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4-1 合成機制探討

4-1-1 Stille coupling reaction

Stille 反應是一個利用鈀金屬催化有機錫化合物與有機鹵化物,而形成 C-C 鍵化學偶合的反應,反應式如下所示:

R1-Sn(Bu)3 + R2-X R1-R2 + X-Sn(Bu)3

本文中,使用的鹵化物是以溴為主,故必須先使用NBS (N-bromosuccinimide) 或bromine 將化合物進行溴化反應(bromination)後,和有機錫化合物再進一

步行偶合反應,可能反應機構如圖 17。但由於金屬錫毒性甚大,除非必要

應避免使用,可以其他有機反應可取代之,如 Suzuki reaction34、Negishi reaction35等。

4-1-2 Suzuki coupling reaction NBS (N-bromosuccinimide)或 bromine 將化合物進行溴化反應(bromination) 後,和有機硼化合物再進一步行偶合反應,可能反應機構如圖18 所示:

4-2 高分子基礎性質

a平均數量分子量(number average molecular weight);b平均重量分子量(weight average molecular weight);c polydispersity indices (PDI=Mw/Mn);d玻璃轉換溫度(glass transition temperature);e熱分解溫度(decomposition temperature (0C) at 5% weight loss.)

高分子基礎性質的部分,我們利用凝膠滲透層析法 (Gel Permeation Chromatography,GPC) 分別得知四個高分子的分子量,而 P4 因為含有 COOH 關能基,不能進行 GPC 量測,因此分子量則以 P3 (P4 水解之前)為 參考值。四個高分子對於 tetrahydrofuran (THF)、chloroform (CHCl3)、

ortho-dichlorobenzene (o-DCB)、chlorobenzene (CB)皆有不錯的溶解度。

在熱性質方面,P1-P4 皆可以利用 Differential Scanning Calorimetry (DSC) 以每分鐘升高十度的速率掃描得到化合物的 Tg,四個高分子的 Tg皆 在130 0C 以上,而 P2 的 Tg值較其他三個高分子高,推測原因可能為 P2 分 子主鍊上引入較多的fused dithienothiophene 環使得結構較為剛硬,進而導 致其 Tg 值上升。再者,我們利用 Thermogravimetric Analyses (TGA)得到 P1-P4 的 Td,四個高分子的熱穩定性質都不錯,Td 溫度幾乎都在400 0C 以

上,其中P3 的 Td較低,推測原因為 monomer 2 分子末端的 tert-butyl 官能 基較不穩定,而使得Td下降。

100 200 300 400 500 600 700 800

40 光譜(PL)與其數據。由溶液狀態吸收光譜圖(圖 20)中得知,P1、P3、P4 因 為結構相似,其最大吸收峰值皆落在440 nm 附近,我們歸諸為化合物的π -π* 電子躍遷,而吸收範圍則落在 300 nm 到 550 nm 左右。以 P2 而言,

因為在高分子主鍊上引入了含有拉電子能力的 benzothiadiazole 片段,吸收 光譜上除了在短波長處仍然有化合物的π-π* 電子躍遷之外,在長波長區 (donor)、受體(acceptor)之間作用而產生的

intramolecular charge transfer (ICT)吸收峰,而其最大吸收峰值落在 488 nm;

同 時 我 們 也 在 P2 分 子 主 鍊 引 入 了 含 有 較 多 有 效 共 軛 長 度 的 fused dithienothiophene 環,進而使得其吸收範圍更為廣泛,約延伸至 630 nm。

由薄膜狀態吸收光譜圖(圖 21)中,我們可以看到 P1-P4 的吸收波型與在 溶液狀態時非常相似;其中P1 的最大吸收峰由 448 nm 位移到 470 nm,其 他三個高分子的最大吸收峰值也分別都有紅位移的現象,我們歸因於薄膜 狀態的分子較易產生堆疊作用(aggregation),造成 interchain association 以及 π-πstacking,因此比溶液狀態吸收光譜還要紅位移,範圍約在 22-24 nm 之間。而四個高分子的光學能隙(optical band gap)皆以此薄膜狀態吸收光譜 (absorption edge)而求得,其中 P2 之 Eg為 1.98 eV,是所有高分子中能隙最 窄的。

而由薄膜狀態放光光譜圖(圖 22)中,我們可以看到四個高分子的放光 強度皆非常的弱,其中 P2、P4 幾乎不放光,此現象或許能夠間接解釋 P2 分子擁有比 P1 分子強的 photoinduced charge transfer 以及 intermolecular energy transfer 能力之外;其中 P4 分子放光較 P3 分子弱的原因,我們推測 是因為P4 分子當中含有的少部分 COOH 官能基可能形成二聚物(dimer),使 得分子之間距離縮短,造成堆疊,因此幾乎無放光能力。

表 2 高分子紫外-可見光(UV-Vis)吸收光譜、放光光譜(PL)數據

a The absorption spectra were recorded in dilute chlorobenzene solution at room temperature.

bThe absorption and PL films were spin-coated from 10 mg/1 mL chlorobenzene solution.

300 400 500 600

0.0

300 400 500 600

500 550 600 650 700 750

0

4-4 高分子電化學性質之探討

我們利用循環伏安法(cyclic voltammetry,CV) ,量測各高分子之電化 學 性 質 。 進 行 CV 量 測 時 , 先 配 置 電 解 質 溶 液 為 0.1 M 的 tetra-n-butylammonium hexafluorophosphate (Bu4NPF6)無水 acetonenitrile 溶 液,各個高分子配置成10 mg/1 ml 的 chlorobenzene 溶液。本次實驗所使用 P1、P3、P4 化合物,因為結構組成相似,其 HOMO、LUMO 以及光學能

隙也較為相近。其中P2 分子因為分子主鍊上π共軛長度的延伸,以及引入

了含有拉電子能力的 benzothiadiazole 片段受體,而有強拉電子能力的影

表3 各個高分子電化學性質數據

a The optical band gap was obtained from the equation Egopt = 1240/λonset bE1/2 was the average value of oxidation and reduction potential.

c EHOMO = [-(E1/2 - 0.11) - 4.8] eV where 0.11 V is the value for ferrocene vs. Ag/Ag+ and 4.8 eV is the energy level of ferrocene below the vacuum.

dLUMO = HOMO - Eg

4-5 太陽能電池之性質

各高分子的混摻異質接面太陽能電池(bulk heterojunction solar cells)之 短路電流 (Jsc)、開環電壓(Voc)、填充因子(FF)、轉換效率(PCE)如表 4 所示。

本 論 文 元 件 中 的 主 動 層 (active layer) 所 選 用 的 溶 劑 是 高 沸 點 的 o-dichlorobenzene,而高分子是以 polymer(2 wt%):PCBM(2 wt%) = 1:1

去混合,再用固定轉速 600 rpm 塗佈在 PEDOT:PSS 層上,並鍍上電極 Ca/Al , 而 所 選 用 的 基 材 是 ITO 玻 璃 。 其 元 件 結 構 為 ITO/PEDOT:PSS/Polymer(2wt%):PCBM(2wt%)/Ca(50nm)/Al(100nm) , 如 圖 25 所示。

圖25 太陽能電池元件結構圖

表4 高分子和 PCBM 經過 1:1 混摻後之元件量測數據 active layer

(polymer:PCBM=1:1)

表 4 中,我們可以得到各高分子的元件量測數據;大體上來看,P2 分子的

率方面,此系列高分子並未有明顯的效率提升。四個高分子中以P1 的表現 Current density (mA/cm2 )

Illuminated current

Current density (mA/cm2 ) Dark current

P1 P2 P3 P4

圖27 各高分子之暗電流 J-V 曲線圖

而在本實驗中我們也將高分子濃度改變,從2 wt%降低至 1 wt%,以及

薄,主動層可能會被有機粒子或是鹽類結晶打通,導致非完全 open circuit,

使 Voc有機會大幅下降;因此雖然在1 wt%、800 rpm 條件下一開始的光轉

active layer (polymer:PCBM=1:1)

4-6 結論及未來展望

本論文中,我們利用Suzuki coupling reaction 合成了以 2,7-carbazole 以 及fused dithienothiophene 單元為分子主鍊的共軛型高分子。此系列化合物 因為不具結晶態,因此可以利用旋轉塗佈的方式製成薄膜,當與PCBM 1:

1 混摻時,在 AM 1.5 的標準太陽光照射下,元件效率可達到η=0.49%,

Jsc=1.82 mA/cm2、Voc=0.82 V、FF=0.37 %;另一方面,我們也引入了 benzothiadiazole 作為電子受體,藉由 2,7-carbazole 施體與 benzothiadiazole 受體之間的作用力,有效的將吸光範圍延長至紅外光區;但由於分子主鏈

dithienothiophene 兩側的 thiophene 置換成共軛性以及堆疊效果較佳的結 構,諸如:cyclopentadithiophene、thienothiophene…等,除了因為共軛性增 加能將吸光範圍延伸的更廣泛之外,我們也期望能夠更有效的增加分子間 的堆疊效應,進而提升元件光轉換效率。

而本論文中並未針對 P3、P4 分子做進一步的探討,在未來,我們會將

這兩組高分子與外圍含有 pyridine 的 ZnO 無機奈米粒子進行混摻,加以探 討超分子作用力(supramolecular interactions)對於太陽能電池元件效率的影 響。

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附圖

附圖 1 化合物 M1 氫譜

附圖 2 化合物 M2 氫譜

附圖 3 化合物 M3 氫譜

4 化合物 M4 氫譜

附圖5 化合物 P1 氫譜

附圖6 化合物 P2 氫譜

附圖7 化合物 P3 氫譜

8 化合物 P4 氫譜

附圖9 化合物 M1 之 MS-FAB 圖

附圖 9 化合物 M2 之 MS-EI 圖

附圖 10 化合物 M3 之 MS-EI 圖

附圖11 化合物 M4 之 MS-FAB 圖

附圖 12 化合物 M1 之元素分析

附圖 13 化合物 M2 之元素分析

附圖 14 化合物 M3 之元素分析

附圖 15 化合物 M4 之元素分析

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