1. 鈷薄膜/紅熒烯薄膜/矽基底，第一系列樣品透過原子力顯微鏡與磁光柯爾效應 儀的實驗分析，發現表面粗糙度與矯頑力有相同的趨勢，證實磁性薄膜表面 粗糙度會影響磁性薄膜之矯頑力。而中間層的紅熒烯薄膜會影響鈷濺鍍時形 成的 hcp 結構藉而影響磁滯曲線的方正度。再來不管紅熒烯的厚度，三組樣 品磁滯曲線的殘磁與飽和磁化量都在 30 nm 趨於飽和，都是由於雷射光在磁 性材料中達到其趨膚深度(skin depth)。
2. 鈷薄膜/紅熒烯薄膜/矽基底，紅熒烯退火 550 K，第二系列的樣品一樣透過原 子力顯微鏡與磁光柯爾效應儀的實驗分析，發現表面粗糙度與矯頑力有相同 的趨勢，在第二個系列更是明顯，表面粗糙度大矯頑力大的現象。而且第二 系列的表面粗糙度從 4 nm 到 8 nm 變動很劇烈，也影響了磁光柯爾訊號打到 樣品上照射到體積的量，反射後的接收藉而衰減了磁滯曲線的殘磁與飽和磁 化量的大小，不過三組樣品磁滯曲線的殘磁與飽和磁化量由於趨膚深度(skin depth)一樣都在 30 nm 趨於飽和。在方正度方面由於鈷的顆粒大且大小一致，
使得在外加場翻轉磁矩時加到一定的強度，磁矩會全部一起翻轉過去所以方 正度很好。
3. 紅熒烯薄膜/鈷薄膜/矽基底，第三系列的樣品一樣透過原子力顯微鏡與磁光柯 爾效應儀的實驗分析，發現表層的紅熒烯網狀結構在沒有平整的晶面上網狀
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結構消失了，與第一系列與第二系列的一直都有的表面粗糙度與矯頑力有相 同的趨勢，在這組就完全看不到這個現象，紅熒烯徹底的覆蓋了底下鈷 hcp 結構，磁滯曲線的方正度都非常的良好。在磁滯曲線的殘磁與飽和磁化量的 分析中，由於表層覆蓋了一層像毛玻璃般的紅熒烯而影響了磁光柯爾效應儀 雷射的入射與反射的強度，導致磁滯曲線的殘磁與飽和磁化量只有第一個系 列的一半大小。
4. (20 nm Rubrene/40 nm Co)
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/Si(100)，多層膜樣品，一樣透過原子力顯微鏡與磁 光柯爾效應儀的實驗分析，然後與第一系列跟第三系列做一個比較，發現殘 磁與飽和磁化量的大小，恰好都在第一系列跟第三系列兩者之間，因為最上 層的紅熒烯薄膜會減弱磁光柯爾訊號雷射的入射與反射的強度但由於是多層 膜鈷的貢獻，強度剛好介於第一系列跟第三系列之間。而多層膜矯頑力變得 只有第一系列跟第三系列的一半，且在表面粗糙度的關係圖裡，粗糙度也趨 於一致，顯示出鈷薄膜在這種多層膜的結構裡面鈷膜成長得很好長的很完整，最後在方正度方面很好，與第一系列跟第三系列一樣非常的良好。
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