福特(FORD)8D 為全面品質管理(TQM)手法之一，採用此方法乃在研究 CVD 製程設備管路區環境之異常現象，有效縮短異常處理時間，改善問題，
並減少抱怨，所謂的 8D，乃將整個處程流程分為 D1，D2~D8，分別如下：
D1.主題選定及團隊形成，D2.描述問題及現況掌握，D3.執行及驗證暫時防堵 措施，D4.定義及驗證真因，D5.列出、選定及驗證永久對策，D6.執行永久對 策及效果確認，D7.預防再發及標準化，D8.恭賀團隊及未來方向。
表 3-1:以 Ford 8D 所擬定之行動計畫
3.2 主題選定
廠區 CVD 製程設備管路區曾發生白色粉末附著於排氣風管表面、不銹鋼 風管表面霧化，PVC 塑材管表面變色，更有甚者 local scrubber 水槽有明顯 異味問題，以 F2手提偵測器測得 1.7ppm，為探討製程設備管路區是否存在 對於人員危害之特殊氣體溢散，以及如何有效偵測，可在微量溢散時，即能 在效偵測，有效預警，以收氣體偵測系統設置之功效。本研究選定以 CVD 區 的原因為此製程使用大量且多樣的特殊氣體，人員進行 PM 的頻率亦相對於 其他區域高，何況，此區的環境亦說明了潛在的危害。
圖 3-1:CVD 製程管路區環境異常
3.3 現況掌握
3.3.1CVD 設備尾氣處理管路區
CVD 設備尾氣處理管路區主要有 pump, local scrubber, piping 等，將 chamber 反應完之 by product, 透過 pump 抽至 local scrubber 進行尾 氣處理，後再排至 VOC,處理後再排至大氣。
圖 3-2:CVD Utility Area 現場環境一隅
3.3.2 CVD 用氣體相關資訊
3.3.4 局部廢氣處理設備(local scrubber)
半導體製程設備使用多樣的特殊氣體與化學品，此類酸性腐蝕性物質如 果未將此類化學性廢氣加以處理而排放，則勢必會嚴重衝擊我們的環 境 。 一 般 製 程 尾 氣 的 處 理 順 序 主 要 如 下 ， ToolÆPUMPÆLocal
scrubberÆSEXÆCentral scrubberÆVOC，擴散製程之廢氣處理，從製 程設備處理未反應完之可燃性、毒性或腐蝕氣體，進入電熱式反應式，
經由 Heater 加熱後使其分解並與 CDA 氧化反應，此混合氣體經由水降 溫，此時粉塵被收集於下方之 Drain tank，其餘氣體前往 Wet scrubber，
此時製程氣體中的酸性氣體及粉塵被水大量的稀釋而排入，再由尾氣送 入中央洗滌塔(Central Scrubber)之前所裝置的設備。
由於局部廢氣處理設備是為降低製程危害物質的排放量而設置，也因此 成為廠內廢污毒害匯流的系統，適當的局部廢氣處理系統可有效降低工 業發展對環境的衝擊，然而，不當的處理系統不僅無法達成環境保護的 目標，更可能成為引發廠內工安事故的源頭，造成不必要的損失，甚至 生產中斷。業界較常發生 local scrubber exhaust 端長期於 exhaust 累積 磷及副產物於管內部久之後若未清理則容易造成火災，所以選擇局部廢 氣處理設備及管路設備及定期清理風管內壁則是重要一環；如圖 3-2 局 部廢氣處理設備。
圖 3-4:局部廢氣處理設備
3.4 執行暫時性防堵措施:
依據可行性方案評估，其暫時性之防堵措施如下
(1)加強巡檢 CVD 管路區，以確保立即發現異常並立即處理，
(2)遇人員反應該區異味時，立即協同廠務與設備，並攜帶可攜式氣體偵 測系統進行現場環境監測。
3.5 定義及驗證真因：
3.5.1 白色粉末從何而來?
CVD 區之異常異味及管路有白色粉末，顯為 SiO2之粉末，只是為何會產 生 SiO2,推與製程尾氣有關，因為該粉末為 SiO2可能是 SiF4尾氣與空氣 反應而形成的，且尾氣管路法蘭處 SiO2粉末附著較為嚴重，表示管路氣 密性不足，而造成管路微量溢散製程副產物與空氣反應，所以需針對管路 法蘭之迫緊，檢查其是否老化，並進行迫緊之更換。
圖 3-5:二氧化矽粉末形成機制
3.5.2 F2產生機制?
CVD chamber clean 使用 C2F6,C3F8,NF3等氣體，而該氣體進入 chamber 後之反應副產物，即為 F2，一樣排至 local scrubber 處理，而若 local scrubber 的處理效能不佳，則排至環境之尾氣就會有 F2偏高之問題與困境?
下圖說明了 F2 產生之機制。
圖 3-6:F2 產生機制
3.6 列出，選定及驗證永久對策
第四章結果與討論