 mm,其整體配置如圖 3-5。將以上兩層繁複的結構以等效層方式取 代,可使其元素數目遠小於建立詳細結構之模型並得到相同的趨勢,
為一簡便又有效之方法。
圖3-4 1/4 覆晶封裝層錫球配置圖
圖 3-5 球柵陣列構裝層錫球配置圖
3-1-2 次模型之建立
在全域模型分析結束後,吾人將觀察兩層等效層中應力分佈之位 置,由於環境溫度負載循環週次下,每個負載所累積的熱應力將使構 裝體產生變形而導致破壞,故在找出最大應力發生處亦即吾人所推測 最有可能發生破壞處後,吾人將於次模型中進行詳細構造的建立與分 析,並不在全域模型中直接建立所有的結構模型,以達到節省運算時 間、易於觀查的優勢。
次模型的建立技巧為先對全域模型做初步的分析後,依照模擬的 需求尋找關鍵位置,在次模型建構時其外型必需與在全域模型中的相 關位置完全相同,再將初步分析的節點位移代入次模型結構中成為束 制條件進行分析,求得所需結果。以本文建立的三維 FC-PBGA 模型 為例,其全域模型、球柵陣列錫球第一層次模型、球柵陣列錫球第二 層次模型及覆晶層錫球次模型示意圖如圖3-6 至 3-9 所示。經由全域 模型分析顯示,覆晶封裝部份最大應力出現在錫球密度由 400µm 至 200µm 之交界處;球柵陣列部份最大應力出現在覆晶層填膠導角 (fillet) 之對角線正下方,兩層之次結構模型位置及結構示意圖如圖 3-10 至 3-13 所示。
X Y
圖 3-6 全域模型結構示意圖
圖3-7 球柵陣列封裝層第一層次結構模型
1
ELEMENTS
TYPE NUM
1
JUL 13 2006
15:55:40 ELEMENTS
TYPE NUM
圖3-8 球柵陣列封裝層第二層次結構模型
圖3-9 覆晶封裝層次結構模型
圖 3-10 覆晶封裝等效層內次結構位置(圓圈部份)
圖 3-11 覆晶封裝層錫球結構示意圖
Pitch=400µm Pitch=200µm
圖 3-12 球柵陣列封裝層次模型位置示意圖(框線範圍)
圖 3-13 球柵陣列封裝錫球結構示意圖
3-1-3 定義材料性質
由於在本文中並沒有特殊的網格規劃需求,且為使模型較易於觀 察、增加計算效率,故所有的模形均採用對應網格 (mapped mesh) 進 行規劃,對應網格的定義為所有的元素皆為同一類型之外型,如四面 體、六面體等。
其元素型式的選擇方面,錫球材料選擇三維八節點元素 SOLID 185,此元素型式的輸出資料可滿足吾人所需結果,如潛變、等效應 力、元素位移等其元素型式如圖 3-14,並考慮錫球之彈塑性-黏塑性 行為加入 Hyperbolic Sine 及 Norton 潛變模型進行分析,但進行加入 Double Power Law 潛變模型進行分析時,由於潛變模式需考慮主要潛 變及次要潛變,屬於明確潛變模式(explicit creep option),故需使用三 維八節點元素SOLID 45 以符合其計算原則,彈塑性-黏塑性行為亦考 慮之。其餘材料皆使用三維八節點元素型式SOLID 45,元素型式如 圖3-15 所示。所有的材料視為均向材料,僅基板 (substrate)為橫式均 向材料、錫球材料視為彈塑-黏塑材料,定義材料參考溫度為室溫 (25℃)。
圖3-14 三維八節點元素 Solid 185 元素
圖3-15 三維八節點元素 Solid 45 元素
3-1-4 束制條件定義
邊界條件的設定方面,由於此全域模型為1/4 系統構裝結構,且 希望用最少的束制條件使其受力與變形能趨於真實狀態,故吾人使用 模型結構的對稱面使其自由度對稱於垂直於此平面之軸、模型左下角 一點即系統構裝之中心點限制其所有位移自由度,如圖 3-16(a)、(b) 所示。而次模型之束制條件則依全域模型之求解結果改變有所不同。
在進行模擬時做以下假設
1. 構裝體為等溫狀態,亦即環境溫度在任一時間與構裝體內任 一位置溫度相等。
2. 所有結構體皆完美接合無縫隙,不考慮製程瑕疵造成缺陷。
3. 所有材料不因化學效應產生雜質。
4. 初始時並無殘留應力及初始位移。
1
X Y Z
ELEMENTS
U
1
X Y Z
ELEMENTS
U
(a)系統對稱面對稱條件示意圖
(b)系統結構中心自由度示意圖 圖 3-16 全域模型邊界條件設定示意圖
3-1-5 負載條件設定
在本文所探討的 TCT 熱循環測試負載條件為-40 ~125℃ ℃,如圖 3-17 所示。初始溫度由 25℃升溫至 125℃歷經 182 秒,並維持等溫 600 秒,之後開始降溫 300 秒至-40℃並在維持 600 秒後升溫 118 秒至 25℃,以上述循環進行三個週期作為環境負載對模型進行模擬,最後 依照模擬之結果數據代入疲勞壽命公式進行計算。
0 1000 2000 3000 4000 5000 6000
Time (sec)
-80 -60 -40 -20 0 20 40 60 80 100 120 140
Temp er atu re (
oc)
3-1-6 硬體環境
本論文使用工作站級 Dell 雙 Pentium 4 2.8G 微處理器、4GB 記 憶體及160G SATA 硬碟容量進行分析,每個研究例子的模擬估計費 時2 至 8 小時。
3-2 非線性分析理論[26]
本文使用有限元素分析軟體ANSYS 求得構裝體中之熱應力及熱 應變,使用牛頓-瑞佛森法 (Newton-Raphson) 進行非線性疊代法分析 求解。首先非線性問題之基本公式如式(3.1)所示
( ) { } { }
aK u u
=
F⎡ ⎤
⎣ ⎦
(3.1)其 中
⎡ ⎣
K u( ) ⎤ ⎦
為 係 數 矩 陣 (coefficient matrix) ,{ }
u 為 未 知 數 向 量 (vector of unknown values) ,{ }
Fa 為施加負載向量 (vector of applied loads) 。對此非線性公式並無法直接進行求解,故需使用疊代法進行方程 式之求解。在疊代求解的過程中數值必需收斂,若否則式(3.1)不成 立。因此假設殘留向量 (residual vector) 存在,如式(3.2)所示
{ }
R≡ ⎡ ⎣
K u( ) { } ⎤ ⎦
u− { } { } { }
Fa=
Fr−
Fa{ } 0
(3.2)求得殘留向量後將其對未知數向量
{ }
ui 取泰勒級數可得{ } { } { }
{ } { } { } (
1) 2! 1
2{ } { }
2( { } { }
1)
2... { } 0
i i i i i
i i
R R
R R u u u u
u + u +
⎛ ⎞
⎛ ∂ ⎞ ∂
= + ⎜ ⎜ ⎝ ∂ ⎟ ⎟ ⎠ − + ⎜ ⎜ ⎝ ∂ ⎟ ⎟ ⎠ − + =
(3.3)式中i 為當次迴圈數,式(3.3)亦可寫為如下型式
{ } { }
R=
Ri+ ⎡ ⎣
KiT⎤ ⎦ ( { } ∆
ui) +
O( { } ∆
ui)
2= { } 0
(3.4)T
Ki
⎡ ⎤
⎣ ⎦
為切線矩陣 (tangent matrix) ,其值等於{ } { }
iR u
⎛∂ ⎞
⎜ ⎟
⎜∂ ⎟
⎝ ⎠ ;
{ }
∆ui 為增量解,替代
{ } { }
ui+1 − ui ;O( { }
∆ui)
2為非線性項2! 1
2{ } { }
2( { } { }
i 1 i)
2...
i
R u u
u +
⎛ ∂ ⎞
− +
⎜ ⎟
⎜ ∂ ⎟
⎝ ⎠
。
若將(3.4)式中之線性項保留並將非線性基本式(3.1)代入可得
{ } ∆
ui= − ⎡ ⎣
KiT⎤ ⎦
−1{ }
Ri= ⎡ ⎣
KiT⎤ ⎦
−1( { }
Fa− [ ]
K u{ }
i)
(3.5)由(3.2)式中可知
{ } { } { }
T a r
i i i
K u F F
⎡ ⎤ ∆ = −
⎣ ⎦
(3.6){ } {
∆ui = ∆ui+1} { }
− ∆ui (3.7)其中
⎡ ⎣
KiT⎤ ⎦
為第 i 次疊代之切線矩陣;{ }
ui 為第 i 次疊代之位移向量;{
∆ui+1}
為第 i+1 次疊代之位移向量;{ }
Fir 為第 i 次疊代之內部負載向量。
在牛頓-拉佛森法程序中,每次的疊代皆需重新形成並求得新切 線矩陣,故此法具有良好的收斂性,其一個自由度模型之非線性方程 疊代計算流程如圖3-18 至 3-20 為在第 i 次、i+1 次及進入下個負載時
(1)
{ }
ui 已知,第一次疊代如圖3-18 所示。(2) 計算更新之
⎡ ⎣
KiT⎤ ⎦
與{ }
Fir ,由圖 3-18 可知⎡ ⎣
KiT⎤ ⎦
為第 i 次負載-位移曲線之切線斜率。(3) 代入式(3.7)計算
{ }
∆ui 。(4) 將
{ }
∆ui 加上{ }
ui 便可求得 i+1 次之解,即{ }
ui+1 ,至此完成一次疊代過程。
(5) 重覆以上疊代運算直至收斂為止,如圖 3-19 所示。
(6) 進入下一負載之疊代計算,如此可得非線性負載-位移曲線 解,如圖 3-20 所示。
判定收斂方式可由位移方式,如式(3.8),或由受力方式,如式(3.9) 判定之
{ } ∆
ui< ε
u refu (3.8){ }
R< ε
RRref (3.9)其中
{ } ∆
ui 、{ }
R 為向量範數;ε
R、ε
u為容許誤差;Rref 、uref 為參考值。範數的計算方式分為無限範數、L1 範數及 L2 範數三種。無限範 數即其絕對值之最大值;L1 範數是指絕對值之總合;L2 範數為其值 平方和之平方根。一般常用之範數計算方式為 L2 範數,本研究亦以 此範數為疊代法之收斂準則。
圖 3-18 牛頓瑞佛森法第 i 次疊代計算過程圖
圖 3-20 牛頓瑞佛森法每一次負載之疊代計算過程圖
3-3 潛變模型
潛變的定義為,材料在常溫下,受到彈性限度以下之應力長時間 作用時,其間並不發生變化。但在高溫環境下,受到較彈性限度低之 應力作用時,材料會隨著時間漸漸地發生變形。此種在一定應力作用 下,變形隨時間徐徐進行之現象稱之為潛變 (creep)。本文所設定的 溫度循環測試過程,測試溫度與錫球熔點的比值大於 0.4,當其比值 大於 0.2 時需考慮潛變對於結構所造成之影響[4],圖 3-21 為典型潛
圖3-21 典型潛變與時間關係圖
故本文將考慮穩態潛變及主要潛變與次要潛變加成後的行為,其 中描述錫球潛變行為的方法為使用Double Power Law [7]方程式描述 主要潛變與次要潛變加成之行為;使用 Hyperbolic Sine Law [5] 或 Norton [6] 方程式描述穩態潛變行為如公式(3.10)、(3.11)、(3.12)所 示。以下將上述三種公式一一介紹:
1. Double Power Law
5
2 3 6
1 C
exp
4 Cexp
crp
C C
C C
T T
ε = × σ × ⎛ ⎜ ⎝ − ⎞ ⎟ ⎠ + × σ × ⎛ ⎜ ⎝ − ⎞ ⎟ ⎠
(3.10)其中
ε
crp為等效潛變應變率,σ
為 von Mises 等效應力,T 為絕對溫度 (K),Ci為常數 (i=1,2,3,…,6),各參數列於表 3-2。表 3-2: Double Power Law Model 參數[4]
2. Hyperbolic Sine Law
( )
2 41
sinh
3 Cexp
crp
C C C
ε = × ⎡ ⎣ × × σ ⎤ ⎦ × ⎡ ⎢ ⎣ −
T⎤ ⎥ ⎦
(3.11)其中
ε
crp為等效潛變應變率,σ
為 von Mises 等效應力,T 為絕對溫度 (K),Ci為常數 (i=1,2,3,4) 各參數列於表 3-3。表3-3: Hyperbolic Sine Law 參數[25]
3. Norton Creep Law
* n
exp
crp
B H
ε = σ ⎡ ⎢ ⎣ −∆
kT⎤ ⎥ ⎦
(3.12)其中B*為材料常數(0.205
1/
MPa secn⋅
);∆
H為活化能(0.49 eV);k 為 波茲曼常數(8.617 10 eV/K ×
−5 );T 為絕對溫度(K);σ
為 von Mises 等 效應力;n 為應力指數(5.25);ε
crp為等效潛變應變率。Par. C1 C2 C3 C4 C5 C6
σ
Tε
Unit S−1 - K S−1 - K MPa K S−1 Value 0.4 2 5400 21 7 9500 - - -Par. C1 C2 C3 C4 Unit S−1 MPa−1 - K Value 10 0.2 2 5400.5
3-4 疲勞破壞模型
美國材料及試驗協會(American Society for Testing and Material , ASTM)對於疲勞 (fatigue)的定義為”材料受連續之變動負載產生局 部性永久結構變形之過程,該過程乃使材料中某點或多點產生不可逆 之永久損傷,以及使裂縫成長或經過多次波動後而完全破壞”[27]。
錫球接點的損壞會導致構裝體產生失效或效能未達預期,在文獻 的模擬或實驗中發現錫球往往較其他結構容易產生熱疲勞破壞。因此 錫球的疲勞壽命預測對於構裝體的可靠度具有一席之地。針對錫球疲 勞壽命的研究中,許多產、學界先進也提出了多種的熱疲勞計算壽命 的方式,大多數是以應變和能量為其變數進行討論。本文採用兩種疲 勞壽命預測模型,以分析之結果代入後求得疲勞週次數進行比較,以 下將目前常見之疲勞模型一一介紹。
1. Coffin-Manson 關係式[28,29] 提出使用累積等效非彈性應變範圍 作為壽命預測,關係式如下所示:
( )
150 1
in C
f eq
N
= ⋅ ∆
Bε
(3.13), 1
in n in
eq eq i
i
ε ε
=
∆ = ∑ ∆
(3.14)( ) ( )
( ) ( ) ( ) ( )
2 2 12
, 2 2 2 2
2 3 3
2
in in in in
xx yy yy zz
in
eq i in in in in in
zz xx xy yz xz
ε ε ε ε
ε ε ε γ γ γ
⎧ ∆ − ∆ + ∆ − ∆ ⎫
⎪ ⎪
∆ = ⎨⎪⎩+ ∆ − ∆ + ⎡⎢⎣ ∆ + ∆ + ∆ ⎤⎥⎦⎬⎪⎭
(3.15)