第四章 專利分析
第二節 計算專利指標
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第二節 計算專利指標
壹、 RDGR
首先從表 7 中擷取 1994 年至 2013 年這 20 年間的數據，再計算各類薄膜太陽
能電池的歷年成長率（如表 9 所示），最後利用第三章第二節所提及之公式（1），
計算出各類薄膜太陽能電池的技術相對成長潛力率 RDGR 值，並整理如表 10。
有一點須要留意的是，由於染料敏化太陽能電池於 1999 年開始才有專利申請，
故在 1994 年至 1999 年的歷年成長率皆為 0，這或許是導致染料敏化太陽能電池的 前 10 年平均數值高於其他三類薄膜太陽能電池的原因之一，並使其計算出來的 RDGR 值比其他三類薄膜太陽能電池的為低，如表 10 所示。
表 9、1994－2013 年各類薄膜太陽能電池之專利歷年成長率 種類
年份 矽薄膜 碲 化 鎘 / 硫 化
鎘
銅 銦 硒 / 銅 銦
鎵硒 染料敏化
1994~1995 0.4 -0.13 0 0 1995~1996 -0.29 -0.57 1 0 1996~1997 0.2 0.67 -1 0
1997~1998 0 1 0 0
1998~1999 -0.17 0.2 -0.29 0 1999~2000 0.8 -0.25 1 0 2000~2001 0.67 0.11 -0.5 2 2001~2002 -0.13 0.3 0.8 1 2002~2003 -0.31 -0.62 -0.44 -1
2003~2004 -0.44 0 0 0
2004~2005 -0.2 0.2 -0.2 -0.5 2005~2006 0.25 0.17 0.75 1 2006~2007 -0.8 -0.14 -0.29 0.75 2007~2008 1 -0.5 -0.4 -0.29 2008~2009 0 2.33 2.67 1.6
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2009~2010 7 1.6 1.91 0.38 2010~2011 1.13 2.12 1.34 0.81 2011~2012 0.029 0.012 0.093 0.38 2012~2013 -0.26 0.29 0.33 0.26 總平均 0.467 0.357 0.356 0.336
資料來源：本研究整理
表 10、各類薄膜太陽能電池之 RDGR
前 10 年平均 後 10 年平均 RDGR
矽薄膜 0.073 0.905 12.4
碲化鎘/硫化鎘 0.071 0.676 9.52
銅銦硒/銅銦鎵硒 0.057 0.689 12.1
染料敏化 0.2 0.488 2.44
總平均 9.115
資料來源：本研究整理
由於 RDGR 代表某一技術領域成長率之相對潛力，若 RDGR 數值越高，表示 近年來有越多專利研發投入於其中，該技術領域於最近幾年有高度成長；若 RDGR 值小於 1，則表示該技術領域成長開始趨緩；若 RDGR 值為負值，則表示該技術 領域呈現負成長。根據此原則，從四類薄膜太陽能電池的 RDGR 值作判斷，其發 展潛力的強度依序為：
矽薄膜＞銅銦硒/銅銦鎵硒＞碲化鎘/硫化鎘＞染料敏化
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貳、RPP 與 RPA
利用美國專利商標局（USPTO）所提供之專利資料庫進行檢索，找出並統計 日本前五大太陽能電池廠商於四類薄膜太陽能電池之核准專利件數，如表 11 所示。
接著，以第三章第二節所述之公式（2）計算出專利相對定位 RPP，如表 12 所示。
其後，利用 Patent Guider 2008 之內建功能，統計該五家廠商的專利自我引證次數 與他人引證次數，並將這兩項的數值相加而得出專利總引證數，如表 13 所示。最 後，根據第三章第二節所述之公式（4）計算出專利相對優勢 RPA，如表 14 所示。
然而，為了能將 RPA=0 而 RPP≠0 的電池類別之圓圈面積於圖中呈現出來，
遂將 RPA=0 者以 1 代替，並以「=1*」標示，接著將表 14 之數值繪製成專利組 合圖，如圖 15 所示；其中，每一個圓圈（RPA）面積之大小，代表各廠商所擁有 的專利技術之重要程度。
另外於表 14 中，由於將專利總引證數為 0 者取自然對數（Natural Logarithm）
後，其數值會出現負無限大，故本研究將此類數字者皆以「0”」標示。
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Sharp Kabushiki Kaisha
Shell Kyocera
矽薄膜 1 0 0.33 0 0
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Sharp Kabushiki Kaisha
Shell Kyocera
矽薄膜 5 0 0 0 0
Shell Kyocera
矽薄膜 192.3077 0” 0” （=1*） 0” 0”
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參、分析專利組合圖
圖 15、USPTO 四類薄膜太陽能電池之專利組合圖
資料來源：本研究繪製
圖 15 乃依據 Ernst（1998）專利組合圖之技術層面模式所繪製，即圖 12。其 中，專利相對定位 RPP 為縱軸，由於 RPP 的最大值為 1，故取其中間值 0.5 為縱 軸之分界點；技術相對成長潛力率 RDGR 則為橫軸，以四類薄膜太陽能電池的 RDGR 平均值 9.115 作為橫軸的分界點，因而將專利組合圖劃分成四個象限，各象 限皆有其對應之專利佈局策略，以給予企業適當之研發資源配置建議。
由圖 15 可見，不少圓圈出現互相重疊的情況。因此，本研究利用 Brockhoff
（1992）專利組合圖，亦即圖 10，於下一節為日本前五大太陽能電池廠商各作一 個公司層面的分析，以較清晰的角度去觀察日本各廠商目前擁有的專利技術之定 位。