臨床之應用

5.3 臨床之應用

目前臨床上常應用較大直徑植體配合platform switching支柱，期許platform

switching設計能提供此類植牙不論是軟組織或硬組織的保存，能產生較好的預後，

而我們的實驗結果配合上其他的文獻^6,7,8,9，可以得知platform switching設計的確可 以提供生物機械上的優勢，進而可能減少植體邊緣骨吸收。然而根據文獻及本實 驗，應變減少量是有一定程度的, 是否就因此可將落在pathologic overload範圍的 應力降低至physiologic load仍是值得我們思考的問題。

一般認為植體周圍炎(peri-implantitis)及過度負載(occlusal overloading)是導致 晚期骨吸收的重要原因，由本實驗結果配合上其他的文獻，可推測platform switching設計可減少植體於受側方力量後對植體可能產生的過度負載現象，進而 可預期其在晚期骨吸收方面表現會較少吸收，進而增加植體的長期存活率，這點 對於短植體之癒後尤其明顯。

關於植體周邊齒槽嵴骨變化的議題方興未艾，穩定的植體周邊軟、硬組織更與 補綴物美觀的維持息息相關，植體周圍骨量的維持更是維持植體長期成功率的重 要因子，若platform switching效果屬實，則在臨床上對植體支持贋復物的表現大有 幫助。本實驗及眾多文獻提出platform switching在生物機械性上的優點，platform switching的設計也能保留支柱周圍更多的軟組織及其於生物性方面上的優勢，然而 這些都是假說，未來尚需要更多的實驗去佐證，也能幫助我們在學理上對植體周 邊骨質的生理學有更深的認識。

第六章 結論

在本實驗的條件限制下，實驗的結果顯示：1.於正中垂直施力下，有無platform switching設計對於植體周圍應變量沒有規律性變化之影響。2.於舌側方垂直施力 下，不論植體尺寸或組別屬於外接式或內接式，有platform switching設計的支柱 牙，植體頰側應變量會較小。且有趨勢當水平偏移程度愈大，植體頰側測得之應 變量會愈小。當力量愈大時，platform switching造成的應變量差異會更明顯，也愈 容易有統計學上的差異。3.於水平施力下，整體趨勢同舌側方垂直施力。4.在舌 側方垂直力與水平力作用下，由應變百分比來評估，platform switching設計降低應 變的效果，在外接式植體會較在內接式植體明顯的趨勢。

圖 1. 牙科植體之組成。

圖 2. 埋植式植體。（左）第一階段手術：人工牙根植入手術，將植體植入顎骨，

植體平台會位於嵴骨上緣，在植體上鎖上覆蓋螺絲後縫合牙肉，將人工牙根整個

包埋在骨中。（右）第二階段人工牙根曝露手術，將埋在骨內的人工牙根放置癒合

支柱，以使人工牙根連接義齒部分可以曝露在口腔環境中。

圖 3. 非埋植式植體：植體設計在頸部有一平滑面，在植牙手術當次以此平滑面 穿越牙齦暴露於口腔環境中。

圖 4. 不同的支柱-植體連接方式。（左）內接式接頭。（右）外接式接頭。

圖 5. 左側：傳統支台-植體接合面，右側：具水平平台的支台植體接合面。紅色 區代表發炎細胞可能浸潤的範圍。 (轉錄自Lazarra and Porter. Platform switching:

A new concept in implant dentistry for controlling postrestorative crestal bone levels.

Int J Periodontics Restorative Dent 2006;26:9-17.)。

圖 6. 埋植式植體(左)和非埋植式植體 (右)的差異。黑虛線表示齒槽骨上緣所 在，在埋植式植體此處即微縫隙的位置，在非埋植式植體則微縫隙位於箭頭指示 處。

圖 7. 植體周圍的組織解剖型態：依次為牙齦溝、連接上皮及結締組織三部份。(轉 錄自Carl E. Misch. Dental implant prosththesis, ed. 1,p 25.)。

圖 8. Frost 研究：骨組織受到不同大小的應變時，骨量五種不同的反應。(轉錄自 Carl E. Misch. Dental implant prosththesis, ed. 1,p 25.)

圖 9. 左：Platform switching，將較小直徑的支柱接在較大直徑的植體上。右：經 過 10 年追蹤的 X 光片顯示與傳統平台介面比較，Platform switching 平台介面呈現 較少的骨吸收量。(轉錄自Lazzara RJ, Porter SS. Platform switching: A new concept in implant dentistry for controlling postrestorative crestal bone levels. Int J Periodontics Restorative Dent 2006;26:9-17. )

圖 10. 植體周圍軟組織組成高度和支台-植體交界之相關位置。(轉錄自 Lazarra and Porter.Platform switching: A new concept in implant dentistry for controlling

postrestorative crestal bone levels. Int J Periodontics Restorative Dent 2006;26:9-17.)

圖 11. 製作實驗用模型的模具：（左）將 22x20x70mm 基底板蠟製成的長方體塊，

利用平行析量器(surveyor)置入幻燈片塑膠盒，周圍注入加成式矽膠印模材

（additional silicone）包圍。（右）利用析量器將植體置入蠟塊中。

圖 12. 製作實驗用模型的模具：（左）超級硬石膏包埋住 impression coping，以確 認植體的六角關係能順利轉移。可看到露出的impression coping 頂端。（右）將 蠟塊去除後，留下植體。之後液態的樹脂就是經由這個開口注入而靜待凝固。

圖 13. 實驗樹脂模型的示意圖：（左）模型正面觀：植體包埋在長寬高分別為 70x20x22 mm 的環氧樹脂塊之中，露出至植體平台下 1mm 的部分。（右）模型橫 切面觀。

圖 14. （左）模型以夾具固定，並在 platform 周圍黏貼電阻應變計的情形，並作 方向性定位：頰側、近心側、舌側、遠心側。（右）實驗樹脂模型的示意圖：從 上面觀看模型，在植體平台四周黏貼四組電阻應變計。

圖 15. （左）訊號放大器(2310 Amplifier ; Measurement Group, Raleigh, North California, USA）。（右）類比/數位訊號轉換器(A/D converter)。

圖 16. （左上）實驗模型簡圖，尺寸如圖上所示。（中）將牙冠設計放大來看：

支柱平台直徑有所不同：【左】在6mm 植體支柱平台直徑分成三種-- 6 ㎜（控制 組)：黑線 、 5 ㎜（實驗組一）：紅線、 4 ㎜（實驗組二）：藍線。【右】在 5mm 植體支柱平台直徑分成二種-- 5 ㎜（控制組）：黑線 、4 ㎜（實驗組）：紅線。（下）

TDS 數位齒雕系統（CAD-CAM system）（Pou Yuen Technology Co.,LTD）

製作客製化支台（custom-made abutments）：（左）支台上面觀：螺絲固持式補綴 物（screw-retained prosthesis）。（中）外接式植體支台側面觀。（右）內接式植 體支台側面觀。

圖 17. 實驗模型組別

圖 18. 施力器(loading machine)及其施力方向與位置：

（左）垂直施力：分成兩種力量--（1）正中垂直力量：模型正放，在支柱牙冠正 中央（screw hole位置）垂直往下施力（2）偏舌側垂直力量：模型正放，在距離 支柱牙舌側邊緣1mm垂直往下施力。

（右）水平力量：模型平放，在距離支柱牙冠側邊緣1mm，由頰側往舌側施力。

圖 19. 利用 Spike 2 軟體( Cambridge Electronic Design, Cambridge, England ) 進行訊號的轉換，將應變計電阻測得的電位類比變化數位化。

圖 20. 外接式 6 ㎜植體（模型一），舌側方垂直力量下，補綴物有無 platform switching，頰側應變規的應變量比較。橫坐標：舌側方垂直力量（lingual vertical force；簡稱 LVF）。縱座標：頰側應變量（單位：micro strain）。

圖 21. 外接式 6 ㎜植體（模型二），舌側方垂直力量下，補綴物有無 platform switching，頰側應變規的應變量比較。橫坐標：舌側方垂直力量（lingual vertical force；簡稱 LVF）。縱座標：頰側應變量（單位：micro strain）。

圖 22. 外接式 5 ㎜植體（模型一），舌側方垂直力量下，補綴物有無 platform switching，頰側應變規的應變量比較。橫坐標：舌側方垂直力量（lingual vertical force；簡稱 LVF）。縱座標：頰側應變量（單位：micro strain）。

圖 23. 外接式 5 ㎜植體（模型二），舌側方垂直力量下，補綴物有無 platform switching，頰側應變規的應變量比較。橫坐標：舌側方垂直力量（lingual vertical force；簡稱 LVF）。縱座標：頰側應變量（單位：micro strain）。

圖 24. 內接式 6 ㎜植體（模型一），舌側方垂直力量下，補綴物有無 platform switching，頰側應變規的應變量比較。橫坐標：舌側方垂直力量（lingual vertical force；簡稱 LVF）。縱座標：頰側應變量（單位：micro strain）。

圖 25. 內接式 6 ㎜植體（模型二），舌側方垂直力量下，補綴物有無 platform switching，頰側應變規的應變量比較。橫坐標：舌側方垂直力量（lingual vertical force；簡稱 LVF）。縱座標：頰側應變量（單位：micro strain）。

圖 26. 內接式 5 ㎜植體（模型一），舌側方垂直力量下，補綴物有無 platform switching，頰側應變規的應變量比較。橫坐標：舌側方垂直力量（lingual vertical force；簡稱 LVF）。縱座標：頰側應變量（單位：micro strain）。

圖 27. 內接式 5 ㎜植體（模型二），舌側方垂直力量下，補綴物有無 platform switching，頰側應變規的應變量比較。橫坐標：舌側方垂直力量（lingual vertical force；簡稱 LVF）。縱座標：頰側應變量（單位：micro strain）。

圖 28. 外接式 6 ㎜植體（模型一），水平力量下，補綴物有無 platform switching，

舌側應變規的應變量比較。橫坐標：水平力量（horizontal force；簡稱 HF）。縱座 標：舌側應變量（單位：micro strain）。

圖 29. 外接式 6 ㎜植體（模型二），水平力量下，補綴物有無 platform switching，

舌側應變規的應變量比較。橫坐標：水平力量（horizontal force；簡稱 HF）。縱座 標：舌側應變量（單位：micro strain）。

圖 30. 外接式 5 ㎜植體（模型一），水平力量下，補綴物有無 platform switching，

舌側應變規的應變量比較。橫坐標：水平力量（horizontal force；簡稱 HF）。縱座 標：舌側應變量（單位：micro strain）。

圖 31. 外接式 5 ㎜植體（模型二），水平力量下，補綴物有無 platform switching，

舌側應變規的應變量比較。橫坐標：水平力量（horizontal force；簡稱 HF。縱座標：

舌側應變量（單位：micro strain）。

圖 32. 內接式 6 ㎜植體（模型一），水平力量下，補綴物有無 platform switching，

舌側應變規的應變量比較。橫坐標：水平力量（horizontal force；簡稱 HF）。縱座 標：舌側應變量（單位：micro strain）。

圖 33. 內接式 6 ㎜植體（模型二），水平力量下，補綴物有無 platform switching，

舌側應變規的應變量比較。橫坐標：水平力量（horizontal force；簡稱 HF）。

縱座標：舌側應變量（單位：micro strain）。

圖 34. 內接式 5 ㎜植體（模型一），水平力量下，補綴物有無 platform switching，

舌側應變規的應變量比較。橫坐標：水平力量（horizontal force；簡稱 HF）。

縱座標：舌側應變量（單位：micro strain）。

圖 35. 內接式 5 ㎜植體（模型二）補綴物有無 platform switching，水平力量下，

舌側應變規的應變量比較。橫坐標：水平力量（horizontal force；簡稱 HF）。

縱座標：舌側應變量（單位：micro strain）。

SG-4(D) SG-3(M) SG-2(B) SG-1(L) EI6（I）-A6-VF-10N 平均值（με） -6.34 -48.81 16.98 18.48 標準差（με） 2.76 4.35 0.89 0.71 EI6（I）-A5-VF-10N 平均值（με） -13.71 -59.74 23.79 27.51 標準差（με） 2.87 4.61 1.43 1.64 EI6（I）-A4-VF-10N 平均值（με） -10.24 -27.42 28.54 14.51

標準差（με） 0.8 1.15 1.83 0.81

EI6（I）-A6-VF-30N 平均值（με） -6.81 -152.7 50.41 61.83 標準差（με） 2.14 3.82 1.56 2.04 EI6（I）-A5-VF-30N 平均值（με） -80.46 -150.91 55.68 83.77 標準差（με） 48.93 30.84 5.97 13.57 EI6（I）-A4-VF-30N 平均值（με） -25.22 -80.85 81.02 47.1

標準差（με） 1.26 1.03 1.58 0.8

EI6（I）-A6-VF-50N 平均值（με） 4.45 -299.01 83.78 116.3 標準差（με） 2.18 3.45 1.31 3.19 EI6（I）-A5-VF-50N 平均值（με） -78.41 -213.78 64.62 170.33

標準差（με） 0.99 1.7 1.48 1.28

EI6（I）-A4-VF-50N 平均值（με） -75.54 -160.22 151.69 79.42 標準差（με） 22.07 32.64 3.64 11.68 表 1. 外接式 6 ㎜植體（模型一），在垂直施力、不同的力量下所測得應變變化之 平均值與標準差。縱軸的表示方法：如“EI6（I）-A5-VF-10N”，其中 EI6 代表外接 式6 ㎜植體（external connection implant，6 ㎜），（I）代表模型一，A5 代表支柱 為5.0mm（abutment，5 ㎜），VF 代表垂直施力（vertical force），10N 代表施力 大小為10N，其餘表示就以此類推。橫軸：受力後應變變化量，單位：microstrain；

SG-4（D）：遠心應變變化量，SG-3（M）：近心應變變化量，SG-2（B）：頰側 應變變化量，SG-1（L）：舌側應變變化量。

SG-4(D) SG-3(M) SG-2(B) SG-1(L) EI6（II）-A6-VF-10N 平均值（με） -14.5 -17.52 7.33 15.39

標準差（με） 2.11 2.09 1.2 1.02

EI6（II）-A5-VF-10N 平均值（με） -8.14 -17.29 10.07 10.13

EI6（II）-A5-VF-10N 平均值（με） -8.14 -17.29 10.07 10.13