我們利用顯微螢光光譜量測系統,觀察到多組單一量子點分子具 有相似的譜線特徵。藉由改變功率和偏振方向分析,觀察到某些譜線 具有細微結構分裂,可分辨出直接單激子和間接單激子及雙激子。透 過改變激發光的能量,也可進一步辨認出帶負電激子。
當溫度增加時,發現了直接單激子態和間接單激子態之間具有單 一方向的載子轉換。為了解釋載子轉換的現象,我們提出了速率方程 式模型來描述實驗結果,並且由不同量子點模擬後的參數,判斷出此 載子轉換是源自是熱活化的電洞穿隧效應,而並非是直接的穿隧偶合 或聲子協助的偶極-偶極 Förster 能量轉移機制,此效應可以在高溫時 控制電洞能階的耦合。
經過不同溫度的變功率螢光量測,發現高溫下譜線強度比值會隨 著激發功率而改變,因此我們可以得到此熱活化的電洞穿隧效應的輔 助證據,由時間解析光譜量測結果,得到激子態的半衰期不隨溫度改 變,代表著激子態佔據量子點分子的機率確實因為溫度的不同而有消 長。
附錄A
在本論文中考慮能量轉換的模型,是一個經過合理簡化的圖像,
原本的模型我們考慮了聲子的吸收及放射,並排除了電洞能階的直接 耦合穿隧,如附圖A-1。
X i
E A
Δ E
G 1 G 2
R 1 X1
R 2
γ 1 γ 2
X i
E A
Δ E
G 1 G 2
R 1 X1
R 2
γ 1 γ 2
附圖 A-1 更詳盡的模擬量子點分子間之能量的轉換速率方程式模型
因為能量轉換是由高能量譜線X1隨溫度增加轉換到低能量譜線 X2,若為X1和X2電洞能態的直接耦合,那由於聲子瓶頸效應在量子 點能階差為0.3-2meV時並不明顯的關係[25][26][27],在低溫的情形下 X1會藉由聲子的釋放轉換到X2能態,而使得I1<I2,在實驗中只有電 洞能階差為0.3meV的QDM4表現出這種行為,其餘量子點分子在低溫 下均為I1>I2。也就是說,當兩個量子點間距大於4nm,電洞能階<1meV
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中,因為不對稱造成的電洞能階的差距大於1meV,電洞的直接耦合 穿隧會被壓抑。由於不考慮電洞的直接耦合穿隧,推斷X1之上有一 個中間態Xi(intermediate state)。X1激子先透過吸收聲子而佔據此高能
量的中間態,吸收聲子的速率為 k T
在模型中,我們考慮熱活化的單一方向能量轉換。值得注意的是,因
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了簡化我們的模型,所以先考慮 ⎟⎟
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附錄C
在時間解析光譜中,由於脈衝光的功率密度很大,故雙激子態的 影響不能忽略,故我們嘗試用考慮雙激子態的速率方程式模型來模擬 實驗結果,如圖附C-1 所示。而模擬結果如附圖 C-2。
時間解析光譜直接反應了佔據量子點的激子態機率隨時間衰減 的情形,在模擬的情形中,低溫情況下的時間解析光譜表現的行為即 為兩個激子態原本的半衰期,但由於溫度的增加,而使得X1 激子態 會受到熱活化電洞穿隧效應的影響,X1 的電洞穿隧到另一個量子 點,成為X2 激子態,故機率分佈隨時間快速的變小,半衰期越來越 短,相反的,X2 由於得到 X1 轉換過來的激子,所以半衰期越來越 長,時間解析光譜中出現峰值的時間會向後移,但是當溫度高到一個 程度,X1 在很短的時間內便透過熱活化的電洞穿隧效應轉成 X2 激 子態,故在觀察 X2 激子態隨時間的衰減時,半衰期會跟低溫時相同 均表現出X2 原本的衰減,但達到峰值的時間會約略向後移。
模擬的情形不能反映我們的實驗結果,代表這個模型可能還不夠 完備。在模型中我們只考慮的基態 X1 和 X2 激子態,XX1 和 XX2 雙激子態這五個能階的影響,但是在脈衝的高功率密度下,還有很多 我們無法確認的譜線被激發出來,這些譜線都可能跟單激子態有其他 的交互作用而使得半衰期不會因為溫度的影響而被改變。
附圖 C-1 波長為 400nm 的脈衝雷射激發下,QDM1 的光激螢光譜線
indirect exciton(X2) direct exciton(X1) Time
附圖 C-2 直接和間接單激子態模擬出的時間解析光譜
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