文獻指出，於室溫中蒸鍍鈷原子在鉑(111)面，鈷會先以二維層狀 成長，當鍍量大於3 ML，鈷開始呈現三維的成長模式，隨鍍量增加，
可直接長成三角形的鈷島 [12]、[18]，見圖 1.6。在我們的實驗中，
先找到乾淨的鉑(111)切面，如圖 5.24(a)，再利用場蒸發使鉑(111)露 出較大的切面，如圖 5.24(b)，讓鈷原子有更多機會在鉑(111)面上成 長。
圖5.24 (a) 乾淨的鉑針，圖中央為(111)切面。
(b) 場蒸發使露出較大的(111)面，藉以增加鈷原子於其上成長的機會。
我們先在室溫中蒸鍍4～5 ML 的鈷於鉑表面，再降溫至 20 K 觀 察鈷在鉑(111)切面上的成長情形，發現鈷在鉑上的成長是依鉑基底呈 現FCC 結構，如圖 5.25(b)，乍看之下以為所見亮點是以 FCC 結構排 列的鉑原子，但此時繼續加高成像電壓，待這些原子開始場蒸發，如
(a)
(111)
(b)
(111)
圖 5.25(d)所見，即發現這些亮點的場蒸發電場較鉑原子約低 1 kV，
故可知這些依 FCC 結構成長的原子是鈷。而鈷、鉑場蒸發電場的差 值會依針尖的尖銳度而變，例如：場蒸發電場為 6.2 kV 的鉑針，其 蒸鍍上的鈷原子在 5.5 kV 即場蒸發；而場蒸發電場是 9 kV 的鉑針，
其上的鈷原子加至 8 kV 才場蒸發。
圖5.25 (a) 乾淨的鉑針表面。
(b) 蒸鍍 4～5 ML 的鈷原子於其上，觀察到以 FCC 結構排列的鈷原子。
(c) 再加高成像電壓，鈷原子排列的 FCC 結構更清楚。
(a) (b)
(c) (d)
數次實驗後，我們發現不時有單顆、雙顆或三顆鈷原子聚集在 (111)面上，分別見圖 5.26(a)～(c)，當我們以場蒸發去除此吸附原子 後，即見以 FCC 結構排列的鈷(111)面，如圖 5.27(a)～(d)所示，我們 將這些鈷原子在鉑(111)面的成長情形繪於圖 5.26(d)～(i)，分別是對 照圖5.26(a)～(c)的俯視圖及側視圖，圖中淺藍與深藍色表示鈷原子，
(a) (b) (c)
(d) (e) (f)
(g) (h) (i)
圖5.26
鍍4～5 ML 的鈷於鉑上，(a)、(b)、(c)分別呈現(111)面上出現單顆、雙顆、三 顆鈷原子的實驗結果，(d)、(e)、(f)為模擬(a)、(b)、(c)成長情形的結構俯視圖，
圖中淺藍及深藍色表示鈷原子、黃色是鉑原子，(g)、(h)、(i)則是成長情形的 結構側視圖。
圖5.27 (a) 圖 5.26 中的鈷吸附原子被場蒸發後的場離子影像，圖中央一道突兀 綠光是沙凡因被蒸鍍而放電形成的影像。
(b) 加高成像電場，逐漸看見鈷原子的 FCC 結構。
(c) 再加高成像電場，已可見(111)面。
(d) 持續加高成像電場，呈現清楚的 FCC 結構。
(a) (b)
(c) (d)
(111) (111)
由以上的實驗結果，我們發現鈷在鉑(111)面上是先以 FCC 結構 鋪覆數層，再於其上成長單顆、雙顆或三顆的鈷原子，此 S. K. mode 的成長模式與文獻相符 [12]、[18]，由圖 1.6 亦可看出每一個在鉑(111) 面上成長的鈷島皆不盡相同，而我們的實驗進一步證實這些鈷島的頂 端可能分別為單顆、雙顆或三顆鈷原子。
這些在平面基底上直接長成的單顆、雙顆或三顆原子團，其原子 團不固定成長於(111)面的何處，也不總是出現特定顆數的原子團，所 以是一種無特定針形的奈米針尖，2009 年有一篇專門探討此奈米針 的研究 [38]，其中提到此針作為場發射源時，具有高亮度的優點。