本實驗使用外、內接式各2種不同平台尺寸的BIOMET 3i植體，直徑分別為5.0
㎜、6.0㎜，共四組樹脂模型，牙冠平台直徑在5mm植體分成二種：4.1㎜（實驗組）、
5.0㎜（控制組），在6mm植體分成三種：4.1㎜（實驗組一）、5.0㎜（實驗組二）、
6.0㎜（控制組）（圖17）。以下將依不同力量狀態下，探討各個組別補綴物有無 platform switching在相對於嵴骨區域的位置的應變量的影響。（各組別之raw data 詳列於表29~表88）
4.1正中垂直力量的施力下，補綴物有無platform switching在 相對於嵴骨區域的位置的應變量比較
各組別受力後，四個方向應變規的應變變化量之平均值與標準差列於表1~表 8。由表1~表8可得知在正中垂直力量的施力下，不論施力大小，不論植體尺寸或 組別屬於內接式或外接式，觀察植體平台周圍應變量的方向性，於近遠心側均受 到壓縮應力（compressive force），於頰舌側均呈現伸張應力（tensile force）。在 各個組別中，於正中垂直施力下，有無platform switching設計在植體四周應變量變 化的影響，四組應變規均無法得出platform switching設計、水平偏移程度造成應變 增加或降低的規律性。
4.2舌側方垂直力量的施力下，補綴物有無platform switching 在相對於嵴骨區域的位置的應變量比較
由以往有限元素分析6，給予一側方垂直力量，在側方垂直力量施予處的同側
植體嵴骨交界處將產生壓縮應力，整體應力呈現偏垂直方向的應力集中，施予處 的對側植體嵴骨交界處將產生伸張應力。
表9~表16詳列出各組別受力後，四個方向應變規的應變變化量之平均值與標準 差。觀察植體平台周圍應變量的方向性，於近遠心側呈現壓縮應變，於頰舌側均 呈現伸張應變，整體應變方向的模式與正中垂直施力為一致的。在實驗前，如前
所述的有限元素分析6結果推測在偏舌側給予一垂直力量，頰舌側應變方向應該為 相反，舌側呈壓縮應力，頰側為伸張應力。然而本實驗結果在頰舌側均呈現伸張 應力，推測應該是由於使用的應變規為單軸，在垂直施力下，模型會有一往下的 主應力，該主應力使的四個方向的應變規應變方向與正中垂直施力類似。
由於近遠心側應變規由先前文獻8可推論在舌側方垂直施力下有無platform switching設計對其近遠心側應變並不會造成變化影響，此外，舌側應變規的黏貼方 向無法顯示主應力的方向，因此我們主要比較能呈現主應力方向的「頰側」應變 規。於舌側垂直施力下，不論植體尺寸或組別屬於外接式或內接式，有platform switching設計的支柱牙，植體頰側應變量會較小，且有趨勢當水平偏移程度愈大，
植體頰側測得之應變量會愈小（表9~表18）（圖20~圖27），詳細應變量及p value 值列於圖20~圖27。外接式6㎜植體（模型一），有platform switching設計的支柱，
植體頰側應變量會較沒有platform switching設計小，且在10N、30N和50N力量下均 有統計學上顯著的差異（p value＜0.01），但在此組別下，不同程度水平偏移，4
㎜支柱與5㎜支柱其頰側應變量沒有統計學上顯著差異（10N：p value ＝0.61；30N：
p value ＝0.82；50N：p value ＝0.21）（圖20）。外接式6㎜植體（模型二），有 platform switching設計的支柱，植體頰側應變量均較沒有platform switching設計支 柱小，不同程度水平偏移，應變量隨水平偏移變大而愈小，在所有力量下均有統 計學上顯著的差異（p value＜0.01）（圖21）。外接式5㎜植體（模型一）在30N和 50N下，platform switching降低應變的趨勢有統計學上顯著的差異（p value＜0.01）
（圖22）。外接式5㎜植體（模型二）在50N下，platform switching降低應變的趨勢 有統計學上顯著的差異（p value＜0.01）（圖23）。內接式6㎜植體（模型一），
在30N和50N下，platform switching降低應變及應變量隨水平偏移變大而愈小的趨勢 有統計學上顯著的差異（p value＜0.01）（圖24）。而內接式6㎜植體（模型二）
僅在50N下有統計學上顯著的差異（p value＜0.01）（圖25）。。內接式5㎜植體（模 型一）與內接式5㎜植體（模型二）在30N和50N下，platform switching降低應變的
趨勢有統計學上顯著的差異（p value＜0.01）（圖26、圖27）。總而言之，platform switching在各組別均有降低應變的趨勢，且隨水平偏移程度愈大應變降低愈多，此 趨勢在50N力量下，所有組別均有統計學上顯著的差異（p value＜0.01），在10N下，
則大多數組別於統計學上沒有顯著的差異。
表25~表26檢視各組別platform switching造成的應變減少量（με）及應變減少百 分比，當力量愈大時，platform switching造成的應變量減少量（με）會更明顯，也 愈容易有統計學上的差異。水平偏移程度愈大，應變減少量也隨之增多的趨勢，
此趨勢當力量愈大時愈容易有統計學上顯著（圖20~圖27）。此外，platform switching 造成的應變減少百分比並未隨著施力愈大而增加。在不同組別，應變減少百分比 也有所差異。水平偏移1.0㎜造成的應變減少百分比均比水平偏移0.5㎜的大。
在本實驗中，於舌側垂直施力下，水平偏移0.5㎜，在外接式5㎜植體（模型 二）、內接式6mm植體（模型一）和內接式6mm植體（模型二）造成的應變減少百 分比小於10％；在外接式5㎜植體（模型一）和內接式5mm植體（模型一）造成的 應變減少百分比小於20％；在外接式6㎜植體（模型二）造成的應變減少百分比小 於30％；在外接式6㎜植體（模型一）造成的應變減少百分比小於40％。水平偏移 1.0㎜在內接式6㎜植體（模型一）和內接式6㎜植體（模型二）造成的應變減少百 分比小於30％；在外接式6㎜植體（模型一）和外接式6㎜（模型二）植體造成的 應變減少百分比小於40％（表25~表26）。比較內、外接式植體的差異，在舌側垂 直施力下，觀察各組別應變減少百分比，顯示出在外接式植體platform switching 造成植體周圍應變減少百分比（％）較內接式植體大的趨勢（表25~表26）。
4.3水平力量的施力下，補綴物有無platform switching在相 對於嵴骨區域的位置的應變量比較
表17~表24詳列出各組別受力後，四個方向應變規的應變變化量之平均值與標 準差。由於推論從頰側往舌側水平施力下，有無platform switching設計對近遠心側 應變規並不會造成變化影響；水平施力下主應變的聚集處發生在靠舌側的應變
規，呈現壓縮應變。因此，在水平力量的施力下，本實驗比較補綴物有無platform switching在相對於嵴骨區域的位置的應變量主要是比較「舌側」應變規。於水平施 力下，不論植體尺寸或組別屬於外接式或內接式，有platform switching設計的支柱 牙，植體舌側應變量會較小，且有趨勢當水平偏移程度愈大，植體舌側測得之應 變量會愈小（表17~表24）（圖28~圖35）。各組別詳細應變量及p value值列於圖28~
圖35。外接式6㎜植體（模型一），有platform switching設計的支柱，植體頰側應 變量會較沒有platform switching設計小，且在10N、30N和50N力量下均有統計學上 顯著的差異（p value＜0.01），不同程度水平偏移，4㎜支柱與5㎜支柱其頰側應變 量只在50N下有統計學上顯著差異（10N：p value ＝0.82；30N：p value ＝0.52；
50N：p value ＝＜0.01）（圖28）。外接式6㎜植體（模型二），有platform switching 設計的支柱，植體頰側應變量均較沒有platform switching設計支柱小，在所有力量 下均有統計學上顯著的差異（p value＜0.01），不同程度水平偏移，應變量隨水平 偏移變大而愈小的趨勢在30N和50N下有統計學上顯著的差異（p value＜0.01）（圖 29）。外接式5㎜植體（模型一）在50N下，platform switching降低應變的趨勢有統 計學上顯著的差異（p value＜0.01）（圖30）。外接式5㎜植體（模型二）在30N和 50N下，platform switching降低應變的趨勢有統計學上顯著的差異（p value＜0.01）
（圖31）。內接式6㎜植體（模型一）和內接式6㎜植體（模型二），在30N和50N 下，platform switching降低應變及應變量隨水平偏移變大而愈小的趨勢有統計學上 顯著的差異（p value＜0.01）（圖32、圖33）。內接式5㎜植體（模型一）與內接 式5㎜植體（模型二）platform switching有降低應變的趨勢，但均沒有統計學上顯 著的差異（圖34、圖35）。
表 27~表 28 檢視各組別在水平力量施力下，platform switching 造成的應變減 少量（με）及應變減少百分比，當力量愈大時，platform switching 造成的應變量減 少量（με）會更明顯，也愈容易有統計學上的差異。水平偏移程度愈大，應變減 少量也隨之增多的趨勢，此趨勢當力量愈大時愈容易有統計學上顯著（圖 20~圖
27）。此外，platform switching 造成的應變減少百分比並未隨著施力愈大而增加。
在不同組別，應變減少百分比也有所差異。水平偏移 1.0 ㎜造成的應變減少百分 比均比水平偏移 0.5 ㎜的大。各組別在 10N、30N、50N 水平施力下之應變減少百 分比詳列於表 27~表 28。
於水平施力下，水平偏移0.5㎜，在外接式5㎜植體（模型一）、內接式5mm 植體（模型一）和內接式5mm植體（模型二）造成的應變減少百分比小於5％；在 內接式6mm植體（模型一）和內接式6mm植體（模型二）造成的應變減少百分比小 於10％；在外接式6㎜植體（模型一）和外接式6㎜植體（模型二）造成的應變減 少百分比小於20％。水平偏移1.0㎜在外接式6㎜植體（模型一）、內接式6㎜植 體（模型一）和內接式6㎜植體（模型二）造成的應變減少百分比小於20％；在 外接式6㎜植體（模型二）造成的應變減少百分比小於40％（表27~表28）。比較 內、外接式植體的差異，在水平施力下，觀察各組別應變減少百分比，顯示出外 接式植體platform switching造成植體周圍應變減少百分比（％）較內接式植體大 的趨勢（表27~表28）。