Philipp Rust 等人為了取得聚苯乙烯磺酸(PEDOT / PSS)薄膜，而進行剝離 製程(Lift-off)，製程方法如圖 1-9 所示，首先於基板上塗一層聚醯亞胺
（Polyimide，
PI）作為絕緣層，然後在部分區域塗上光阻，接著塗上欲取得之薄膜，此實驗為聚
苯乙烯磺酸，最後以丙酮將光阻去除，即可得到薄膜，然而以此方法剝離的薄膜限 制於工藝方式，無法剝離全片完整薄膜，僅能得到部分薄膜[9]。
圖 1-9 薄膜剝離製程示意圖 [9]
(a)塗佈絕緣層 (b)部分塗佈光阻 (c)塗佈聚苯乙烯磺酸 (d)浸泡丙酮溶解光阻
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J. J. Schermer 團隊利用兩種不同的方式來剝離大尺寸薄膜，如圖 1-10 所示，
(a)以懸掛重物使薄膜剝離，(b)通過在圓柱體表面上引導可撓式基板，以滾輪的方 式剝離薄膜，此兩種方法的蝕刻速率皆因額外施加的應力而增快，然而，外加應力 使薄膜品質下降，故此方法尚不具備實用性[9]。
圖 1-10 以應力 ELO 薄膜示意圖 [9]
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Xiaochuan Xu 團隊等人利用聚二甲基矽氧烷(poly dimethicone, PDMS)薄膜將 矽奈米柱結構從 SOI 基板上黏附起來後，再次轉移至紫外光固化膠 NOA61(Norland Optical Adhesive)之上，展示了可撓式矽晶奈米薄膜的靈活性。
其轉移製程如圖 1-11 所示，(a)有奈米柱狀結構的 SOI 基板，(b)部分蝕刻底切，
(c)支撐層製作，(d)完全蝕刻底切，(e)利用 PDMS 薄膜將 SiNM 圖形黏貼，(f)將 SiNM 圖形再次轉印到 NOA61 之上。圖 1-12 為薄膜轉移後的實體照片[11]。
圖 1-11 矽奈米圖形二次轉移流程 [11]
圖 1-12 矽奈米結構轉移至可撓式基板上之實體圖 [11]
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美國 IBM 團隊利用表面張力來進行 ELO 製程，其實驗試圖將整片基板泡入蝕 刻液鹽酸(Hydrochloric acid, HCl)之中，蝕刻犧牲層 InAlP，取得 GaAs 薄膜。
實驗嘗試利用表面張力隨著蝕刻長度與晶圓方向夾角的不同來控制 ELO 的速 率，如圖 1-13 所示，蝕刻液(HCl)的溫度保持在 60oC，整個實驗過程耗時約 8 小 時，平均蝕刻速率為 5.9mmh-1，若進一步優化工藝，也許能提高蝕刻速率。圖 1-14 為 GaAs 薄膜成功轉移到可撓性基板上的實體照片[12]。
圖 1-13 表面張力輔助 ELO 製程示意圖 [12]
(a)表面張力輔助 ELO 原理示意圖 (b)晶圓方向夾角 (c)實作流程
圖 1-14 GaAs 薄膜轉移至可撓性基板上之示意圖 [12]
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在 2011 年，Hosseini 等人以 ELO 技術將 c-SiNMs 轉移至可撓式基板上，並重 覆使用基板進行轉移。薄膜光學設備和一般電子設備相比，對傳輸精度有嚴格的要 求，因為位置的任何偏移或結構的任何破損都會影響元件的性能。於是該團隊改進 了薄膜轉印技術的流程，達成 c-SiNMs 的成功轉印，圖 1-15 為結構轉移至可撓式 基板上的步驟，(a)250nm 之 SOI 基板，蝕刻層為 3m，(b)定義圖形，(c)塗佈光阻，
(d)濕蝕刻，(e)蒸氣蝕刻，(f)PDMS 轉印，(g)PET 塗佈 NOA61，(h)將薄膜轉印至可 撓式基板上[13]。
(a) a (b)
(c) b (d)
(e) (f)
(g) (h)
圖 1-15 結構轉移製程流程圖 [13]
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在 2014 年時 Zhou. W 等人研究了三種奈米薄膜剝離轉印的方法，分別為直接 轉印、乾式轉印及聚二甲基矽氧烷薄膜(Polydimethylsiloxane, PDMS)轉印，直接轉 印是將塗有黏著劑的可撓式基板，直接印於蝕刻後的薄膜上，使薄膜結構轉印到可 撓式基板上。乾式轉印的方法是利用有彈性的可撓式基板，去吸附薄膜結構，達成 轉移目的。而 PDMS 薄膜轉印則是利用 PDMS 薄膜吸附結構，再將結構再次轉印 至塗有黏著劑的可撓式基板上，製程流程如圖 1-16 所示[14]。
以上三種薄膜轉移方法，皆與薄膜的剝離速度與吸附力道有很大的關係，在剝 離薄膜時，速度或力道過大都可能導致薄膜破裂[14]。
圖 1-16 直接轉印、乾式轉印、PDMS 薄膜轉印三種薄膜剝離製程圖 [14]
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