3-1 A 部分
3-1-1 合成部分
Scheme 3-1-1-1. PCF 的合成途徑
PCF 的合成步驟如 Scheme 3-1-1-1 所示,先依照文獻
58合成出 2,7-dibromo-9-phenyl-9-fluorenol 再與過量的 9-苯基咔唑在三氟甲基 磺酸的催化下進行Friedel-Crafts 反應就可得到化合物 1。再將 1 與正 丁基鋰在低溫下進行鹵素與鋰的置換反應後,和氯化二苯基磷進行反 應即可得到含磷的中間物,此未純化的中間物直接以雙氧水氧化,即 可得到目標物 PCF,之後以管柱層析或是高真空昇華的方式進行純 化。3-1-2 熱性質
如下圖3-1-2-1 的內插圖所示,化合物 PCF 的玻璃轉移溫度(glass
48
transition temperature, Tg)為 147 oC,比無二苯磷氧的對照組化合物 CF 的文獻值49高出了39 oC。這個結果顯示導入二苯磷氧基團可破壞整 體 PCF 分子的平面性,並使分子變得更加剛硬。因此,PCF 元件在 操作所伴隨的溫度上升狀況下更能保持材料的均勻性。圖 3-1-2-1 的 TGA 分 析 亦 顯 示 PCF 擁 有 高 熱 穩 定 性 , 其 5% 熱 裂 解 溫 度 (decomposition temperature, Td)為 440 oC,此高熱穩定性有助於該化合 物之昇華純化,在元件製備之真空熱蒸鍍過程中也可有效減少因化合 物劣化所造成的困擾。
100 200 300 400 500 600 700 0
49
PCF 分子在 Franck-Condon 激發態(excited state)與基態(ground state)
時的極性變化不大。反之,其放射光譜卻隨著溶劑極性有非常明顯的 紅位移(最大放光波長在環己烷下為 374 nm,在四氫呋喃下為 446 nm,在乙腈下為 472 nm)。我們進一步在四氫呋喃溶劑下,改變 PCF 的濃度從10-4到10-6 M,發現不論是吸收或是放射光譜的波形都沒有 改變,因此,可以排除這樣的紅位移現象是來自於活化雙體(excimer) 或者是活化錯合物(exciplex)。我們歸咎這個隨溶劑極性增加放光光譜 紅位移的現象可能是由於 PCF 同時擁有電子予體的 9-苯基咔唑基團 與電子受體的雙二苯磷氧取代的芴環基團,造成分子內的光致電子轉 移(photoinduced electron transfer, PET)機制(圖 3-1-3-2)所造成。因為電 子予體與受體的影響使電子轉移後的 PCF 分子極性大增,受高極性 溶劑緩解作用而引起明顯的紅位移。我們將最大放光的波數對溶劑極 性作圖(圖 3-1-3-3),可得到一個線性的關係,其斜率為-13200 cm-1, 這 樣 的 結 果 符 合 我 們 對 放 光 光 譜 的 紅 位 移 現 象 是 屬 於 電 荷 轉 移 (charge transfer)的解釋。同樣的現象在一些雙性分子的文獻60, 61中也 有所述及。相較之下,只具有電子予體的 CF 分子無論是吸收或是放 射光譜,其不同極性溶劑下的變化就相對的不明顯(表 3-1-4-1)。圖 3-1-3-1b 為 PCF 在 77 K 固態 2-甲基四氫呋喃下的磷光放光光譜,由
50
最高能量的磷光放光峰波長可推得其
E
T為 2.75 eV。此高 ET值印證 了最初分子設計的想法:藉由芴環9 號位置 sp3混成的碳來連接9-苯 基咔唑,並在芴環的 2,7-位置引入二苯磷氧,如此一來便能完全阻斷 咔唑與芴環的 π-電子雲共軛以維持高的 ET。在圖 3-1-3-1b 的內插圖 中我們放置了 PCF 的薄膜光致放光(Photoluminescence, PL)與其元 件電致放光(Electroluminescence, EL)圖。由此內插圖我們不難看出 在7 wt%的 FIrpic 摻混下,能量就能完全轉移到 FIrpic 來放光。甚至 在高達28 wt%的 FIrpic 摻混的情況,其放光光圖仍與 7 wt%一致,這 可說明即使在高摻混濃度下,仍未見活化雙體或是活化錯合物的放 光,或者是說,PCF 的分散性非常好,能承受高的摻混濃度。我們 在稍後元件電激發光性質中會以原子力學顯微鏡(AFM)的照片來佐 證此一說法。51
300 400 500 600
0.0
400 500 600 700 0.0
52
emission maximum (X 104 cm-1 )
Δ f
53
照化合物 CF 即使掃描電位到了-3.10 V,仍然沒有訊號出現。而在二 氯甲烷溶液下的氧化電位掃描中,PCF 和 CF 都出現相似的氧化訊 號,其起始電位分別在 0.99 和 0.97 V,因為在其分子中都擁有相同 的多電子基團—9-苯基咔唑。
我們使用光電子光譜(Riken-KeiKi AC-2)來測量 PCF 與 CF 在薄 膜下相對於真空的HOMO 電位,而其結果分別為-5.86 與-5.87 eV,
這樣相近的數據顯示:這兩個化合物的HOMO 都決定於多電子的 9-苯基咔唑上,和我們在CV 量測上所得到的結果一致。而在這兩個分 子的LUMO 電位估算上,我們使用不同的計算方式:在 PCF 分子中,
因為氧化與還原決定在不同的基團上,因此我們使用CV 所量測到的 能隙(energy gap, 3.10 eV)來估算其 LUMO(-2.76 eV);而在 CF 分子 中,我們使用其吸收光譜的起始位置所換算出的能隙(3.44 eV)來計算 其LUMO 值(-2.43 eV),並將其結果整理於表 3-1-4-1 中。
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a Measured in cyclohexane (c-Hex), tetrahydrofuran (THF), and acetonitrile (CH3CN); b based on electrochemical results; c estimated from the optical absorption threshold; d measured using a Riken-Keiki AC-2 photoelectron spectrometer; e calculated by adding the energy gaps to the HOMO energies.
3-1-5 元件的電激發光性質
我們以 PCF 與對照化合物 CF 為主體材料,FIrpic 為客體材料、
9,9-bis(4-(N,N-diphenylamino)phenyl)fluorene (BPAF)為電洞傳輸層、
3-(4-biphenyl-yl)-4-phenyl-5-(4-tert-butylphenyl)-1,2,4-triazole (TAZ)為
55
電子傳輸層來製作發光元件,其元件結構與所使用材料之相對能階如 下圖3-1-5-1 所示:
圖3-1-5-1. PCF 與 CF 的元件結構與材料的相對能階圖
下圖3-1-5-2 為摻混 7 wt% FIrpic 元件電流密度、亮度對操作電壓 的作圖,由圖中我們不難發現由於二苯磷氧基團的引入大大增加其電 子注入與傳輸的能力,使的在相同操作電壓下的電流密度與亮度和對 照分子 CF 的元件比較起來有明顯的增加。PCF 元件最大 EQE 可高 達9.6 %,比 CF 的元件高出了 1 %。更重要的是其最大 PE 由於操作 電壓的下降使的 PCF 高達 17.2 lm W-1,足足高出 CF 元件的 8.8 lm W-1 將近一倍。
56 Current Density (mA cm-2 )
100
Brightness (cd m-2 )
圖3-1-5-2
. PCF 與 CF 元件的電流密度、亮度對操作電壓作圖
為了進一步印證 PCF 與 CF 傳遞電子與電洞的特性,我們製作了 電洞單獨傳遞(hole-only)與電子單獨傳遞(electron-only)的元件,其元 件結構表示如下:電洞單獨傳遞元件: ITO/BPAF(30 nm)/host (30 nm)/BPAF(40 nm)/Al (100 nm)。
電子單獨傳遞元件: ITO/2,9-dimethyl-4,7-diphenyl-1,10-phenanthroline (BCP, 30 nm)/host (30 nm)/TAZ(40 nm)/LiF (15 Å)/Al (100 nm)。
在電洞單獨傳遞元件中,利用BPAF 高 LUMO(-2.00 eV)的特性,
阻擋大部份的電子注入有機層,因此整個元件只單獨顯現電洞注入與 傳 遞 的 特 性 。 而 在 電 子 單 獨 傳 遞 元 件 中 , 則 是 利 用 BCP 低 HOMO(-6.50 eV)阻礙電洞的進入,因此元件只單純顯現電子在有機 層中注入與傳遞的特性。而其電流密度對電壓的作圖如下圖 3-1-5-3
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所示。PCF 與 CF 因為都具有傳遞電洞的 9-苯基咔唑基團,因此在電 洞單獨傳遞元件的電流特性上,差異並不明顯。反之,因為 PCF 具 有傳遞電子的雙二苯磷氧取代芴環基團,因而其 LUMO(-2.76 eV)比
CF(-2.43 eV,圖 3-1-5-1)足足低了有 0.33 eV,因此更能有效地幫助電
子注入而在電子單獨傳遞元件上,於相同的操作電壓下,PCF 的電
Current Density (mA cm-2 )
Voltage (V) (a) Hole-only
PCF CF
Current Density(mA cm-2 )
Voltage (V)
58
Current Density (mA cm-2 )
Voltage (V)
59
a Recorded at 1 cd m-2; b EQEmax, maximum external quantum efficiency, LEmax, maximum luminance efficiency, PEmax, maximum power efficiency; c recorded at 1000 cd m-2; the data in parentheses were recorded at 10 mA cm-2; d measured at 7 V.
一般來說,在主客體的系統中,隨著客體的摻混濃度增加,載子 (carrier)再結合於客體的機會會隨之增加,使得效率隨之上升。但客
60
體濃度上升到一定程度後,伴隨著三重態自我猝熄或是高濃度猝熄 (concentration quenching)的現象會變得更加嚴重,反而使效率下降。
但是在我們 PCF 這個主體中,即使客體摻混濃度一路增加到高達 28 wt%,效率仍能持續上升,其主要原因是因為 PCF 的剛硬和立體障 礙大的化學結構能有效的分散客體FIrpic。為了證實我們的假設,我 們分別將摻混28 wt% FIrpic 的 PCF 薄膜使用 AFM 來量測了它的表 面形態(morphology),並與無摻混的 PCF 薄膜相互比較。如下圖 3-1-5-6 所示,圖(a)為 PCF 薄膜,圖(b)為摻混 28 wt% FIrpic 的薄膜 AFM 測量結果,其表面粗糙度方均根值(root-mean-square, RMS)分別 為0.34 與 0.32 nm。這樣的結果顯示即使 28 wt%的 FIrpic 摻混,PCF 仍能有效的將其均勻的分散,與元件效率隨著濃度增加持續上升的結 果是一致的。相對的,在我們先前的報導中63,使用市售分子較小、
結構較平面的藍色磷光主體材料1,3-bis(9-carbazoly)benzene (mCP)在 摻雜21 wt% FIrpic 時,其薄膜就已出現山丘狀的起伏,其 RMS 也增 加到0.63 nm,相較於未摻雜時(0.33 nm)高出將近一倍。可見結構上 越剛硬,越不平面的 PCF 分子的確能將 FIrpic 有效的分散。
61
圖3-1-5-6
.
(a)無摻混與(b)摻混 28 wt% FIrpic 的 PCF 薄膜(30 nm,真 空蒸鍍在矽晶圓基材上)AFM 測量圖我們進一步比較使用 CF 當主發體材料的情況,隨著 FIrpic 濃度 的增加其元件EQE 亦從 7 wt%的 8.6%增加到 28 wt%的 11.8%;並且 其操作電壓有著明顯的下降,從7 wt%的 6.6 V 下降到 28 wt%的 5.8 V (在電流密度 10 mA cm2)。因為在高濃度的 FIrpic 摻混下,電子會直 接注入到較低 LUMO 的 FIrpic(-3.00 eV)由客體的 FIrpic 來傳遞,所 以電壓下降。而 CF 無論是有摻雜或是無摻雜 28 wt% FIrpic 的 AFM 測量,如同 PCF 一樣,出現相同平整的表面(有摻雜的表面粗糙度 RMS 值為 0.39 nm 而無摻雜的為 0.36 nm),這樣的結果可證實其 EQE 隨摻雜濃度上升的結果,另外亦顯示 PCF 能容忍高 FIrpic 摻混濃度 主要是因為中間的核心結構(亦即 CF 的結構)。
62
3-2 B 部分
3-2-1 合成部分
Scheme 3-2-1-1. POAPF、APF 與 PODPF 的合成途徑
B 部分目標分子 POAPF 與對照分子 APF 及 PODPF 的合成途徑 如 Scheme 3-2-1-1 所 示 , 先 依 照 文 獻 合 成 出 2,7-dibromo-9-phenyl-9-fluorenol58 、 9-phenyl-9-fluorenol49 與 2,7-dibromo-9,9-diphenylfluorene59 , 再 將 2,7-dibromo-9-phenyl-9-fluorenol 與 9-phenyl-9-fluorenol 分別與三苯胺 在三氟甲基磺酸的催化下進行 Friedel-Crafts 式的反應就可以得到中
63
間物 2 與對照分子 APF。含二苯磷氧的目標分子 POAPF 與對照分子
PODPF 則是利用中間物 2 與 2,7-dibromo-9,9-diphenylfluorene 分別與
正丁基鋰在低溫下進行鹵素與鋰的置換反應,再和氯化二苯磷進行反 應得到含磷的中間物後,再將此未純化的中間物直接以雙氧水氧化,
即可得到。
3-2-2 熱性質
我 們 利 用 熱 重 分 析 儀(TGA) 與 微 差 掃 描 卡 計 (DSC) 來 檢 測
POAPF、APF 與 PODPF 分子的熱性質。藉由 TGA 與量測,我們發
現:引入熱穩定性佳的二苯磷氧基團後 64,POAPF 與 PODPF 分子 呈現較高的5%熱裂解溫度,分別在 466 與 428 oC。因此具有高熱穩 定性的 POAPF 分子在使用真空熱蒸鍍來製作元件時,可避免因分子 裂解造成的元件缺陷,這是有機分子作為主體材料的最基本要求。如 下圖3-2-2-1 POAPF 與對照化合物 APF、PODPF 的 DSC 測量圖中,
三分子在氮氣的環境與每分鐘10 oC 的升溫速度下,於第二個加熱週 期均可觀測到明顯的玻璃轉移溫度,分別為129、82 與 120 oC。POAPF 的玻璃轉移溫度是三個分子中最高者,顯示在芴環的2,7-與 9-號位置 分別引入巨大而剛硬的二苯磷氧與三苯胺基團能夠破壞整體 POAPF
64
的平面性以有效防止分子間的堆疊,因而導致高的玻璃轉移溫度。因 為 POAPF 高的熱重損失與玻璃轉移溫度,表示即使在元件操作過程 所伴隨溫度上升的情況下,以 POAPF 為主體的元件仍然可以維持發 光層中的均勻形態。
60 80 100 120 140 160 129
oC
120
oC
Exothermic
Temperature (
oC)
POAPFAPF PODPF
82
oC
圖3-2-2-1. POAPF、APF 與 PODPF 的 DSC 圖譜
3-2-3 光學性質
圖3-2-3-1 為 POAPF、APF 與 PODPF 在不同溶劑下的吸收與放 射光譜圖。相關的光學與動力學測量數據整理如下表3-2-3-1。在圖 3-2-3-1a 中,POAPF 在環己烷的吸收光譜幾乎與 APF 和 PODPF 分
圖3-2-3-1 為 POAPF、APF 與 PODPF 在不同溶劑下的吸收與放 射光譜圖。相關的光學與動力學測量數據整理如下表3-2-3-1。在圖 3-2-3-1a 中,POAPF 在環己烷的吸收光譜幾乎與 APF 和 PODPF 分